据iSuppli公司,12月DRAM价格继续下降,跌势不止,经过几个月的大幅下滑,价格已降到年内最低水平。12月10日,2GB DDR3 DRAM模组合同价格为21.00美元,比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3价格下跌,DDR2同样跌
2010年12月下旬DRAM的合约价格持续重挫,其中2GB容量DDR3模块的价格下跌10%,平均售价跌破20美元,低价来到17美元价格,相较于2010年上半DRAM缺货高峰期,2GB容量DDR3模块价格较当时的价格已下跌超过50%,市场预期供
泰科电子(TE)按照JEDEC工业标准推出了新型超低型VLP (very low-profile)第三代双倍数据速率(DDR3)双列直插式?存模组(DIMM)插槽。 该产品最高卡扣高度为16毫米,进而减小了插槽的总高度,加上双列直插式
DDR3存储器接口控制器IP核在视频数据处理中的应用
11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%,让市场笼罩在乌云密布的气氛当中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%,1Gb DDR3报价掼破1.3美元;DRAM业者则表示,1Gb DDR3 eTT价格单日大跌超过7%,其实只是以补跌来
全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机,虽然2010年上半年在供给不足的情况下,DRAM报价达到顶峰,但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺,加上DRAM产业供给端大量产出,使得DRAM价格再度面临崩盘窘境,时至
S2C公司宣布S2C的客户现在可以购买工作在S2C第四代S4 TAI Logic Module上的DDR2和DDR3原型就绪IP。该IP允许用户在S2C基于Altera Stratix IV的FPGA原型硬件运行即开即用的2G DDR2到533Mbps,2G DDR3到800Mbps。FPGA上
采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽,工作电压低至1.5V,因此功耗小,存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快,容量更大,单位比特的功耗更低,但问
集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange调查,全球DRAM产业第3季营收数字达108亿美元,虽然DRAM总产出量季成长15%,但在第3季合约价跌幅超乎预期拖累,相较于上季营收104亿美元,仅微幅成长约3.4%。而在全球市占上,韩系D
南亚科和华亚科20日将打头阵召开法说,然力晶却抢先公布第3季财报,税后获利19.36亿元,若加计瑞晶获利,第3季获利可望逼近30亿元;南亚科和华亚科则因为50奈米制程转换,产出不如预期,加上DDR3价格慢性崩盘,使得2
DRAM大厂力晶科技(5346)昨(18)日公布今年第3季不含转投资瑞晶之自行结算财务报告,第3季营收达250.24亿元,毛利率达17.35%,每股净利达0.34元,而总结今年前3季营收达675.42亿元,税后净利达122.39亿元,每股净
据相关消息保奥:近日,1Gb DDR3芯片平均现货价格已跌至1.99美元,另外同规格eTT芯片价格也仅为1.74美元。依此趋势,年底时1Gb DDR3芯片价格有可能跌至1美元左右,远低于一些厂商的成本价。 据相关报道,使用
据HKEPC网站报道,市调机构DRAMeXchange指出, 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调, DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口, DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元,跌幅约为5.5% ,而低位更曾经下试33美元新低水平,第
三星刚刚公布其量产8GB DDR3笔记本内存模组的消息,根据计划,三星将为笔记本和移动工作站生产SODIMM接口内存模块,该模块基于40纳米制程,1333MHz频率,1.5V电压,比上一代4GB DDR3模组节电53%,比1.8V DDR2节电67%
韩国电子时报报导,DRAM价格在15天内暴跌10%,1GbDDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值,不只三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix),设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计,1GbDDR
韩国电子时报报导,DRAM价格在15天内暴跌10%,1Gb DDR3价格恐将跌至2美元线。价格跌落幅度超过预测值,不只三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix),设备业者也感到相当紧张。据市调机构DRAMeXange统计,1Gb
赛普拉斯半导体子公司AgigA技术公司日前宣布,推出业界最高存储密度的DDR3解决方案,成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存
赛普拉斯半导体公司的子公司AgigA技术公司日前宣布,推出业界最高存储密度的DDR3解决方案,成为其无需电池供电的高速非易失性RAM系列产品中新的一员。AGIGARAM™非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8
惠瑞捷全新的 HSM3G 高速内存测试解决方案为 DDR3、DDR4和更高级的内存提供了低廉的测试成本平价的升级提供了未来三代设备多代发展路径 惠瑞捷 (Verigy)(纳斯达克代码:VRGY)推出了全新的 HSM3G 高速内存测试解
近2年DRAM价格的高点都出现在上半年,下半年虽然有传统旺季的加持,但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势,除了是全球经济局势变量太多,各厂力拼制程微缩,拼命转进新制程以增加产出,也是因素之一;目前各界认为,20