这篇文章对于我的U-Boot移植起了重要作用,阐述了U-Boot从NAND Flash启动需要做的修改,但是其做法并不是完全正确(只是个人意见)。在这里谢谢Bekars涡轮增压!! 这篇文章转载自他的博客:http://blog.csdn.net/
内存品牌胜创(KINGMAX)近日推出了全新的M.2 SSD产品—;—;Zeus M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 SSD PX3480。PX3480与大多数M.2 NVMe 1.3
首先明确一下我们的编程步骤。(1)、加电在nand_flash加载boot.s中4K以内的程序。这4k将自动拷贝到SRAM(片内RAM)执行。(2)、我们需要用这4k的程序实现nand-flash中4K以后的程序的拷贝(当然,拷贝到SDRAM基址为
引言 当前各类嵌入式系统开发设计中,存储模块设计是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器的容量较小、写入速度较慢,但因其随机读取速度快,因此在嵌入式系
为什么会有两种启动方式?这就是有两种FLASH 的不同特点决定的。NAND FLASH 容量大,存储的单位比特数据的成本要低很多,但是要按照特定的时序对NAND FLASH 进行读写,因此CPU 无法对NAND FLASH 的数据进行直接寻址,
2410支持从nand flash启动。通过将flash中最开始的4k代码拷贝到,2410片内的一块不用初始化的sram中运行,该拷贝过程完全由硬件支持,无需软件操作。 Nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2410上电后,Nand F
鉴于半导体行业显然处于下行周期中(尽管有愚蠢的人否认周期性的存在),大多数投资者和行业参与者都想知道下行周期的时间和复苏的形态,因为我们想知道何时再购买股票是安全的。我们也想尝试预测复苏的爬升速度,以评估行业和股票的增长。
日前,业界领先的半导体供应商兆易创新(GigaDevice)宣布与全球知名电子分销商Digi-Key Electronics合作。兆易创新的SPI NOR Flash及NAND Flash等闪存产品可通过Digi-Key实现全球即时发货,并在交货周期及产品价格上更贴近客户需求。
受惠于NAND Flash每GB价格下探0.1美元的甜蜜点,终端需求大爆发,三星、SK海力士、美光、东芝等均继续积极扩充NAND产线,此举对以量取胜的封测大厂力成与华泰来说,是一大佳音。近两年,2D NAND转向3D NAND,处于克服良率的阶段,产能自然减少,导致后段封测厂订单不理想,但近期因3D NAND良率持续提升,市场供给量增加,虽导致NAND报价快速且长时间的下滑,但也因为报价跌到市场可大量接受的甜蜜点,致使需求量快速拉升。
早在今年的FMS国际闪存会议上,SK Hynix就宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。
工控储存领导厂商宜鼎国际,旗下工业级3D NAND SSD将正式于10月份开启全球量产,稳步提高产能。宜鼎国际董事长简川胜表示,为提供业界高等级工控品质,宜鼎3D NAND TLC花费超过两年时间进行前期导入测试以及工规等级的压力震动测试,目前已成功导入客户端,并持续以高端规格支持工控产业升级。
OK6410裸机简单的NAND FLASH驱动,只写了个简单的函数,读取一页 /**********************************************************
房地产泡沫喊了好多年了也没见多少破裂,半导体行业里却遇上了!还记得去年存储产品的疯狂涨价吗?现在开始价格就像过山车开始下坡了。2016年下半年开始的新一轮存储芯片的旺季,DRAM内存及NAND闪存的价格从那时候开始
导致西数业绩大降的因素除了HDD、NAND市场自身原因之外,还有很重要的外因,那就是某厂商的处理器缺货,西数没有指明品牌,不过大家都知道这是在说英特尔,早前也有分析称英特尔14nm产能不足将会导致整个PC产业链受到影响,现在也应验了。
1978年10月18日,美光公司正式成立,现今差不多是美光成立四十周年,如今的美光已经是全球第四大半导体公司。除了四十年纪念日,今天美光还宣布了一件事,那就是收购与英特尔合资的IM Flash(简称I
据日本共同社(Kyodo News)24日报道称,全球第二大NAND闪存制造商东芝内存公司(Toshiba Memory)最快将于2019年秋季IPO(首次公开招股)。
Crucial P1 SSD可提供最高2000MBps读取与1700MBps写入的表现,而在PCMark 8的混合模式测试可达到565MBps与5084分的表现,通过搭配SLC缓存构成动态写入加速,具备180万小时的MTTF与耐用性达200TB的写入量,平均功耗仅100mW。QLC闪存颗粒相比以往的MLC、TLC速度低、稳定性更差,所以售价方面想必也会更低一些,比较适合系统内没有重要文件的用户使用。
Western Digital(西部数据)公司近日推出了全球首款名为“i-NAND AT EU312 EFD”的3D TLC NAND车用嵌入式快闪存储器,以满足高级辅助驾驶系统(ADAS)和自动驾驶汽车等先进汽车系统的需求。
本次工程是要同时实现SD卡读卡器和NAND Flash模拟U盘的功能。结合之前的两个工程,稍稍修改下就可以了。既然要实现两个盘,当然在usb_prop.c中的Max_Lun变量赋值为1,在USB_User组中同时添加fsmc_nand.c和sdio_sdcar