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常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动 功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极
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英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT
21ic讯 英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件，再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H
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中国首款6500伏高压IGBT芯片研制成功
【导读】IGBT芯片，即“绝缘栅双极型晶体管芯片”，是新一代功率半导体器件。工作中，通过调整栅极电压的大小和极性，可改变相关控制器的开通与关闭。该产品广泛应用于轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能发电、船
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N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
摘要：N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，
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基于UC3825的低压大电流开关电源
介绍了一种以PWM 控制芯片UC3825为核心的低压大电流开关电源的设计方案， 阐述了主电路的拓扑结构及主控制电路的电路设计， 并设计了软启动及过压过流保护电路， 应用反馈手段和脉宽调制技术实现了电压、电流的稳定输出， 并研制了1台15 V /1 200 A的样机。
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国产最高性能IGBT芯片及其模块跻身国际领先水平
（作者：成舸 刘亚鹏）近日，由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并通过成果鉴定，刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密
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电动汽车重点专项总体专家组工作会议在京召开
[摘要] 2014年1月3日，电动汽车重点专项总体专家组工作会议在北京召开，会议针对国内外电动汽车技术发展动态和电动汽车重点专项下一步发展思路进行了研讨。 2014年1月3日，电动汽车重点专项总体专家组工
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国内自主研发最高压IGBT芯片及模块面世 上半年投产
近日，由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500伏高压IGBT芯片及模块在株洲通过省级鉴定。来自中国工程院、中国科学院的3位院士以及中科院微电子所、南京大学、中南大学等单位的专家认为，该产品具有耐高压、损
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21ic新闻大爆炸：新一代功率半导体开发竞争激烈
1、新一代功率半导体开发竞争激烈 亚洲企业纷纷涉足今后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间，估计会展开激烈的价格竞争。尤其是韩国、中国大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面涉足GaN功率元件业务之后，价格竞争将更为激
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国内电压最高IGBT芯片研制成功
今天，由株洲南车时代电气股份有限公司自主研发的6500伏高压IGBT芯片及模块在株洲通过省级鉴定。来自中国工程院、中国科学院的3位院士以及中科院微电子所、南京大学、中南大学等单位的专家认为，该产品具有耐高压、损
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光伏逆变器市场整合在即
【导读】据市场研究机构IHS iSuppli旗下IMS Research相关报告透露，随着光伏逆变器供应市场在2012年进一步分化，今年一季度全球十大逆变器供应商市场总占有率下滑逾4%。 据市场研究机构IHS iSuppli旗下IMS Rese
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我国首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产
“今年，我们国内基地在IGBT器件销售上突破6万只的规模，在新能源装备、直流输电等市场份额上也将继续扩大。有我公司建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线，预计今年年底能实现投产。”并购丹尼克斯五周年之际，南车时
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我国首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产
“今年，我们国内基地在IGBT器件销售上突破6万只的规模，在新能源装备、直流输电等市场份额上也将继续扩大。有我公司建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线，预计今年年底能实现投产。”并购丹尼克斯五周年之际，南车时
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我首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产
“今年，我们国内基地在IGBT器件销售上突破6万只的规模，在新能源装备、直流输电等市场份额上也将继续扩大。有我公司建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线，预计今年年底能实现投产。”并购丹尼克斯五周年之际，南车时
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将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低
近年来，人们使用的电器产品数量不断增多，致使每个家庭内的总能耗稳步上升，不仅大多数西方国家是这样，新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本也已经增加，因为燃料资源
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我国首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产
“今年，我们国内基地在IGBT器件销售上突破6万只的规模，在新能源装备、直流输电等市场份额上也将继续扩大。有我公司建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线，预计今年年底能实现投产。”并购丹尼克斯五周年之际，南车时
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我首条8英寸IGBT芯片生产线有望年底投产
“今年，我们国内基地在IGBT器件销售上突破6万只的规模，在新能源装备、直流输电等市场份额上也将继续扩大。有我公司建设的我国首条8英寸IGBT芯片生产线，预计今年年底能实现投产。”并购丹尼克斯五周年之际，南车时
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意法半导体“无拖尾电流”600V IGBT突破功率设计限制
21ic讯 意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平顺、无拖尾电流的关机特性，饱和电压更是低达1.8V，最大工作结温高达175°C，
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盘点2013电子科技大事记：蓝牙/IC/IGBT征战沙场
蓝牙4.0超越过往 三大操作系统支持飞速发展微软、苹果等操作系统早已经原生支持蓝牙4.0，谷歌也于近日发布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技术。这意味着蓝牙4.0得到了苹果、谷歌、微软为代表的三
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盘点2013电子科技大事记：蓝牙/IC/IGBT征战沙场
蓝牙4.0超越过往 三大操作系统支持飞速发展 微软、苹果等操作系统早已经原生支持蓝牙4.0，谷歌也于近日发布Android 4.3版本，可原生支持Bluetooth Smart Ready技术。这意味着蓝牙4.0得到了苹果、谷歌、微软为
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