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英特尔与美光科技关系紧张 合资企业将解体
随着英特尔和美光科技之间的合资企业IM Flash技术公司关闭的可能性日益增大，英特尔与美光科技之间的关系似乎有些紧张。这两家公司面临的困难是美光科技提出的有关英特尔对IM Flash新加坡公司做出的贡献的争议。美光
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记忆体封测厂12月营收持稳或小增 本季将下滑
李洵颖／台北 随著DRAM厂转换制程，产出增加，记忆体封测厂如力成科技、华东科技和福懋科技等2010年12月营收仍可望持稳或小幅增加，处于高档水准。惟2011年第1季受到客户如尔必达(Elpida)减产效应冲击，下单力道减弱
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苹果2010年十大新闻：中国承包商遭舆论质疑
12月31日消息，据国外媒体报道，自从史蒂夫乔布斯（SteveJob）1997年回归苹果公司之后，苹果每年都新闻不断。这些新闻中大部分是正面的。不过，苹果像其他任何大公司一样，也免不了犯点小错。苹果从来都喜欢高调宣传
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英特尔亚太NAND Flash操盘手换将 存储器厂哗然
英特尔(Intel)跨足NANDFlash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡厂将于2011年投产，却不见英特尔投资身影，近期英特尔在亚太区NANDFlash操盘
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移动设备行业2011年5大预测：视频分享快速发展
导语：科技博客Mashable周五刊文称，移动设备行业2010年取得了快速发展，这主要是由于智能手机销售的强劲，以及iPad的兴起。移动设备的性能正越来越强大，上网速度正越来越快，而开发者则推动了移动应用的发展。以下
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2011年平板计算机起飞 带动NAND Flash需求
集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，在Android可望逐渐成熟，市场接受度提高，预期2011年平板计算机出货量由今年的1500万台大增至5000万台的规模，可说是平板计算机起飞年，将带动内建式NAND Flash
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SPI FLASH GD25Q80SCP
名称：SPI FLASH 型号：GD25Q80SCP 公司：北京兆易创新科技有限公司 英文名称：GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 芯片概述： 兆易创新提供的具有通用SPI接口的512Kb到32Mb的Flash存储器，如果配合四输
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嵌入式系统快速重启的研究
本文论述了嵌入式系统的启动过程，由于嵌入式系统在每次重启的时候都要执行一次代码的拷贝过程，这样会浪费很多时间。对于我们来说，只要内存没有断电，里面就有我们的代码，而没有必要重新拷贝一次。本文就这一
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2011年平板计算机起飞 带动NAND Flash需求
2011年平板计算机起飞 带动NAND Flash需求
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英特尔合资公司新加坡工厂明年投产
英特尔和美光(Micron)合资公司IMFlashTechnologies(以下简称“IMFT”)新加坡工厂将于2011年第二季度投产。IMFT创建于2006年1月，主要生产NAND闪存，其首个制造工厂位于犹他州Lehi地区。IMFT新加坡工厂原计划于2008年
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Adobe：Flash Player 10.2版效率将提高10倍
北京时间12月17日消息，国外媒体引自Adobe公司的博客称，下一代Flash Player，版本号为10.2，其效率将比现有版本提高至少10倍，在浏览YouTube时将获得更好的浏览体验。 Flash Player 10.2引入了若干新特性，包括
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美光新加坡厂明年投产 NAND Flash卡位战再起
美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研发出
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台湾插足快闪存储器产业
全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研
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90纳米SOLID FLASH™ 技术（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日在法国巴黎“智能卡暨身份识别技术工业展（CARTES & IDentification）”上宣布推出适用于新一代安全IC的90纳米SOLID FLASH™ 技术。依靠SOLID FLASH技术，英飞凌成为全球首家可
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封测厂11月营收跌多涨少，记忆体相关最强势
时序即将迈入年终之际，IC封测厂的营运表现也开始转弱，11月的营收跌多涨少，其中表现较为逆势的则有矽品(2325)、欣铨(3264)、菱生(2369)，均较上月出现反升，而记忆体封测厂力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)则
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基于 DSP的嵌入式系统通过地址映射方式实现片外FLASH擦写
1 引言 在DSP系统的设计中，经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据，如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中，从而节省DSP芯片内部
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基于 DSP的嵌入式系统通过地址映射方式实现片外FLASH擦写
基于 DSP的嵌入式系统通过地址映射方式实现片外FLASH擦写
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Flash单片机自编程技术
Flash的可自编程性（Self-Programmability）是指，用Flash存储器中的驻留软件或程序对Flash存储器进行擦除/编程，但是，要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此，只有一个片上Flash存储器模块
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