这是一个数据的时代,每个人都身处在庞大的数据中,并且随着物联网和5G等技术的逐步实现,数据的吞吐量正在极速增长中。据Cisco预测,2016年数据中心的流量已达5.8ZB;据爱立信报告指明,到2022年全球超过90%数据流量
今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求的商业市场。
实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.日前宣布,推出两款全新的功率放大器(PA),包括可以在内部匹配50Ω的行业首款500W L频段PA和一款450W S频段PA。
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),专门设计用于优
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质,近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率,从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比,CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半,同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因,并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造
提起GaN技术,就不得不说起MACOM。近日北京召开的EDI CON上,MACOM展示了业界最顶尖的GaN技术。
TI正在设计基于GaN原理的综合质量保证计划和相关的应用测试来提供可靠的GaN解决方案。氮化镓(GaN)的材料属性可使电源开关具有令人兴奋且具有突破性的全新特性—功率GaN。高电子迁移晶体管(HEMT)。HEMT是一种场效应晶体管(FET),会使导通电阻会低很多。它的开关频率要比同等大小的硅功率晶体管要快。这些优势使得功率转换的能效更高,并且能够更加有效地使用空间。GaN可以安装在硅基板上,这样可充分利用硅制造能力,并实现更低的成本。然而,在使用新技术时,需要验证这项技术的可靠性。这份白皮书的主题恰恰是G
作为电源工程师,我们能够回忆起第一次接触到理想化的降压和升压功率级的场景。还记得电压和电流波形是多么的漂亮和简单(图1),以及平均电流的计算是多么地轻松,并且确定
市场研究机构IHS最新统计报告指出,随着愈来愈多供应商推出产品,2015年碳化矽(SiC)功率半导体平均销售价格已明显下滑,有望刺激市场加速采用;与此同时,氮化镓(GaN)功率半
汽车电子专家海拉,联合领先的氮化镓功率晶体管制造商氮化镓系统公司(GaN Systems),以及凯特琳大学先进电力电子实验室充电技术领域学者成功研制了一台两电平电动汽车充电
我国正投入数十亿美元,大力推动研发自己的微芯片。这项行动可能会增强该国的军事实力及其本土科技产业。在华盛顿,这些行动已经开始引起注意。据美国《纽约时报》网站2月5日报道,一名专家和另一名参与了交易讨论的
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说,理解
尽管我们现在看似生活在一个非常文明的时代,但是无奈依然还是有一些“不文明”的人存在,很不幸,我们经常会看到女性朋友遭受攻击,酿成悲剧,这一情况在印度特别的明显。那么我们的女性朋友能怎么办?出门随身带一个狼牙棒,一个哨子,还是说防狼喷雾,或者电击器?
《无线电源手册》第二版是全新增订本,旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。宜普电源转换公司宣布推出《无线电源
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ample
Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ampleon公司在世界各地的16个工程技术、销售和制造设施拥有1,250名员工,公司总部位于荷兰奈梅亨,凭借50多年的产品创新和卓越工程实力而建立。
据DIGITIMES网站报道,丰田首款量产型燃料电池汽车Mirai 的上市,使得燃料电池汽车受到广泛关注。尽管燃料电池汽车的性能已经适于商业化生产,汽车产业仍然致力于解决大规
21ic讯,TDK 集团最近推出了一款新型爱普科斯 (EPCOS) N59 铁氧体磁材,其具有高频低损耗的特性。该磁材专门为电源及变频器(配备基于 GaN 的快速切换功率半导体)应用而开发,优化后的频率范围为 700 kHz 至 2 MHz。
1997年,日亚化学成功研发世界首个发光波长为371 nm的GaN基紫外发光LED。2003年,美国SETi公司开发出波长为280 nm的A1GaN基深紫外LED。2014年10月24日,诺贝尔物理学奖获得者之一天野浩在记者见面会上介绍了自己正在
美国公司Soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作,共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)LED制造工厂。据悉,新工厂将雇用数百名工人。 在与纽约州立大学纳米科学与工程学院的