盛群半导体董事会于今日(10/27)上午通过2010年前三季财务报表,并于当日下午召开法人说明会,说明2010年前三季营运概况及未来营运展望。累计2010年一至九月份营业额为新台币3,052,778仟元,较去年一至九月份新台币2,
盛群半导体推出新一代的Flash触控MCU BS83B系列,BS83B系列家族成员共3颗,分别是BS83B08-3具有8个触控按键、BS83B12-3具有12个触控按键与BS83B16-3具有16个触控按键。触控按键的功能实现是透过内建在MCU内部的振荡器
三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂,决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导,三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线,将于201
随著DRAM和NAND Flash市场价格持续崩跌,不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况,下游存储器模块厂亦受到牵累,10月营收亦持续下滑,其中,威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示,预期11月营收将因为产业景气进入
三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂,决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用。据南韩电子新闻报导,三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线,将于201
北京时间11月8日,据国外媒体报道,来自纽约时报一则博客消息,微软首席执行官史蒂夫鲍尔默和Adobe公司CEO Shantanu Narayen近期举行了一次会谈,商讨击败苹果iOS平台的联合战略。该事件表明,两家公司正在试图进行联
现今嵌入式存储产品已渗透进人们生活工作中的方方面面,从ATM 机到手持通讯设备。社会对嵌入式产品的性能也有越来越高的要求:大容量,高速度,断电保护,体积限制等等。当前数据记录仪的容量和速度普遍偏小。本文
基于Flash的大容量高速数据记录仪设计
看好云端浪潮中便携设备轻薄短小的趋势,宇瞻借镜如新帝(SanDisk)整合式固态硬盘(iSSD)的系统封装技术,减少体积并降低成本,也将投入消费性电子固态硬盘(SSD)市场,预计在明年上半年台北国际计算机展(Computex)就
因应MCU成长快速及程序数据储存需要,MCU内嵌Flash内存设计成为主流趋势,MCU大厂也纷纷以购并或结盟掌握内嵌Flash的相关IP与制程技术。本文将探讨内嵌FlashIP制程技术,为下一代FlashMCU带来的技术变革。FlashMCU出
TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低价位、低功耗数字信号处理器(DSP)。与现在流行的TMS320C5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了 50%。它的应用对象大多是要求能脱机运行的内嵌式系统,如机顶盒(
基于闪烁存储器的DSP并行引导装载方法
DRAMeXchange 最新发表的研究报告指出,固态硬盘(SSD)一直以来为各家 NAND Flash 厂商所寄予厚望的产品,主要是固态硬盘对于 NAND Flash 的使用量来说是一般内建式应用产品、U盘与记忆卡的数倍之多,因此对于固态硬盘
如果说乔布斯坚决要把 Flash 扫地出门,RIM 则是敞开大门以贵宾之礼相待。2009 年的黑莓开发者大会上,RIM 已经表示要加强跟 Adobe 的合作,从目前了解的情况看,两家公司的合作已经达到很密切的地步。Playbook 的演
旺宏(2337)前3季获利缴出亮丽财报,将持续冲刺12吋厂(Fab 5),总投资额仍维持300亿元目标,但为了赶在明年首季进入Phase I量产,旺宏第4季的资本支出将跳升至近百亿元规模,第4季也将密集加装新设备,12吋厂预计
炬力集成电路设计有限公司,是一家在中国位居领导地位的无晶圆芯片设计公司,长久以来一直为便携式消费电子产业提供功能强大的多媒体芯片(SOC)与完整解决方案,现正式推出炬力产品家族的新成员:27系列多媒体单芯片。
内存封测厂力成科技26日召开法人说明会,公布第3季营运结果,表现依旧亮丽,董事长蔡笃恭笑称「要留给大家一点惊喜」。根据力成财报显示,第3季合并营收及获利同创历史新高纪录,单季营收为新台币98.37亿元,季增5.9
炬力集成电路设计有限公司正式推出炬力产品家族的新成员:27系列多媒体单芯片。该系列芯片在部分客户的试生产后,得到充分地肯定,2010年第4季度已经在市场上正式进入批量生产阶段。炬力27系列芯片开创了便携式多媒体
海力士社长权五哲表示,自2010年8月投入量产的26纳米64Gb NAND Flash目前出货相当顺利。2011年中计划量产20纳米制程产品。海力士持续引领DRAM产品制程微缩趋势,然而NAND Flash产品技术方面在过去1、2年落后其它竞争
韩国半导体厂海力士(Hynix)计划2011年中以20纳米制程量产NAND Flash。此20纳米制程快闪存储器可应用于手机或平板计算机(Tablet PC)等装置,相较26纳米存储器,晶圆(wafer)产出量提高约25%。海力士社长权五哲表示,自