CMOS
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比传统强1000倍 全新石墨烯图像传感器[图]
关于石墨烯强大的功能，我们已经不是第一次听说。无论是作用于油漆、环境污染治理、研发耳机等等，几乎任何我们能够想到的领域都会出现这一材料的身影。这一次，它又将自身的优势发挥在了拍照领域。新加坡南洋理工大
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比传统强1000倍 全新石墨烯图像传感器
关于石墨烯强大的功能，我们已经不是第一次听说。无论是作用于油漆、环境污染治理、研发耳机等等，几乎任何我们能够想到的领域都会出现这一材料的身影。这一次，它又将自身的优势发挥在了拍照领域。新加坡南洋理工大
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松下新一代单电相机GX2谍照及信息曝光
作为单电相机的创始人，松下的单电一直深受全球消费者的喜爱，在市场上有着较高的市场占有率。于2011年末推出的 GX1 以其全金属材质的外壳和超快的对焦速度获得了不错的反响，不过在今天来说它已经有些
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日本NHK开发超小型8K摄像机
日本NHK公司(日本广播公司)近日宣布将于5月30日至6月2日举办的“2013技术研究公开会”上展示其与ASTRO DESIGN公司联合设计开发的超小型8K SHV超高清摄像机(机头)。SHV是英文全称SUPER HIGH VISION的首字
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台积电 结盟交大柏克莱
晶圆代工龙头台积电昨（20）日宣布与交大、加州柏克莱大学共同成立「国际顶尖异质整合绿色电子研究中心」，将研发以三五族（如砷化镓）为介质，与逻辑晶圆的矽进行整合，让行动装置更节能、更省电。 随着晶圆线宽
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两相步进电动机驱动系统电路
两相步进电动机驱动系统电路
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单片机开发板是什么?
单片机开发板是什么呢?简单来说，它是指集成了许多单片的外围器件,如LED 灯,数码管,按键,行列式按键,步进电机,伺服电机,液晶显示等等用来学习,实验,开发等使用的板子，是一种实验设备(单片机编程)。单片机开发板是在
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什么是TTL电平、CMOS电平？区别？
什么是ttl电平TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技
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数字隔离器高压可靠性测量
工艺流程和设备的详细展示用于表征我们数字隔离器的长期可靠性，以及他们如何在关键的安全能力方面超越光电耦合器。对于初次使用，设计人员可以在现有电路中使用引脚兼容的基于CMOS的隔离器替换光电耦合器，该基于CM
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Aptina与LFoundry携手规划CMOS成像未来
Aptina宣布与LFoundry建立牢固的战略合作关系，LFoundry在收购Micron的半导体制造工厂后将继续在意大利阿韦扎诺生产CMOS图像传感器。LFoundry带来了丰富的特种设备代工经验与客户至上的坚定理念，以此来巩固阿韦扎诺
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CMOS电平和TTL电平
CMOS电平和TTL电平：CMOS逻辑电平范围比较大，范围在3～15V，比如4000系列(4011与非门)，当5V供电时，输出高电平在4.6以上，低电平在0.05V以下;输入在3.5V以上为高电平，1.5V以下为低电平。而对于TTL芯片，供电范围在
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CMOS-IC电路
CMOS-IC电路金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CM
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一种应用于D类音频放大器的CMOS振荡器的设计
摘要：文中介绍了一种应用于低D类音频功放的CMOS振荡器结构设计，用于对音频信号的调制。振荡器采用内部正反馈的迟滞比较器设计，大大降低了电源电压和环境温度时CMOS振荡器振荡频率的影响。理论分析及仿真结果表明，
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简单的三相无刷步进电动机驱动电路
简单的三相无刷步进电动机驱动电路
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了解高速ADC的数字输出选择
要点1.高端仪表促进了更快的ADC速度和更多的通道数与密度，设计者必须评估转换器的输出格式，以及基本的转换性能。2.主要的输出选项是CMOS(互补金属氧化物半导体)、LVDS(低
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TTL电平,CMOS电平,232/485电平，OC门,OD门基础知识
1.RS232电平或者说串口电平，有的甚至说计算机电平，所有的这些说法，指得都是计算机9针串口 (RS232)的电平，采用负逻辑，-15v ~ -3v 代表1+3v ~ +15v 代表02.RS485电平 和 RS422电平由于两者均采用差分传输(平衡传输
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TTL与COMS电平,特性,比较及注意事项
1.CMOS电平：'1'逻辑电平电压接近于电源电压，'0'逻辑电平接近于0V。噪声容限很大2.TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高
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TLC5615的特点是什么？
试说明TLC5615的特点。答:10位CMOS电压输出;5 V单电源工作;与微处理器3线串行接口(SPI);最大输出电压是基准电压的2倍;输出电压具有和基准电压相同的极性;建立时间12.5μs;内部上电复位;低功耗，最高为l.75 mW;引脚
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一种采用CMOS 0．18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线
摘要：采用标准0．18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1．6 nm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μm EBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上
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CMOS和TTL电路简单介绍
1，TTL电平：输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近
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