CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。

CMOS摄像机,什么是CMOS摄像机

CMOS传感器的感光度一般在6到15Lux的范围内，CMOS传感器有固定比CCD传感器高10倍的噪音，固定的图案噪音始终停留在屏幕上好像那就是一个图案，因为CMOS传感器在10Lux以下基本没用，因此大量应用的所有摄像机都是用了

数字电源
2012-06-23

CMOS 摄像机 CMOS传感器半导体
OLEDoS技术的发展趋势与应用

以CMOS制程制造具备OLED发光源，以及可看透的半透明型的双向微型显示器，除了应用在驾驶的导航资讯提供、军事的追踪目标之外，也能运用作为微型投影的应用。来自德国Fraunhofer IPMS光电微系统研究所，所进行的HYPOL

显示光电
2012-06-21

OLED IP DOS CMOS
2013年AMD或将启用28nm CMOS芯片制造工艺

6月19日消息，据媒体报道，AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变

消费电子
2012-06-20

AMD GPU 芯片制造工艺 CMOS
2013年AMD或将启用28nm CMOS芯片制造工艺

6月19日消息，据媒体报道，AMD公司高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生产工艺将有重大变化，将完全从现有的SOI制造工艺切换到28nm Bulk CMOS工艺。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改变

消费电子
2012-06-20

AMD GPU 芯片制造工艺 CMOS
图像传感器CMOS和CCD优劣势的对比分析

据悉，随着数字网络摄像机的发展和普及，图像传感器正逐渐从CCD独大向CCD和CMOS并举的态势转变。先不去探讨此观点的正确性，下面笔者先参照上文中提及的图像传感器技术指标，来具体比较CCD和CMOS两者的优劣势。据苏州

工业控制
2012-06-20

图像传感器 CCD CMOS
OLEDoS技术的发展趋势与应用

以CMOS制程制造具备OLED发光源，以及可看透的半透明型的双向微型显示器，除了应用在驾驶的导航资讯提供、军事的追踪目标之外，也能运用作为微型投影的应用。来自德国Fraunhofer IPMS光电微系统研究所，所进行的HYPOL

电源-LED驱动
2012-06-18

OLED IP DOS CMOS
IMEC探讨10nm以下制程的不同 CMOS技术将持续微缩

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

模拟
2012-06-12

ST GEN FINFET CMOS
联电与星国微电子开发CMOS影像感测器TSV技术

联华电子与新加坡科技研究局旗下的微电子研究院今天宣布，将合作进行应用在背面照度式CMOS影像感测器的TSV技术开发，透过这项技术，包括智慧手机、数位相机与个人平板电脑等行动电子产品，里面所采用的数百万像素影像

工业控制
2012-06-08

感测器微电子影像 CMOS
IMEC探讨10nm以下制程变异，CMOS技术将持续微缩

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

工业控制
2012-06-08

ST GEN CMOS
一种新型高速CMOS全差分运算放大器设计

摘要：设计了一种基于流水线模／数转换系统应用的低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构与一种新型连续时间共模反馈电路相结合以达到高速度及较好的稳定性。设计基于SMIC 0．25μm CM

模拟
2012-06-08

运算放大器放大器设计 BSP CMOS
IMEC探讨10nm以下制程变异

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

消费电子
2012-06-08

ST GEN FINFET CMOS
联电与新加坡合作开发新一代CMOS影像感测器TSV技术

联华电子(UMC，以下简称联电)与新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research，A*Star)旗下之微电子研究院(Institute of Microelectronics，IME)日前共同宣布，双方已协议合作进行应用于背面照度式

模拟
2012-06-08

感测器影像新加坡 CMOS
驱动容性负载的动态功耗分析

逻辑电路每一次跳变，都要消耗超过它正常静态功耗之外的额外的额外功率。当以一个恒定速率循环时，动态功耗等于功耗=周期频率*每个周期额外的功率动态功耗最常见的两个起因是负载电容和叠加的偏置电流。图2.2说明了驱

模拟
2012-06-06

电阻驱动电路 BSP CMOS
IMEC探讨10nm以下制程变异

在可预见的未来，CMOS技术仍将持续微缩脚步，然而，当我们迈入10nm节点后，控制制程复杂性和变异，将成为能否驱动技术向前发展的关键，IMEC资深制程技术副总裁An Steegen在稍早前于比利时举行的IMEC Technology Foru

模拟
2012-06-06

ST GEN FINFET CMOS
联电携手新加坡IME开发TSV技术CMOS应用

联电(2303-TW)(UMC-US)与新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research)旗下微电子研究院(Institute of Microelectronics, IME)今(5)日共同宣布，双方已协议合作进行应用于背面照度式CMOS影像感测器

模拟
2012-06-05

联电影像新加坡 CMOS
采用CMOS双D触发器CD4013的脉冲宽度检测电路设计

D触发器的常规使用一般是用作二分频器、计数器或移位寄存器。然而，只要对D触发器的外围电路加以改进，根据其基本逻辑功能。就可充分发挥其独特的作用。数字装置中常用的脉冲宽度检测电路，对脉冲信号的宽度进行识别

消费电子
2012-06-01

电路设计脉冲宽度双D触发器 CMOS
高线性度CMOS调幅电路技术介绍

引言本文采用±5V电源，设计出了一种以模拟乘法器为核心电路的输出信号与控制电压成高线性度的电路，并且实现了单端控制和单端输出。它在锁相环、自动增益控制、正弦脉宽调制(SPWM)、模拟运算等方面有着很好

模拟
2012-06-01

电路技术线性调幅电路 CMOS
3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

超带宽UWB(Ultra-Wideband)技术具有抗干扰能力强、传输速率高、带宽极宽、功耗传输低等优势，近年来已成为国内外的研究热点，并在短距离传输、高速无线LAN和成像处理等领域得到了广泛应用[1]。不论在传统的无线接收结

通信技术
2012-06-01

超宽带低噪声放大器放大器设计 CMOS
爱德万测试与惠瑞捷联姻后，V93000、T2000产品再升级

2011年，日本爱德万测试公司以11亿美元的高额交易价收购了惠瑞捷公司，这无疑是半导体测试领域的头等大事，此次联姻也将爱德万测试在原本的存储器测试领域的优势扩展到SoC领域，产品线也更加全面与多元化，更具规模与

测试测量
2012-05-24

SoC 测试方案半导体测试 CMOS
手机相机采用CCD和CMOS的利与弊

CCD是电荷耦合组件（ChargeCoupledDevice）的简称，它内部的半导体材料能把光线转变成电荷，转换成数字信号压缩以后保存起来就变成我们存储卡中的照片了，中间的过程非常复杂，在这里我们不再详解。CCD就像传统相机的

测试测量
2012-05-22

相机 CCD CMOS

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CMOS

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OLEDoS技术的发展趋势与应用

2013年AMD或将启用28nm CMOS芯片制造工艺

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