在2010年全球半导体业增长32%之后,2011年及2012年连续两年增长在1%左右,因此业界部分人士根据半导体产业周期性的规律,预测2013年会是又一个高增长年。这一预测可信度有多高?2012不平静 近期部分市场分析公司又下调
德国艾尔芙特 – X-FAB Silicon Foundries,日前宣布为了MEMS的营运将在未来的三年投资5000万美金以上在无尘室、新设备、研发与人员,这些投资也反映X-FAB意义深远地聚焦在MEMS以因应预期中MEMS的成长。新品牌&
一般来说,中国企业给人的印象,便是制造廉价产品,以及针对中国国内市场。然而,北京兆易创新科技(GigaDevice)总裁朱一明认为,中国的无晶圆厂芯片应该超越拥有13亿人口的中国,将目光放在全球共拥有60亿人口的开发
X-FAB Silicon Foundries近日宣布为了MEMS的营运将在未来的三年投资5000万美金以上在无尘室、新设备、研发与人员,这些投资也反映X-FAB意义深远地聚焦在MEMS以因应预期中MEMS的成长。新品牌”X-FAB MEMS Foundry”在
台积电 (2330)于今(9日)公告9月合并营收,在7、8月接连创下单月新高后,9月出现明显回落,月减12.4%来到433.53亿元、年增29.8%。总计台积电第3季合并营收在行动通讯订单畅旺,且部分客户提前出货带动下,季增10.4%达
在2010年全球半导体业增长32%之后,2011年及2012年连续两年增长在1%左右,因此业界部分人士根据半导体产业周期性的规律,预测2013年会是又一个高增长年。这一预测可信度有多高?2012不平静近期部分市场分析公司又下调
1990年代末,轻晶圆厂/资产减轻(Fab-lite/asset-lite)策略开始成形,当时 ??美国几家IDM大厂相继推出相关策略,将运用第三方代工厂的比例调高,以降低制造成本。1998年,摩托罗拉半导体产品部门(之后独立为飞思卡尔[
1990年代末,轻晶圆厂/资产减轻(Fab-lite/asset-lite)策略开始成形,当时美国几家 IDM 大厂相继推出相关策略,将运用第三方代工厂的比例调高,以降低制造成本。1998年,摩托罗拉半导体产品部门(之后独立为飞思卡尔[F
拓墣今(2日)举办2013年IT产业大预测研讨会,拓墣半导体研究中心副理陈兰兰指出,明年会是三星「全面进攻」的一年,主要是三星将记忆体产能大举转进晶圆代工,台积电(2330)将面临强烈挑战。她指出,今年台积电的28奈米
全球半导体业:明年是黄金年?特约撰稿莫大康在2010年全球半导体业增长32%之后,2011年及2012年连续两年增长在1%左右,因此业界部分人士根据半导体产业周期性的规律,预测2013年会是又一个高增长年。这一预测可信度有
GLOBALFOUNDRIES(格罗方德)今(28日)召开记者会,说明其于14 nm-XM制程技术的最新进展。格罗方德全球行销暨业务执行副总裁Michael Noonen(见左图)指出,格罗方德的14 nm-XM技术将在2013年底有第1个客户的tape-out,
一般来说,中国企业给人的印象,便是制造廉价产品,以及针对中国国内市场。然而,北京兆易创新科技(GigaDevice)总裁朱一明认为,中国的无晶圆厂晶片应该超越拥有13亿人口的中国,将目光放在全球共拥有60亿人口的开发
X-FAB 进入 3D 为三轴惯性传感器启动代工服务并提供开放性平台的工艺X-FAB,这家已经出货超过十亿MEMS器件的晶圆厂,日前又再次发表业界首个为微机电系统(MEMS)三轴惯性传感器(3D inertial sensor)提供的开放性平台,
X-FAB 进入 3D 为三轴惯性传感器启动代工服务并提供开放性平台的工艺 X-FAB,这家已经出货超过十亿MEMS器件的晶圆厂,日前又再次发表业界首个为微机电系统(MEMS)三轴惯性传感器(3D inertial sensor)提供的开放性平台
X-FAB 进入 3D 为三轴惯性传感器启动代工服务并提供开放性平台的工艺 X-FAB,这家已经出货超过十亿MEMS器件的晶圆厂,日前又再次发表业界首个为微机电系统(MEMS)三轴惯性传感器(3D inertial sensor)提供的开放性平台
大多数中国厂商还是以国内市场为主,但也有越来越多的中国厂商开始涉足全球市场。美国EE Times前主编吉田顺子从另一个角度来看中国IC厂商的竞争力,探讨了他们在美国市场的机会。从苹果说开去自2007年推出iPhone以后
大多数中国厂商还是以国内市场为主,但也有越来越多的中国厂商开始涉足全球市场。美国EE Times前主编吉田顺子从另一个角度来看中国IC厂商的竞争力,探讨了他们在美国市场的机会。从苹果说开去自2007年推出iPhone以后
据台湾媒体报道,英特尔已经宣布CPU和SoC的生产工艺将在2013年底升级到14纳米制程,并从2015年开始10纳米及更低制程的工艺研发。英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的英特尔开发者论坛大会(IDF)上展示了一张关
英特尔公司在最近召开的英特尔信息技术峰会(IDF)上表示,他们将在2013年年底之前进入14nm时代。目前,英特尔的22nm工艺技术已经相当成熟,它大量用于Haswell处理器的生产线上。据悉,在公司内部代号分别为P1272以及P
英特尔公司在最近召开的英特尔信息技术峰会(IDF)上表示,他们将在2013年年底之前进入14nm时代。目前,英特尔的22nm工艺技术已经相当成熟,它大量用于Haswell处理器的生产线上。据悉,在公司内部代号分别为P1272以及P