CMOS

应用产品日益多元　CMOS/MEMS制程技术抬头

CMOS/MEMS制程技术可在单一裸晶(Die)中，同时整合MEMS感测元件与讯号处理晶片，可较现今大多数MEMS感测器采用的系统封装(SiP)设计，实现更小尺寸且更低成本的解决方案，因而有愈来愈多半导体厂开始采用，且应用产品已

CMOS基础知识

MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增

IN8510和DAC7520组成的功率电动机驱动器

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RFaxis推出纯CMOS大功率2.4GHz WLAN功率放大器

21ic讯 RFaxis, Inc.日前宣布，该公司用于无线局域网络(WLAN)应用的RFX240高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量产。RFX240是RFaxis瞄准快速增长的无线接入点(AP)、路由器、机顶盒(STB)、家庭网关、热点等无线基础设施

Alchimer与IMEC在22奈米以下先进制程进行合作

双镶嵌、矽通孔(TSV)、微机电(MEMS)与太阳能等领域湿沉积技术的领先供应商Alchimer，宣布与欧洲研究机构IMEC携手进行一项合作研发计划，为先进的奈米互连技术评估和实施铜(Cu)填充解决方案。该计划的重点将是Alchime

联电宣布与IBM共同开发10奈米CMOS制程

晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM 共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟，共同开发10纳米CMOS制程技术。联电与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订14纳米FinFET合作协议。拥有IBM的支援与know-how，联电将

Alchimer携手IMEC在22nm以下先进制程进行合作

双镶嵌、矽通孔(TSV)、微机电(MEMS)与太阳能等领域湿沉积技术的领先供应商Alchimer，宣布与欧洲研究机构IMEC携手进行一项合作研发计划，为先进的奈米互连技术评估和实施铜(Cu) 填充解决方案。该计划的重点将是 Alchi

联电宣布与IBM共同开发10奈米CMOS制程

晶圆代工大厂联电(UMC)日前与IBM共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术。联电与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订之14奈米FinFET合作协议。拥有IBM的支援与know-how，联电将

Alchimer与IMEC在22nm以下先进制程进行合作

双镶嵌、矽通孔(TSV)、微机电(MEMS)与太阳能等领域湿沉积技术的领先供应商Alchimer，宣布与欧洲研究机构IMEC携手进行一项合作研发计划，为先进的奈米互连技术评估和实施铜(Cu) 填充解决方案。该计划的重点将是 Alchi

一款新颖的节日彩灯控制电路

一款新颖的节日彩灯控制电路

联电宣布与IBM共同开发10奈米CMOS制程

晶圆代工大厂联电(UMC)日前与 IBM 共同宣布，联电将加入 IBM 技术开发联盟，共同开发10奈米 CMOS制程技术。联电与IBM两家公司此次的协议，拓展了双方于2012年签订之 14奈米 FinFET 合作协议。 拥有IBM的支援与know-

意法半导体推出更加经久耐用的EEPROM

EEPROM供应商意法半导体推出最新EEPROM系列产品。新产品保证400万次擦写操作，而竞争产品只提供100万次擦写操作。意法半导体的新产品支持更高的存储数据更新频率，延长系统在高温条件下的寿命，为设计人员带来了更大

Alchimer与IMEC在22奈米以下先进制程进行合作

双镶嵌、矽通孔(TSV)、微机电(MEMS)与太阳能等领域湿沉积技术的领先供应商Alchimer，宣布与欧洲研究机构IMEC携手进行一项合作研发计划，为先进的奈米互连技术评估和实施铜(Cu)填充解决方案。该计划的重点将是Alchime

了解高速ADC的数字输出选择

要点1.高端仪表促进了更快的ADC速度和更多的通道数与密度，设计者必须评估转换器的输出格式，以及基本的转换性能。2.主要的输出选项是CMOS(互补金属氧化物半导体)、LVDS(低

CCD时代将被CMOS终结？

近日，镁光139芯片coms板机缺货问题一度让深圳中小型企业头疼，并成为监控行业炙手可热的话题。近年来，CCD和CMOS为争夺感光芯片市场份额一直暗暗较量着，而近日的“139芯片”风波使两者的较量进入白热化阶

RFaxis发布纯CMOS 5GHz 802.11ac Wi-Fi RFeIC产品

21ic讯 RFaxis, Inc日前宣布，该公司已获专利的射频前端集成电路(RFeIC)产品组合中的多款新产品即将投入量产。RFX8051x和RFX8050x系列RFeIC将于2013年第三季度大量出货。这些独一无二的单芯片/单硅片RFeIC采用业内最

联电、IBM 携手10纳米CMOS

联电与IBM昨（13）日共同宣布，联电将加入IBM技术开发联盟共同开发10nm(纳米）CMOS制程技术。 联电表示，将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼（Albany, New York）的10纳米研发计划，而联电14纳米FinFET与

富士松下成功研发全新格式的有机CMOS影像感应技术

根据众多国外媒体报道，日本富士与松下在官方上发布消息，共同宣布了全新格式的有机CMOS影像感应技术获得成功研发。技术结构分析图据悉，这种技术具备了独特的优势。它使用的有机光电转换层取代传统的矽光电二极管、

夏普推进IGZO量产氧化物半导体备受关注

本文是以高竞争率著称的IEDM（International Electron Devices Meeting，国际电子元件会议）的回顾。在2012年12月于美国举行的“IEDM 2012”上，被采用的4篇论文中，有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si（硅）

用光电隔离器构成的CMOS接口电路