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台积电12寸产能 Q3追上对手
台积电在先进制程技术加紧脚步，扩充产能不遗余力，中科Fab15厂房的28纳米新一期厂房本月投产，负责20纳米的南科Fab14第五、六期陆续装机，第3季12寸月产能将突破40万片，与英特尔并驾齐驱。 台积电今年资本支出调
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联电打造新加坡12寸厂成为特殊技术研发中心
晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)宣布，已将其于新加坡12寸晶圆厂Fab12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「CenterofExcellence」。此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元，将会与诸如微电子研究
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联电打造新加坡12寸厂成为特殊技术研发中心
晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)宣布，已将其于新加坡 12寸晶圆厂Fab 12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元，将会与诸如微电子
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联电打造新加坡12寸厂成为特殊技术研发中心
晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)宣布，已将其于新加坡 12寸晶圆厂Fab 12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元，将会与诸如微电子
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联电打造新加坡12寸厂成为特殊技术研发中心
晶圆代工大厂联华电子(UMC，以下简称联电)宣布，已将其于新加坡 12寸晶圆厂Fab 12i，打造为引领先进特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技术中心设立时的投入金额为1.1亿美元，将会与诸如微电子
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联电在新加坡建立专业技术卓越中心
联华电子股份有限公司（UMC，简称「联电」）今天宣布，该公司在新加坡建立了作为「卓越中心」的Fab12i，以引领其先进特殊工艺技术的研发(R&D)和生产的发展。该卓越中心初期投资为1.1亿美元，将与新加坡微电子研究院等
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联电在新加坡建立专业技术卓越中心
新加坡, 2013年5月22日 /美通社-PR Newswire/ -- 联华电子股份有限公司（UMC，简称「联电」）今天宣布，该公司在新加坡建立了作为「卓越中心」的 Fab 12i，以引领其先进特殊工艺技术的研发 (R&D) 和生产的发展。该卓
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联电 攻特殊制程
晶圆代工厂联电（2303）昨（22）日宣布以1.1亿美元（约新台币32.9亿元）在新加坡12i设立特殊技术研发制造的基地「Center of Excellence」，市场解读，联电与台积电在28纳米以下力拚之余，将透过特殊制程与现有大厂差
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联电今年将追求获利成长，不参与军备竞赛
晶圆代工二哥联电今年将追求获利成长，不再与台积电及格罗方德（GlobalFoundries）进行先进制程开发竞赛。联电开始针对本身产能进行重新调配，未来先进技术产能将以南科12寸厂Fab 12A为重心，位于新加坡的12寸晶圆厂
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台积扩产 Q2再砸1,460亿
台积电第2季产能利用率冲上100％满水位，但28纳米、20纳米等先进制程需求有增无减，台积电已加快建厂扩产脚步，昨（14）日董事会核准1,460亿7,668万元资本预算。随着新产能逐步开出，今年底台积电拥有的非存储器产能
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台积 通过资本预算1,460亿
晶圆龙头台积电昨（14）日董事会通过核准1,460亿元的资本预算，将投入扩充先进制程产能，由于这次资本预算的金额，已占今年资本支出的一半以上，显示台积电今年资本支出，很有可能逼近百亿美元上限。 台积电表示，
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台积扩产 Q2再砸1,460亿
台积电第2季产能利用率冲上100％满水位，但28纳米、20纳米等先进制程需求有增无减，台积电已加快建厂扩产脚步，昨（14）日董事会核准1,460亿7,668万元资本预算。随着新产能逐步开出，今年底台积电拥有的非存储器产能
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台积28纳米 年产能看增3倍
晶圆龙头台积电先进制程产能扩建速度一代比一代快，台积电12寸营运资深副总王建光昨（9）日表示，28纳米主力厂房中科Fab15新一期（P3与P4）的产能已在本（5）月投产，28纳米年底月产能将上看10万片，较去年底大增一倍
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台积28纳米 年产能看增3倍
晶圆龙头台积电先进制程产能扩建速度一代比一代快，台积电12寸营运资深副总王建光昨（9）日表示，28纳米主力厂房中科Fab15新一期（P3与P4）的产能已在本（5）月投产，28纳米年底月产能将上看10万片，较去年底大增一倍
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日月光：Q2封测出货增逾11%，毛利率升至23%
封测大厂日月光(2311)财务长董宏思(见附图)表示，随着通讯应用晶片出货量增温、Fabless客户需求成长，预期Q2封测与材料出货可较Q1季增11-14%，同时因金价趋跌、台币走贬等因素「让成本环境变友善了」，日月光Q2封测材
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GlobalFoundries：明年提供14纳米制程
晶圆代工厂GlobalFoundries今年将投入44~45亿美元资本支出，除了加速美国纽约州12寸厂Fab8导入量产时程，也计划明年开始提供客户14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，缩短与竞争对手台积电之间的制程技术差距。根据市
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格罗方德明年推14nm制程 缩短与台积电制程技术差距
晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)今年将投入44~45亿美元资本支出，除了加速美国纽约州12寸厂Fab8导入量产时程，也计划明年开始提供客户14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，缩短与竞争对手台积电之间的制程技术差
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格罗方德 明年提供14纳米制程
晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)今年将投入44~45亿美元资本支出，除了加速美国纽约州12寸厂Fab8导入量产时程，也计划明年开始提供客户14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，缩短与竞争对手台积电之间的制程技术差
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格罗方德 明年提供14纳米制程
晶圆代工厂格罗方德(GlobalFoundries)今年将投入44~45亿美元资本支出，除了加速美国纽约州12寸厂Fab8导入量产时程，也计划明年开始提供客户14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，缩短与竞争对手台积电之间的制程技术差
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格罗方德 明年提供14纳米制程
晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）今年将投入44~45亿美元资本支出，除了加速美国纽约州12寸厂Fab8导入量产时程，也计划明年开始提供客户14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程，缩短与竞争对手台积电之间的制程技
