台积电(2330)28奈米产能不足,部分客户已开始转单联电(2303)、格罗方德(GlobalFoundries)、三星等其它晶圆代工厂,其中联电受惠最大,手中已拿下80个28奈米晶片设计案,并已有15个晶片完成设计定案(tape-out)
联电(2303)将于本月24日举办南科厂区的12寸晶圆厂(Fab12A)之第五、六期动土典礼,持续扩充高阶制程产能。联电的12寸晶圆厂之一Fab12A位于台南科学园区,自2002年起开始量产,目前单月晶圆产能超过50000片。联电28纳
IntelCEOPaulOtellini近日对投资者透露,半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作,这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说:“我们的研究和开发是相当深远的,我是说(未来)十年。”按照路线图,2
Intel CEO Paul Otellini近日对投资者透露,半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作,这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。他说:“我们的研究和开发是相当深远的,我是说(未来)十年。”按照路线图
联电(2303)将于本月24日举办南科厂区的12寸晶圆厂(Fab12A)之第五、六期动土典礼,持续扩充高阶制程产能。 联电的12寸晶圆厂之一Fab 12A位于台南科学园区,自2002年起开始量产,目前单月晶圆产能超过50000片。联电
3D已经成为半导体微细加工技术到达物理极限之后的必然趋势,目前正处于3D工艺的探索期。在这一过程中,以及今后在实现3D工艺的发展趋势中,半导体产业发展模式到底如何演义,会不会成为Fabless+Foundry这种发展模式的
美国总统欧巴马(BarackObama)8日参观纽约州立大学Albany分校奈米科学与工程学院(CNSE),由全球晶圆(GLOBALFOUNDRIES;简称GF)负责接待。GF在纽约州共有1,500名员工,包括分派至IBMEastFishkill、CNSE的研究人员。GF纽
美国总统欧巴马(Barack Obama)8日参观纽约州立大学Albany分校奈米科学与工程学院(CNSE),由全球晶圆(GLOBALFOUNDRIES;简称GF)负责接待。GF在纽约州共有1,500名员工,包括分派至IBM East Fishkill、CNSE的研究人员。
美国总统欧巴马(Barack Obama)8日参观纽约州立大学Albany分校奈米科学与工程学院(CNSE),由全球晶圆 (GLOBALFOUNDRIES;简称GF )负责接待。GF在纽约州共有1,500名员工,包括分派至IBM East Fishkill、CNSE的研究人员
台大土木系「高科技厂房设施研究中心」研发人员将于5月中旬进驻竹北分部校区台湾半导体产业及相关产业,预期将在3至5年内进入18寸(450mm)晶圆之量产及14奈米之制程。这种具前瞻性的大幅发展,不但将提升台湾在国际间
5月2日消息,据国外媒体报道,英特尔投资50亿美元在亚利桑那州建设的Fab 42芯片制造工厂,将是有史以来最先进的芯片制造工厂。在它生产的芯片中,一个针头大的地方就能容纳逾1亿个晶体管。Fab 42是英特尔的一大赌注:
台大土木系「高科技厂房设施研究中心」研发人员将于5月中旬进驻竹北分部校区台湾半导体产业及相关产业,预期将在3至5年内进入18寸(450mm)晶圆之量产及14奈米之制程。这种具前瞻性的大幅发展,不但将提升台湾在国际间
台大土木系「高科技厂房设施研究中心」研发人员将于5月中旬进驻竹北分部校区台湾半导体产业及相关产业,预期将在3至5年内进入18寸(450mm)晶圆之量产及14奈米之制程。这种具前瞻性的大幅发展,不但将提升台湾在国际间
【日经BP社报道】美国GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日(美国时间)宣布,可在20nm工艺半导体晶圆上形成TSV(through-silicon via,硅通孔)的生产设备,已开始在该公司位于美国纽约州萨拉托加郡(Saratoga)的生
北京时间5月2日消息,据国外媒体报道,英特尔投资50亿美元在亚利桑那州建设的Fab 42芯片制造工厂,将是有史以来最先进的芯片制造工厂。在它生产的芯片中,一个针头大的地方就能容纳逾1亿个晶体管。Fab 42是英特尔的一
GLOBALFOUNDRIES日前宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上的半导体
IC观察意法·爱立信是进还是退? 稿件来源:郭毅然郭毅然 4月23日,意法·爱立信在日内瓦宣布了三点新的战略方向及合作伙伴关系,乍看起来有些积极要向前走的意思,但进一步分析,再结合意法·爱立信近年来
GLOBALFOUNDRIES今天宣布,在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上,公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8,GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上的半导体
公司今天宣布,在以3D芯片堆叠为基础的下一代移动和消费应用芯片制造道路上达成重要的里程碑。表示,旗下位于纽约州萨拉托加县的Fab 8晶圆厂,已开始安装一套特殊的生产工具于公司领先的20nm技术平台,在半导体晶圆处
【IT168 资讯】GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布,在以3D芯片堆叠为基础的下一代移动和消费应用芯片制造道路上达成重要的里程碑。 GLOBALFOUNDRIES表示,旗下位于纽约州萨拉托加县的Fab 8晶圆厂,已开始安装一套特殊