日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战,在三星电子(SamsungElectronics)于3月底,宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后,日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4GbDDR3芯片正式问世,不但采40奈米制程生产,未来也将
内存产业景气大好,封测厂订单能见度看到第3季,显示客户需求依旧畅旺,力成科技、华东科技和福懋科技等主要封测厂对第3季乐观以待。其中力成和华东为解决产能紧俏的问题,先后购置大楼或厂房,以因应未来客户订单需
内存封测3雄力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)等相继公布3月营收,普遍较2月成长。由第1季营收来看,基本上与去年第4季持平,淡季不淡效应明显,第2季因国内DRAM厂力晶、南科、华亚科等DDR3比重拉升,法人
据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称,30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。 三星称,2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片
据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称,30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。 三星称,2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内
在DRAM市场的历史上,2009年初可能是最黑暗的时期之一,当时厂商能活下来就不错了。 但是,继春季温和复苏之后,DRAM供应商的黑暗日子结束,夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨,营业
在DRAM市场的历史上,2009年初可能是最黑暗的时期之一,当时厂商能活下来就不错了。 但是,继春季温和复苏之后,DRAM供应商的黑暗日子结束,夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨,营业收入也水
动态随机存取内存(DRAM)厂力晶半导体自结 3月营收达新台币68.46亿元,较2月增加24%,较去年同期大增5.72倍,并创下近3年来营收最高纪录,同时是连续第5个月获利。受惠标准型DRAM现货价走扬,加上产能及良率有效拉升,
内存封测厂华东科技DDR3接单热络,既有厂房已达满载,计划斥资新台币4.15亿元购买瀚宇彩晶LCM一厂,用以扩充DDR3产能,初步估计最快第4季应能进行量产。由于添购新厂,华东也计划上修资本支出,由原订的30亿元提高到
2009 年即将结束,DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世,iSuppli 公司认为,它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2 还不算过时,而且未来一
2009 年即将结束,DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世,iSuppli 公司认为,它即将成为世界上最流行的内存技术。 DDR2 还不算过时,而且未来一段时间之内
1Gb DDR2/DDR3内存芯片的现货价格最近双双上涨到了接近3美元的价位,显示目前内存芯片市场仍处于供不应求的紧张局面。据消息来源表示,造成这种局面 的原因主要是内存芯片厂商目前都在实施转产DDR3芯片的动作;另外一
华东科技总经理于鸿祺16日表示,DDR3客户需求热络,目前订单能见度看到9月,产能依旧满载局面,封测利用率达到90%以上,产能已几近不敷使用,该公司有意寻求新厂房,同时也不排除上修全年度资本支出。 提及DDR3市
随著各家DRAM厂加快脚步转进DDR3,对后段厂而言,封装产能利用率处于高档,然测试、预烧等相关产能则呈不足现象,各家封测厂上演抢机台戏码,希望能够尽量提前让机台进驻厂区,随著工作天数恢复正常,存储器封测厂3月
据台湾经济日报报道,内存(DRAM)补货潮号角响起,DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态,农历年后上涨近7%,创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠,但科技大厂可能得要担心,资讯产品供应链下半年
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gb
力成(6239)今年首季呈现淡季不淡走势,1月营收与去年12月相较仅微幅衰退约1亿元,仍旧维持高档水平,由于力成首季的营运可望创下历史最高的第1季,加上整体内存产业景气不差,外资呈现连续性买盘,农历年过后持续买
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功