CMOS半导体技术将在2024年7nm制程时代面临窘境,而石墨烯可望脱颖而出,成为用来取代这项技术的最佳选择──这是根据近日于美国加州举行的IEEE定制积体电路大会(CICC)一场专题演讲上所发表的看法。「石墨烯已经展现出
南韩专业于研发制造数位类比讯号产品的半导体大厂美格纳,今宣布将提供三重电压制程来整合晶片外的高压电路至标准双匣极制程以应用于高效能混合讯号产品。该三重电压制程之创举为:将不需额外加层的CMOS电晶体设计嵌
21ic讯 IDT 公司日前宣布,推出全球首个支持苛刻的 5Gbps 超高速控制器应用要求的新器件系列,扩展了IDT 在 CrystalFree CMOS 振荡器产品线的产品组合。新系列的IDT CMOS 振荡器符合所有的超高速 USB 3.0 规格,包括
手机高级功率放大器解决方案的新领军人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窝手机用 CMOS 发射模块,该模块是世界上最经济的高性能模块。利用体效应互补金属氧化物半导体工艺自身的可扩展性,Adaptiv
CCD和CMOS是当前主要的两项成像技术,它们产生于不同的制造工艺背景,就当前技术言仍各具优劣。选择CCD或CMOS摄像机应依据适用环境和要求,合适选用CCD或CMOS技术,便能使图像监控达到预期的效果。另外,还可看到,C
摘要:利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案,使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路,在此基础上设计输入输出匹配网络
摘要:传统基准电路主要采用带隙基准方案,利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT
晶圆代工厂7月份营收,台积电(2330)、世界(5347)小幅攀升,联电(2303)下挫,整体来看,第三季因为库存去化持续进行,产能利用率降至低点,营收、获利均会有明显减幅。而市场关心的是,第四季是否能顺利反弹回升,达到
晶圆代工厂联电(2303)及世界先进(5347)昨(9)日公告7月营收,联电因晶圆出货量下滑,7月营收88.09亿元,较6月减少4%,世界先进则因受惠于CMOS影像传感器订单转强,7月营收13.85亿元,月增率约2%。 台积电今
韩国芯片代工厂Dongbu日前宣布,中国客户比亚迪微电子的130纳米CMOS影像处理器开始进入量产。比亚迪微电子是深圳比亚迪公司的子公司,该公司在宁波有一个6英寸芯片厂,主要生产模拟电子产品。比亚迪的CMOS影像处理器
韩国芯片代工厂Dongbu日前宣布,中国客户比亚迪微电子的130纳米CMOS影像处理器开始进入量产。比亚迪微电子是深圳比亚迪公司的子公司,该公司在宁波有一个6英寸芯片厂,主要生产模拟电子产品。比亚迪的CMOS影像处理器
摘要:片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点,电路采用SMIC0.35-μmCMOS工艺设计2.4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大
摘要:片上系统射频功率放大器是射频前端的重要单元。通过分析和对比各类功率放大器的特点,电路采用SMIC0.35-μmCMOS工艺设计2.4 GHz WLAN全集成线性功率放大器。论文中设计的功率放大器采用不同结构的两级放大
图1中电路会根据一个脉冲,切换一个DPDT(双刀双掷)锁存继电器的状态。它包括一个瞬动开关至步进电压信号发生器,一个差分脉冲转换器,一个继电器驱动器,以及一个继电器线圈。 瞬动开关提供驱动电路的步进电压信
摘要:设计了一种基于0.25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点,补偿误差放大器输出极点的方法,避免了为补偿LDO输出极点,而需要大电容或复杂补偿
21ic讯 Fox Electronics Asia Ltd.现推出全新 F100 HCMOS 系列小占位面积、低耗电量振荡器产品,適用于小型便携设备。该系列振荡器备有1.8V (F110系列)、2.5V (F140系列) 和3.3V (F130系列)三种选择,频率范围在1.0M
7月10日,北京思比科微电子董事长陈杰在东莞松山湖IC创新高峰论坛上透露,公司已于去年12月完成公司股份制改造,现已进入创业板辅导流程。陈杰称,公司于去年10月成功开发出1200万像素单反相机CMOS图像传感芯片,今年