CMOS
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成像感应器厂家瑞萨电子或被索尼收购
随着智能手机和平板电脑需求的不断增长，市场对于成像感应器的需求也是越来越高。据Techno Systems Research的预计，全球CMOS感应器市场的规模将在未来5年增长60%，达到122.8亿美元。为了提高成像感应器的产量，近日
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TD-LTE时代来临 开启半导体厂商新战场
【导读】中国大陆TD-LTE手机市场战火快速延烧。中国大陆政府即将对叁大电信商释出TD-LTE牌照，激励品牌厂加码投入TD-LTE手机研发，因此基带芯片商及功率放大器等业者，皆已展开供应链抢单大战，卡位TD-LTE市场商机。
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电路中7个常用接口类型之要点说明
我们知道，在电路系统的各个子模块进行数据交换时可能会存在一些问题导致信号无法正常、高质量地“流通”，例如有时电路子模块各自的工作时序有偏差(如CPU与外设)或者各自的信号类型不一致(如传感器检测光
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图像传感器大PK：CMOS较量CCD
图像传感器包括CCD与CMOS两种。其中，CCD是“电荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的简称，CMOS是“互补金属氧化物半导体”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的简称。CCD是1970年美国贝尔实验室的W·B·B
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CMOS的555（ICM7555）构成的定时电路b
CMOS的555（ICM7555）构成的定时电路b
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CMOS的555（ICM7555）构成的定时电路a
CMOS的555（ICM7555）构成的定时电路a
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备忘录：国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告（11月15日）
国家知识产权局今日在网上公布了《集成电路布图设计专有权公告(2013年11月15日)》，布图设计专有权就是布图设计的创作人或者其他权利人对布图设计所享有的权利，具体来说，就是指国家依据有关集成电路的法律规
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研究人员开发出整合III-V族与矽材料的3DFinFET半导体
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化合物
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新开发FinFET整合III-V族与矽材料
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着
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研究人员开发出整合III-V族与矽材料的3DFinFET半导体
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化合物
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IMEC新开发整合III-V族与矽晶的3D FinFET半导体
讯：比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS 至7nm 及其以下，以及实现混合CMOS-RF 与CMOS 光电元件的化
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新开发FinFET整合III-V族与矽材料
比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3D FinFET 化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩 CMOS 至 7nm 及其以下，以及实现混合 CMOS-RF 与 CMOS 光电元件的化
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国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告（11月8日）
讯：11月8日，国家知识产权局公布了《集成电路布图设计专有权公告(2013年11月8日)》，据悉，世界知识产权组织于1989年5月通过了《关于集成电路的知识产权条约》。以下是国家知识产权局《集成电路布图设计专有权
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模拟计数器电路图
如图所示，这个简单的电路在电平检测器中使用一个LM311，并且用一个CMOS模拟电门来释放电容。这种计数器的一大特点就是数可以改变。只有当比较器运行地较快时才需要改变电压的大小。用相同的道理可以设计出一个价格便
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Vishay发布采用新工艺的高性能CMOS模拟开关
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出
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Vishay发布采用新工艺的高性能CMOS模拟开关
器件导通电阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低导
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FD SOI与FinFET的先进节点之战
FD SOI（全耗尽型SOI）最近重新进入业界关注的焦点。Intel、TSMC等企业已决定在22、14nm节点走向FinFET之路；而作为FD SOI技术的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，认为在先进节点上FD SOI
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新日本无线推出超低功耗CMOS运放NJU77806
新日本无线推出的这款单电路轨至轨输出的CMOS运放 NJU77806 的独特之处是同时具有业界最低噪声 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 两种特性，还备有良好的宽带特性 (GBP=4.4MHz) 和强RF噪声
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浅析CMOS电路
CMOS问世比TTL较晚，但发展较快，大有后来者居上、赶超并取代之势。1、组成结构CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写，它由绝缘场效应晶体管组成，由于只有
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ULN2003和ULN2004有哪些区别？
ULN2003和ULN2004有哪些区别?这个ULN2003A和ULQ2003A有2.7 -kΩ系列为每个达灵顿基地电阻对操作直接与TTL或5 v CMOS设备。这个ULN2004A和ULQ2004A有10.5 -kΩ系列基础电阻器允许操作直接从CMOS设备使用供应
