CMOS

CMOS与晶体三极管接口电路

CMOS与晶体三极管接口电路

CMOS高电平驱动电路

CMOS高电平驱动电路

CMOS-发光二极管LED的接口

CMOS-发光二极管LED的接口

CMOS低电平驱动电路

CMOS低电平驱动电路

CMOS-TTL接口电路

CMOS-TTL接口电路

CMOS-PMOS接口电路

CMOS-PMOS接口电路

CMOS-NMOS接口电路

CMOS-NMOS接口电路

CMOS-HTL接口电路

CMOS-HTL接口电路

CMOS电压反转器MAX660电路图

CMOS电压反转器MAX660电路图

有感于十年模拟应用设计生涯

一位院里的兄长数年前告知，想成为模拟高手必须先学好童诗白老爷子的《模拟电子技术》，再学习一下《网络综合》，把这两本 书联系起来，看到任何电路问题是都能先很容易写出传递函数再去解决问题。 在此基础上多去

Imec和Coventor在MEMS和IC设计与制造领域展开合作

领先的MEMS设计供应商Coventor和纳电子研究中心imec共同宣布战略合作，以改善和拓展CMOS和MEMS集成技术的设计与制造。合作将包括双方研发路线的统一，及研究内容的互补。双方将共同为imec的SiGe MEMS-above-IC工艺开

Black Sand推出首个3G CMOS功率放大器产品系列

鉴于GaAs功率放大器（PA）技术长期存在的供应短缺和成本构成更高的问题，移动设备制造商们正在寻求一种能替代GaAs功率放大器技术的产品。在射频功率放大器领域，存在工艺之争，包括主流的GaAs，欲取而代之的SiGe和CM

采用噪声消除技术的3～5 GHz CMOS超宽带LNA设计

本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工艺,设计了可以工作于3～5 GHz频段的超宽带低噪声放大器。对电路的输入匹配和增益进行了分析,对噪声消除技术进行了推导。仿真结果表明,该放大器在工作频带内的各项指标满足超宽带系统应用。

瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术

瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术（图1）。该项技术面向28nm工艺以后的产品，瑞萨电子将把该工艺的SoC（SystemonaChip）生产全面委托给代工企业。瑞萨电子计划通过该项技术，

CEA-Leti将启动专门用于三维积层技术的300mm研发生产线

法国研究机构CEA-Leti于2011年1月19日（当地时间）宣布，将在本月内启动专门用于三维积层技术研发和试制的300mm生产线。该机构表示，构建专门用于三维积层技术的研发生产线“在欧洲尚属首次”。 据悉，此次生产线

联电CMOS-MEMS技术研发有成　预计今年量产

晶圆代工大厂联华电子(UMC，联电)日前宣布成功为客户产出微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感测器晶片，预计于今年进入量产；该公司表示其三年来投入 CMOS-MEMS 技术的研发，终于获得丰硕的成果。

联电MEMS感测芯片　迈入量产

晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性

首个3G CMOS功率放大器产品系列(Black Sand)

Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出两条新的3G CMOS射频功率放大器(PA)产品线，它们显著地提升各种手机、平板电脑和数据卡的可靠性和数据传输量。该产品系列包括6个特别的、覆盖多个频段的功率放大器。其BS

高增益高线性度CMOS偶次谐波混频器设计

混频器是无线收发机中的核心模块， 对整个系统的性能具有很大影响。线性度、转换增益是衡量一个混频器性能的重要指标。 在接收机中， 混频器具有一定的转换增益可以降低混频器后面各级模块设计的难度， 有利