标准和定制解决方案可满足严苛要求Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛
制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。这种芯片组的特点是导通电压损耗非常低、具备大电流高电压快速开通行为和高鲁棒性的短路行为。在
1、西班牙智能电表惊现漏洞 可导致大面积停电近来,研究人员发现西班牙所使用的智能电表中存在安全漏洞,此次西班牙电表中发现的安全漏洞可能允许黑客进行计费欺诈甚至关闭整个电路系统,造成大面积停电事件发生。原
适合工业用电机、焊接、太阳能、感应加热和不间断电源应用21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅
集成电路(俗称“芯片”)的研发应用,我国与发达国家存在较大差距。在电力领域,进口芯片一直处于垄断强势地位,长期以来,我国输变电设备与配用电设备中的核心芯片进口产品分别占到95%和80%,芯片已经成为
在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器件。在80年代,IGBT面市,它仍然是一种电压控制
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的&
随着功率电子和半导体技术的快速进步,各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件,以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通(NPT) IGBT相比,场截止(FS)
大功率IGBT高频逆变电焊机电路如下图所示:
80年代问世的绝缘栅双极性晶体管IGBT是一种新型的电力电子器件,它综合了GTR和MOSFET的优点,控制方便、开关速度快、工作频率高、安全工作区大。随着电压、电流等级的不断提
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关
计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下,外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升
通常,在电机驱动应用中需要很多不同类型的保护,包括保护功率晶体管、电机或系统的任何部件。变频器的电流保护是其中至关重要的一项。它不仅能预防对功率晶体管的任何
意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正
【导读】新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态。 新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国
若从安装在汽车分电器中的机械触点技术算起,点火系统经已走过一段很长的发展历程。最新的点火IGBT、混合信号IC及封装技术,使“线圈上开关”技术所允许的种种系统优势得以实现。因此,本文分析了汽车点火
【导读】12月14日,具有世界最先进水平的首批最大功率IGBT产品在中国北车永济电机公司成功下线,使企业成为世界第四个、国内第一个能够封装6500V以上电压等级IGBT的厂家。这标志着我国与世界发达国家站在同一技术平台
【导读】英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)今日宣布其位于中国北京经济技术开发区的全新子公司——英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业。新公司注册资本1,500万美元,将进一步加强公司对高能效
【导读】据了解,英飞凌科技股份有限公司日前宣布其位于中国北京经济技术开发区的全新子公司——英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业。新公司注册资本1,500万美元,将进一步加强公司对高能效、移动性和安全性的