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IGBT 模块应用指南&基本知识(经典）
IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor),它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动
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电磁炉的成本和能耗可以这么低？德国人是这么实现的
2014年4月9日——由英飞凌科技股份公司牵头的 “InduKOCH”研发项目的最新成果显示，电磁炉变得越来越经济和节能，这一为期三年的项目的研发团队包括家用电器零部件供应商E.G.O.集团、不来梅大学
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ST HB系列IGBT有效提升能效 安全性和可靠性
意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors)拥有比竞争对手的高频产品低达40%的关机能耗，同时可降低达30%的导通损耗。HB系列利用意法半导体的沟栅式场截止型高速晶体管制造工
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意法半导体（ST)推出新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT）
最新的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)兼具近乎完美的开关能效和650V的宽额定工作电压，为应用设计提供更高的安全系数意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated-G
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IR推出600V IR25750 SOT-23电流检测IC 提升效率并节省空间
全球功率半导体和管理方案领导厂商—国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的IR25750通用电流检测IC，配有极纤巧的SOT23-5L封装，为大电流应用提升整体系统效率并且大幅节省空间。测量通过
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IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
摘 要：通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论，介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用关键词：IGBT;驱动保护电路;电源0
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一种新型实用的 IGBT 驱动电路
摘要：在分析了IGBT 驱动条件的基础上介绍了几种常见的 IGBT 驱动电路，并给出了各自的优缺点。给出了自行设计的一种简单、实用的新型IGBT 驱动电路。经实践表明，该电路经
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IR推出坚固耐用的600V IR25750 SOT-23电流检测IC 提升整体系统效率并大幅节省空间
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固耐用的IR25750通用电流检测IC，配有极纤巧的SOT23-5L封装，为大电流应用提升整体系统效率并且大幅节省
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国内首条8英寸IGBT芯片生产线将投产
近日，参加第三届“车迷有约走进南车”活动的近60名火车迷走进中国南车株洲基地，参观了助力中国高铁走向“芯时代”的国内首条8英寸IGBT芯片生产线。从而揭开了高铁在老百姓心中的神秘面纱。据中国南车技术专家介绍，
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Vishay发布用于电机控制等高压应用的宽体IGBT和MOSFET驱动器
新器件的最短外爬电距离为10mm21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和
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IGBT如何选型四大步轻松搞定
逆变技术对IGBT的参数要求并不是一成不变的，逆变技术已从硬开关技术，移相软开关技术发展到双零软开关技术，各个技术之间存在相辅相成的纽带关系， 同时具有各自的应用电路要求特点，因而，对开关器件的IGBT的要求各
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大功率IGBT高频逆变电焊机电路图
大功率IGBT高频逆变电焊机电路如下图所示：
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高压高功率密度IGBT技术打破国外垄断实现最高水平
从中国南车获悉，公司下属的株洲所举办的“高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发”项目鉴定会上，研制的国内唯一一款最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，该项目代
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IR推出坚固可靠的超高速1400V IGBT 为感应加热和软开关应用作出优化
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出坚固可靠的超高速1400V沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新器件为电磁炉和微波炉等软开关
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国产IGBT功率器件春暖花开
当前，在日益严峻的环境问题和能源消耗的压力之下，绿色能源领域正成为世界各国的发展目标，由此也带动了整个功率半导体行业的发展，尤其是功率半导体核心器件——IGBT。在中国，为了适应大环境的需求，扶持相关企业
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国内首条大功率IGBT芯片生产线迎来社会公众参观
牵引万吨的电力机车是如何制造出来的？高速列车是如何跑出时速605公里的速度的？2月24日—25日，参加第三届“车迷有约走进南车”活动的近60名火车迷走进中国南车株洲基地，参观了助力中国高铁走向“芯时代”的国内首
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常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动 功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
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英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT
21ic讯 英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件，再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H
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中国首款6500伏高压IGBT芯片研制成功
【导读】IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船
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N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
摘要：N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，
