高频领域HL402的正确应用接线图
IR2110应用的典型连接图
引言随着电力电子器件制造技术的发展,高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点,而越来越多地
随着电力电子技术的高速发展,电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切,而电子设备都离不开可靠的电源,进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化,率先完成计算机
1 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MO
硬开关斩波电路中的IGBT的关断电压波形电路
IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示
分布式光伏蓄势待发,2013年国内装机需求将大幅增加。欧盟“双反”的大背景下,国内对于分布式光伏的支持更加坚决,补贴政策呼之欲出。各地分布式项目已准备充分,一旦政策开闸将迎来爆发,保守估计2013年国内新
英飞凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管&m
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了
IGBT控制电路原理图如下图所示,本电路可用于 中频加热系统。 其中,LM565是集成锁相环电路,其功能是提供频率稳定的方波信号,通过调节电位器VR1即可改变LM565的输出频率。
关注点一:功率半导体器件性能1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几
新的IGBT器件扩充了额定电流范围,为UPS、电火锅、电饭煲及微波炉等电源应用提供高能效、高速开关能力21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)持续扩充高性能绝缘门双极晶体
21ic讯 Power Integrations 旗下子公司 IGBT 驱动器制造商 CT-Concept Technologie AG宣布推出全新双信道 IGBT 驱动器核心,能处理高达 4.5 kV 的电压。采用基于变压器的信
高压IGBT的性能显著提高。现今最常用的IGBT技术是场截止IGBT(FS IGBT)技术,它结合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT结构的优点,同时克服了两者的缺点。FS IGBT在导通状态时提供
近年来,现代逆变电源越来越趋向于高频化,高性能,模块化,数字化和智能化。 文中研制的逆变电源控制系统以TMS320F2812 作为控制核心,它是一种支持实时仿真的32 位微控制
近日,中国南车旗下株洲南车时代电气股份有限公司自主研制的轨道交通用3300伏电压等级IGBT芯片通过鉴定。这也是我国首款具有完全自主知识产权的IGBT芯片,将能够成功批量装车应用,填补了我国在该领域的空白。IGBT即
随着电力电子技术的发展, 逆变器的应用已深入到各个领域, 一般均要求逆变器具有高质量的输出波形。逆变器输出波形质量主要包括两个方面, 即稳态精度和动态性能。因此, 研究既具有结构和控制简单, 又具有优良动、静态性能的逆变器控制方案, 一直是电力电子领域研究的热点问题。
IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术,将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较
摘要:为了优化水冷散热器散热能力,保障其可靠工作,引用了传热学中的基本原理与公式,以散热器外形的机械尺寸、水的强制对流换热系数和水的导热系数作为参数及变量推导了散热器水冷热阻的计算公式。同时为了满足实