CMOS

联电MEMS感测芯片成功产出

晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性

联电MEMS感测芯片　迈入量产

晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性

联电成功产出CMOS-MEMS感测晶片

联电(2303)今(19)日宣布成功产出微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感测晶片，预计于今年进入量产，投入约3年的CMOS-MEMS技术的研发，终于开花结果。 联电表示，使用该款CMOS-MEMS技术制造的麦克

用CMOS电路构成的非编码触摸键盘

法国研究机构CEA-Leti提升三维芯片封装能力

法国研究机构CEA-Leti最近开始提升其三维芯片封装的生产能力，CEA-Leti在Grenoble 有一条300 mm 的CMOS 研发型生产线，目前专门用于三维芯片封装的试验。CEA-Leti 称他们已经可以向客户提供 200 和 300 mm 晶圆的多种

苏州固锝收购明锐光电 获130项物联网专利

苏州固锝今日公告，2010年12月30日，公司和探微科技股份有限公司在香港签署了《关于MiradiaInc.(明锐光电股份[43.170.30%]有限公司)全部股权的转让协议》，拟以360万美元(约2400万元人民币)，收购明锐光电100%的股权

抢CMOS MEMS商机　矽创加速度计将上市

互补式金属氧化物半导体制程的微机电系统(CMOS MEMS)因能整合多元化功能，故掀起市场热潮，国内不仅台积电、联电两大半导体龙头竞相投入研发，不少晶圆代工、MEMS厂商也对此市场亦跃跃欲试，日前，矽创电子即证实将

基于CMOS双D触发器CD4013的脉冲宽度检测电路设计

D触发器的常规使用一般是用作二分频器、计数器或移位寄存器。然而，只要对D触发器的外围电路加以改进，根据其基本逻辑功能。就可充分发挥其独特的作用。数字装置中常用的脉冲宽度检测电路，对脉冲信号的宽度进行识别

鑫创抢推高整合CMOS MEMS麦克风

为力抗国外大厂如楼氏(Knowles)，鑫创继2010年10月发表互补式金属氧化物半导体制程的微机电系统(CMOS MEMS)麦克风后，著眼于类比MEMS麦克风干扰多，遂使笔记型电脑、手机对于数位化MEMS需求升温，预计2011年第四季将

Sony宣布买回东芝半导体工厂 增产CMOS感测器

Sony24日于日股收盘后发布新闻稿宣布，已与东芝(Toshiba)签署了基本合意书，将自东芝手中买回位于长崎县的半导体工厂；之后双方并将于今年度内(2011年3月底前)签署正式契约，并预计于2011年度初期实施买回动作。据外

媲美MEMS IDM　台商力拚CMOS MEMS

不让欧、美微机电系统(MEMS)业者专美于前，国内台积电、联电两大半导体龙头，以及其他MEMS厂商正戮力开发补式金属氧化物半导体 (CMOS)MEMS，期能透过晶片商上、中、下游的合作，与国外整合元件制造商(IDM)并驾齐

鑫创MEMS麦克风，明年7月量产

鑫创（3259）看好微机电（MEMS）麦克风市场，历经3年研发，今年10月推出CMOS MEMS麦克风，目前已进入推广期，市场传出，鑫创MEMS麦克风预计明年元月将送样客户认证，预计7月量产。 鑫创日前表示，MEMS麦克风相较传统

新型磁传感器MMC214 MMC3140

型号：MMC214 MMC3140 公司：美新半导体（无锡）有限公司 英文名称：MEMSIC Semiconductor (WUXI) Co., Ltd. 芯片概述 新型MEMS磁传感器广泛用于移动消费类电子产品（如手机）与汽车电子、工业应

电磁兼容性的设计与测量

1、主要技术参数电磁兼容性的设计是一项复杂的系统工程。首先要学习并掌握有关标准及规范，然后参照实际电磁环境来提出具体的要求，进而制定技术和工艺的实施方案。在设计电子仪器、设备时。应重点考虑电路设计、隔离

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

摘要 分析了E类功放的非理想因素，其中着重分析寄生电感对系统性能的影响，采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术，采用0．18μmCMOS工艺，设计出高效率的差分E类

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议

15nm工艺CMOS将如何发展？

在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”开幕前一天的2010年12月5日，举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻

意法半导体等利用65nm晶圆分析TSV对CMOS电路的影响

法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学（Universite de Savoie）及意法半导体（STMicroelectronics）共同分析了在带有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV（硅贯通孔）时，TSV对CMOS电路特性的影响（演讲编号：35.1）。以利

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

三星主题演讲:通过导入新技术，硅CMOS可延长至10nm以下工艺

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 半导体制造技术国际会议“2