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25nm闪存固态硬盘容量缩水问题浮现
制造工艺的更新换代可以给闪存带来性能提升和成本的下降，这在玩家心目中几乎是公认的事实。然而大多数人可能忽略了事情的另一面，即闪存制造工艺升级带来的寿命问题。随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明
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中低密度FPGA需求巨大
为了实现FPGA进入有线/无线网络核心高容量市场的应用，赛灵思推出了创新的SSI（堆叠硅片互联）技术将多颗FPGA芯片封装在一起以扩大目前最先进工艺（28nm）下FPGA的容量；但是另方面，低密度的FPGA也仍是非常受欢迎，
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Intel生产工艺规划是否会按部就班？
按ITRS工艺路线图，在2009年进入32纳米，英特尔做到了。但是实现工艺，出产样品，到真正量产，尚存在差距，通常需要一年多时间。按英特尔计划，2011 Q1时32nm的出货比升至35%，Q2时达50%，到Q3时32nm才超过70%，表示
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Intel生产工艺规划32nm半年后过半
编者点评：按ITRS工艺路线图,在2009年进入32纳米,英特尔做到了。但是实现工艺,,出产样品,到真正量产，尚存在差距，通常需要一年多时间。按英特尔计划，,2011 Q1时32nm的出货比升至35％，Q2时达50％，到Q3时32nm才超过
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近距离接触 25nm NAND闪存制造技术
目前，限制SSD普及的门槛依然是昂贵的价格和较小的容量，而各大闪存制造厂商也在为SSD的普及，积极地研制新制程技术，以期望带来更具性价比的产品。显然，英特尔和美光的合作，使两家公司在技术和创新上走在了其他公
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15nm工艺CMOS将如何发展？
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”开幕前一天的2010年12月5日，举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻
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15nm工艺CMOS将如何发展？短讲座出现站着的听众
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”开幕前一天的2010年12月5日（日），举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻辑LSI方面，美国
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G652D光纤宏弯损耗测试方法
光纤宏弯损耗测试，在国家标准GB/T9771.3-2008中描述为：光纤以30mm半径松绕100圈，在1625nm测得的宏弯损耗应不超过0.1dB。 而注2中描述：为了保证弯曲损耗易于测量和测量准确度，可用1圈或几圈小半径环光纤代
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《国际电子商情》10月热门产品汇总
关键字： LTE PA 云手机 CDMA GPU LTE云手机将促使市场全面洗牌
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Intel斥资80亿美元意在15nm及更小芯片
据外电报道，英特尔宣布建立新的工厂和投入新的设施研发15纳米和比15纳米更小的芯片。投资预计达80亿美元。英特尔技术和制造事业部副总裁兼封装测试生产部总经理布莱恩（ Brian Krzanich）透露英特尔预计明年下半年将
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Intel投资8亿美元欲开发小于15nm芯片
英特尔宣布它将会投入8亿美元建立新的工厂和投入新的设施研发15纳米和比15纳米更小的芯片。 英特尔技术和制造事业部副总裁兼封装测试生产部总经理布莱恩（ Brian Krzanich）透露英特尔预计明年下半年将推出应用22纳米
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EV Group推出软UV纳米压印光刻技术 尺寸可达12.5nm
领先的晶圆键合和光刻设备供应商EV Group发布了一项新的技术Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨图形。基于EVG的UV-NIL系统，SMS-NIL为客户提供可重复的、具成本效益的工
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英特尔已在规划22nm、15nm Atom大军
旧金山IDF 2010上，Intel不仅宣布了面向嵌入式系统的Atom E610、面向消费电子设备视的Atom CE4200处理器，还展示了Atom家族的未来路线图。 在不断升级的半导体工艺支撑下，Atom家族也会日益庞大。从现在开始，Int
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中芯国际最新技术路线图发布 32nm研发加速进行
作为中国本土最大的芯片制造商，中芯国际的技术动向无疑是业界的焦点。中芯国际已走过10个年头，9月16日举办的的技术研讨会恰逢其成立10周年，新领导班子的集体亮相、最新技术路线图的发布、研发进展状况等，成为了此
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中国Foundry本土化是必然趋势
“未来10年，中国Foundry将迎来新的发展阶段，在国际合作的前提下，本土化将是必然的趋势，即资金本土化、管理本土化、市场本土化、人才本土化。”这是首次在公众面前亮相的上海华力微电子有限公司总裁资深顾问兼销
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2015年15nm GF将用EUV光刻技术造芯片
在最近的SemiCon West产业会议上， Global Foundries公司对外宣布，将会在15nm制程时开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。Global Foundries公司高级副总裁Greg Bartlett表示，在纽约Fab 8工厂建成之后的2012
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英特尔工艺开发负责人谈15nm工艺以后的CMOS技术
LSI的基本元件CMOS晶体管长期以来一直被指存在微细化极限，但目前来看似乎还远未走到终点。全球最大代工厂商台积电（TSMC）于今年夏季动工建设的新工厂打算支持直至7nm工艺的量产。台积电是半导体行业中唯一一家具体
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英特尔25nm闪存量产 演绎新固态硬盘时代
据国外媒体报道，英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产，并开始向消费者供货。IMFT（Intel-Micron Flash Technologies，英特尔美光闪存技术公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本，二
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英特尔25nm闪存量产演绎新固态硬盘时代
据国外媒体报道，英特尔证实它与美光闪存公司合作开发的25nm闪存已经开始量产，并开始向消费者供货。IMFT（Intel-MicronFlashTechnologies，英特尔美光闪存技术公司）于今年一月在DailyTech展示了25nm芯片样本，二月
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Kilopass完成台积电认证
半导体逻辑非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）领域的领导厂商Kilopass Technology Inc.宣布，该公司的XPM嵌入式一次性可编程（OTP）非挥发性内存技术率先在台积电40nm及45nm低功率制程技术中完成台积电IP-9000 Level 4
