CMOS

关注408人关注

我要报错

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

PIC硬件死锁问题

PIC硬件死锁问题

嵌入式软件
2013-02-20

PIC 硬件单片机 CMOS
Diodes扩充通用低压CMOS逻辑系列

21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 继续扩展其标准逻辑产品线，为四大系列的高速CMOS器件带来更多封装选择。这些四路及六路配置的HC、HCT、AHC与AHCT系列逻辑器件采用SO14和TSSOP14封装，提供十项最常用的逻辑

模拟
2013-02-18

低压 HC DIODES CMOS
半导体应用不断扩大，下个目标是人体

对于已经开辟出多种用途的半导体技术来说，尚未开拓的应用领域之一就是人体。可模仿大脑活动进行灵活的运算处理，或者由芯片刺激神经以抑制疾病的发作——这类与人体相关的技术开发越来越活跃。通过固体元件制作神经

半导体
2013-02-03

半导体元件 RAM CMOS
最新一代CMOS和CCD图像传感器

　最新一代CMOS和CCD图像传感器具有更大的频谱宽度、更高的灵敏度、更低的工作噪声和更小的外形尺寸。更先进的制造工艺还实现了更低的成本。此外，创新架构也正在给电路设计带来更大的灵活性和通用性。　　其结果是，

工业控制
2013-01-22

CMOS图像传感器 CCD图像传感器 TIMES CMOS
台积电估Q1营收仅减1-3%，毛利率43.5-45.5%

台积电(2330)今(17日)召开法说会，台积电财务长何丽梅表示，因市场对台积产品的需求高于预期，去年Q4的成绩超乎财测，尤其是CMOS和基频晶片等通讯需求续强，成为各应用别中唯一逆势成长者。而今年Q1 半导体的库存天

模拟
2013-01-17

通讯台积电 EPS CMOS
CMOS型555电路内部电路

CMOS型555电路内部电路

基础实用电路
2013-01-11

555电路 CMOS
通讯晶片测试放缓，京元电/矽格上月营收降

测试厂京元电 (2449)、矽格 (6257)双双公布12月营收，时逢电子业传统淡季，再加上季底通讯晶片客户需求有放缓迹象，导致京元电与矽格的12月营收均较11月有所下滑，但都比前年同期成长；累计2012全年，受惠于行动通讯

模拟
2013-01-08

通讯晶片测试机 CMOS
中科院宣布成功开发22nm MOSFET

中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得进展，成功制造出高K金属闸MOSFET 。中科院指出，中国本土设计与制造的22nm元件展现出更高性能与低功耗。根据中科院微电子研究所积体电路先导工艺研发？？

消费电子
2012-12-30

元件 MOSFET 中科院 CMOS
DI CON盛会3月登陆北京

由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波杂志》主办的EDI CON(电子设计创新会议)将于2013年3月12~14日首次登陆北京，在北京国际会议中心隆重举行。 EDI CON是为开发当今的通信、计算、RFID、无线、导航、

消费电子
2012-12-29

半导体电子设计高速数字设计 CMOS
京元电明年资本支出增3成

测试大厂京元电子（2449）昨（24）日召开董事会，决议明年资本支出将拉高到49.89亿元，较今年的38亿元增加约31％，主要将用来购置机器设备，以及兴建苗栗铜锣科学园区新厂。京元电董事长李金恭对明年景气看法乐观，库

模拟
2012-12-25

影像传感器芯片测试驱动IC CMOS
中芯国际背照式成像传感技术取得突破

中芯国际宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶

模拟
2012-12-24

中芯国际晶圆代工传感技术 CMOS
阅读秘书／FinFET

3D鳍式晶体管（FinFET）是新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管技术。相较于传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一侧来控制，属于平面式的结构；3D FinFET的闸门，是类似鱼鳍般的三面立体式的设计，能大

模拟
2012-12-22

晶体管闸门 FINFET CMOS
中芯国际背照式CMOS成像传感技术研发取得突破进展

中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际")，昨日宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式 CMOS 成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国

工业控制
2012-12-21

中芯国际晶圆代工传感技术 CMOS
中芯国际背照式成像传感技术取得突破

上海2012年12月20日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司( http://www.smics.com )（"中芯国际"，纽约证交所代码：SMI，香港联交所代码：981），中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，今天宣布在背照式

模拟
2012-12-21

中芯国际晶圆代工传感技术 CMOS
英特尔展望微细化极限和后CMOS

英特尔在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶体管的微细化持续至极限水平所需要的要素技术、相关课题以及后CMOS器件技术（论文编号：8.1）。要想使CMOS晶体管的微细化能够持续发展至极限水平，抑制短沟效应、导入高迁移率

模拟
2012-12-17

英特尔 BORDER CMOS器件 CMOS
Avago推出28nm CMOS 100G以太网/OTN物理层产品

21ic讯 Avago Technologies今天宣布推出支持以太网和光传送网(Optical Transport Networking, OTN)的新Vortex Gearbox™系列物理层(PHY)产品，器件采用Avago经验证的28nm CMOS SerDes串行/解串器技术，符合IEE

通信技术
2012-12-13

以太网 OTN AVAGO CMOS
东芝推出新系列CMOS多功能门逻辑集成电路

21ic讯东芝公司推出了新系列的CMOS多功能门逻辑器件，支持5V系统，并采用了小型封装，适用于移动电话、智能手机、平板电脑、数码相机和数码摄像机等移动设备。多功能门逻辑集成电路让用户能够根据输入信号的处理状态

模拟
2012-12-12

集成电路东芝封装 CMOS
中科院微电子所在22纳米CMOS技术研发上取得突破性进展

近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFET，器件性能良好，达到国内领先

消费电子
2012-12-11

金属微电子中科院 CMOS
什么是三维微电子机械系统（3D MEMS）？

微机电 (MEMS) 技术在电子产品中的地位愈来愈重要，不论是在汽车、工业、医疗或军事上需要用到此类精密的元器件，在信息、通讯和消费性电子等大众的市场，也可以看到快速增长的MEMS应用。 MEMS本质上是一种把微型机

工业控制
2012-12-07

组件微电子机械系统 MEMS CMOS
各厂商争打组合拳助推MEMS市场

MEMS是将微电子和机械结合在一起的一种技术，它的出现已有几十年，但其真正发展是从二十世纪九十年代开始。而最近几年间，MEMS的发展可用“迅猛”来形容。市场调研公司Yole Developpement的研究报告指出，2012年全球

消费电子
2012-12-07

意法半导体三轴加速度计 MEMS CMOS

首页上一页 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 下一页尾页

ljhtj
826318230
keigo2008
xiahuan1130
雪山飞狐D
yygdzjs
mxt93r
sunspnet
eagle0
fastar01
lidahai123456
linxi6414
zw60606019
wyaj
whuhustwit
bjstar
lydzzhx
森与海巷
shaoye7031
zhangcw321

CMOS

PIC硬件死锁问题

Diodes扩充通用低压CMOS逻辑系列

半导体应用不断扩大，下个目标是人体

最新一代CMOS和CCD图像传感器

台积电估Q1营收仅减1-3%，毛利率43.5-45.5%

CMOS型555电路内部电路

通讯晶片测试放缓，京元电/矽格上月营收降

中科院宣布成功开发22nm MOSFET

DI CON盛会3月登陆北京

京元电明年资本支出增3成

中芯国际背照式成像传感技术取得突破

阅读秘书／FinFET

中芯国际背照式CMOS成像传感技术研发取得突破进展

中芯国际背照式成像传感技术取得突破

英特尔展望微细化极限和后CMOS

Avago推出28nm CMOS 100G以太网/OTN物理层产品

东芝推出新系列CMOS多功能门逻辑集成电路

中科院微电子所在22纳米CMOS技术研发上取得突破性进展

什么是三维微电子机械系统（3D MEMS）？

各厂商争打组合拳助推MEMS市场

相关标签

关注此标签的用户(408人)

热门活动

课程视频