集成电路(俗称“芯片”)的研发应用,我国与发达国家存在较大差距。在电力领域,进口芯片一直处于垄断强势地位,长期以来,我国输变电设备与配用电设备中的核心芯片进口产品分别占到95%和80%,芯片已经成为
在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。在80年代,IGBT面市,它仍然是一种电压控制
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的&
随着功率电子和半导体技术的快速进步,各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件,以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通(NPT) IGBT相比,场截止(FS)
大功率IGBT高频逆变电焊机电路如下图所示:
80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件,它综合了GTR和MOSFET的优点,控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关
计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下,外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升
通常,在电机驱动应用中需要很多不同类型的保护,包括保护功率晶体管、电机或系统的任何部件。变频器的电流保护是其中至关重要的一项。它不仅能预防对功率晶体管的任何
意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正
【导读】新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态。 新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国
若从安装在汽车分电器中的机械触点技术算起,点火系统经已走过一段很长的发展历程。最新的点火IGBT、混合信号IC及封装技术,使“线圈上开关”技术所允许的种种系统优势得以实现。因此,本文分析了汽车点火
【导读】12月14日,具有世界最先进水平的首批最大功率IGBT产品在中国北车永济电机公司成功下线,使企业成为世界第四个、国内第一个能够封装6500V以上电压等级IGBT的厂家。这标志着我国与世界发达国家站在同一技术平台
【导读】英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)今日宣布其位于中国北京经济技术开发区的全新子公司——英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业。新公司注册资本1,500万美元,将进一步加强公司对高能效
【导读】据了解,英飞凌科技股份有限公司日前宣布其位于中国北京经济技术开发区的全新子公司——英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业。新公司注册资本1,500万美元,将进一步加强公司对高能效、移动性和安全性的
【导读】87/8287 据悉,我国已成为全球最大的大功率半导体器件消费市场,IGBT作为核心器件在新能源交通中得到了极为广泛的应用。英飞凌全新子公司北京集成电路公司已落户北京经济技术开发区,将为中国电动汽车、高铁
【导读】目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商,为支持我国企业技术突围,IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目,总投资14亿元,预计2013年正式投产。建成后,该
【导读】经济复苏带动工业与消费电子的需求增长,以及中国政府推出的经济刺激政策,不断推动IGBT销售额成倍增长。在消费方面,IGBT用于家用电器、相机和手电。IHS公司预测,未来四年消费应用领域的IGBT的复合年度增长
【导读】7月22日,国际知名功率器件厂商英飞凌半导体公司将参加“第三届家电IC创新技术与节能管理研讨会”,该公司高级工程师周伟将发表《用于电机驱动的创新IGBT: RC Drives IGBT》演讲,重点介绍英飞凌全新的RC-Dr