6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故,导致部分工厂要停产到这个月,再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁,连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。
这几天全球NAND闪存市场到了一个敏感的时刻,大环境下NAND闪存价格依然在下滑,三星、东芝、西数、美光等公司的营收及盈利因此大受影响,而东芝位于日本四日市的NAND工厂日前出现了断电事故,此事有可能
近期,价格“跌跌不休”的NAND Flash(闪存芯片)市场,突然遇到了产业变动。7月初,日本经济产业省宣布,自7月4日起,包括“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩国出口。
NAND闪存的价格一跌再跌,2019年第一季度TLC闪存的晶圆合约价下跌了19~28%,eMMC/UFS类闪存合约价下跌了15~20%,消费级固态硬盘价格跌了17~31%,企业级固态硬盘跌了26~32
从去年初到现在,全球NAND闪存市场已经连跌了6个季度,导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑,多家厂商还削减了产能,其中美光削减的NAND产能从之前的5%增加到了10%。
从去年初到现在,全球NAND闪存市场已经连跌了6个季度,导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑,多家厂商还削减了产能,其中美光削减的NAND产能从之前的5%增加到了10%。
SK海力士26日正式宣布,已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前,该公司宣布了96层4D NAND芯片。
根据集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查指出,随着美中贸易争端升温,2019年智慧型手机及伺服器的需求量将低于原先预期,加上中央处理器(CPU)缺货问题,仍对笔记型电脑出货略有影响,导致eMMC/UFS、固态硬盘(
爱达荷州博伊西(2019 年 6 月 6 日)——创新内存和存储解决方案的行业领导者——美光科技股份有限公司今日发布针对汽车应用的新型UFS 2.1 托管型NAND 产品。该产品组合满足了车载信息娱乐系统和仪表板对快速系统启动和更高带宽的需求,从而增强了驾驶体验。Micron® UFS2.1 兼容的托管型 NAND 存储解决方案采用高性价比的 64 层 3D TLC NAND 架构,可提供超快速启动和汽车级可靠性。
NAND闪存价格已经连跌了6个季度,这让上游NAND厂商三星、东芝、美光等损失惨重,纷纷削减NAND产能。在群联台北电脑展上,群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本,未来跌幅会收窄,需求则会升温。
集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,今年第一季除了受到传统淡季因素影响外,智能手机及伺服器OEM厂从去年第四季便因需求疲弱而开始调节库存,进一步使得各项产品的位元出货量表现均呈现衰退,导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到去年第一季以来最剧烈的一季。而第一季NAND Flash品牌厂营收季减约23.8%。
中国上海 – 2018 年 5 月 20日 – 特殊化学品和先进材料解决方案领导企业 Entegris Inc.(纳斯达克交易代码:ENTG)宣布其已在湖北省武汉市开设第五家中国办事处。武汉办事处集结一支融销售、客户服务、技术支持和产品管理为一体的专家团队,致力于为中国中西部地区的客户提供业内最优质的服务。
集微网消息,今日于上海举办的GSA Memory+高峰论坛上,群联电子董事长兼首席执行官潘健成表示对于包含着四个主要要素计算、存储、连接及传感的IoT行业,NAND存储是关键。
2019年全球半导体市场凛冬将至,从以往的牛市转向了熊市,主要原因就是存储芯片价格不断下跌,其中DRAM内存芯片去年Q4季度才开始由涨转跌,不过NAND闪存比DRAM内存“倒霉”多了,实际上2018年上半年就开始跌价了,一直跌到了现在。
Fidelix的加入对东芯无异于锦上添花,需要强调的是,Fidelix在韩国是继三星、海力士之后的第三大存储器芯片生厂商。因此,东芯半导体有着和主流市场接触和竞争的机会,也有了引领国内存储技术发展的使命。是目前国内唯一可以同时提供NAND/ NOR/DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。
威刚受惠快闪存储器(NAND Flash)产品出货畅旺,3月营收攀高至22.68亿元,创4个月新高。威刚表示,因NAND Flash跌价刺激SSD需求回笼,单月产品营收比重已近25%,为2017年2月来新高,DRAM产品营收贡献则占50.85%。
美光公司已宣布计划将其DRAM和NAND闪存产品的产量削减5%,并将资本支出将调降5亿美元,用来抵消内存价格下跌带来的影响。
根据外媒Business Wire近日消息,赛普拉斯 (Cypress) 和 SK 海力士新成立了一家名为 SkyHigh Memory Limited的合资公司,目前已获得反垄断监管部门的批准。新公司预计将于2019年4月1日开始启动全面运营。
据报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。
根据外媒的报道,东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。