DDR3

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  • 三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片

    三星电子宣布，该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps

    智能硬件
    2010-02-25
    三星 DDR3 内存芯片 GB

  • DRAM走出黑暗 2010年内存厂商或兴旺发达

    在DRAM 市场的历史上，2009 年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。但是，继春季温和复苏之后， DRAM 供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三

    消费电子
    2010-02-04
    DRAM 内存 三星 DDR3

  • 威刚陈立白：产能不足 内存看涨

    今年各大DRAM厂相继扩大资本支出，以进入DDR3领域，但是在各家厂商抢订机台之下，恐影响后续产出。威刚（3260）董事长陈立白指出，内存厂所需的浸润式曝光机台交期长达10个月以上，目前只能靠微缩制程增加产出，然在

    模拟
    2010-02-04
    DRAM 内存 Flash DDR3

  • 三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片

    据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。三星称，2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30%，生产

    智能硬件
    2010-02-03
    DRAM 三星 DDR3 内存芯片

  • 华东订单涌入 首季旺

    受惠于尔必达、华邦电（2344）、南亚科（2408）等大客户DDR3及GDDR5订单逐季增加，内存封测厂华东科技（8110）今年营运大跃进。法人预估年营收可望上看75亿元以上，较去年大增3成至4成。 华东科技总经理于鸿祺表

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    2010-02-03
    内存 尔必达 DDR3

  • 华东：订单满手 加班出货

    半导体封测法说周昨（2）日由华新科（2492）集团的内存封测厂华东（8110）打头阵，总经理于鸿棋指出，内存需求仍佳，现在是被订单追着跑，全年包括ASP（平均销售单价）、毛利和营收都将呈现逐季走扬趋势。 于鸿棋

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    2010-02-03
    DRAM 内存 EPS DDR3

  • 封测法说题材，华东、力成逆势上涨

    联发科法说会报佳音，今年将冲刺出货量，市场预期IC封测厂3月接单可望明显转强，并且封测大厂日月光（2311）、硅品（2325）、力成(6239)法说会将于本周陆续登场，今天则由华东(8110)法说会打头阵，在法说题材带动下，

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    2010-02-03
    IC EPS OEM DDR3

  • DRAM走出黑暗年底阳光灿烂

    在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。 但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走

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    2010-02-01
    DRAM 美光 三星 DDR3

  • DRAM走出黑暗 年底阳光灿烂

    在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走

    智能硬件
    2010-02-01
    DRAM 美光 三星 DDR3

  • DRAM跌价袭击模块厂1月营收处变不惊

    2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NANDFlash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈

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    2010-01-29
    DRAM 存储器 NANDFLASH DDR3

  • DRAM跌价袭击　模块厂1月营收处变不惊

    2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而

    智能硬件
    2010-01-29
    DRAM Flash NAND DDR3

  • 福懋科、华东Q1营收续冲

    DRAM封测厂首季展望乐观，由于DDR3封测制程改变，代工价格较DDR2增加约20％，加上DDR2封测代工价今年初已调涨10％，DRAM封测厂首季平均价格（ASP）明显优于去年第4季，加上上游DRAM厂提升投片量，法人预估福懋科（81

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    2010-01-27
    DRAM 东芝 尔必达 DDR3

  • DDR3内存模块高精度温度传感器(IDT)

    IDT公司推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以最高效率运行，通过监测各子系统的温度来节省总电力，提高可靠性和性能。全新的IDT温

    工业控制
    2010-01-26
    高精度 温度传感器 IDT DDR3

  • DRAM忙扩产 封测涨价在即

    虽然三星、海力士、美光等3大厂仍未释出封测订单委外代工，但占全球DRAM产能逾4成的台湾DRAM厂及日本尔必达，封测订单却是源源不绝释出，所以台湾DRAM业者如力成、华东、福懋科、泰林等，今年来产能利用率维持95％以

    模拟
    2010-01-23
    DRAM 美光 DDR3 GB

  • 用中档FPGA实现高速DDR3存储器控制器

    由于系统带宽不断的增加，因此针对更高的速度和性能，设计人员对存储技术进行了优化。下一代双数据速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的优势。这些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的带宽），并有更大的密度。

    电子设计自动化
    2010-01-22
    存储器 控制器 FPGA实现 DDR3

  • DRAM厂祭搭售策略紧急抢救DDR2

    全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3

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    2010-01-20
    DRAM 存储器 DDR DDR3

  • DRAM厂祭搭售策略　紧急抢救DDR2

    全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3

    智能硬件
    2010-01-20
    DRAM 存储器 DDR DDR3

  • DDR2乏人问津DRAM厂抢转产能

    DDR2和DDR31月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和

    模拟
    2010-01-18
    DRAM 存储器 DDR DDR3

  • DDR2乏人问津　DRAM厂抢转产能

    DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶

    智能硬件
    2010-01-18
    DRAM 存储器 DDR DDR3

  • 瑞晶调整封测分配，华东赚到

    日本DRAM大厂尔必达（Elpida）拿下瑞晶电子7成股权后，直接掌控瑞晶所有产能，瑞晶后段封测订单分配也出现重大变化。据设备业者表示，瑞晶委由力成（6239）代工比重由5成提升至6成以上，但也调拨了2成至3成订单下给华

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    2010-01-13
    DRAM 尔必达 PID DDR3
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