-
美光流片第四代3D闪存：全新替换栅极架构
美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。 美光第四代3D闪存堆叠了最多128层，继续使用阵列下CMOS设计思路，不过美光与Inte
-
128层4D NAND即将量产
据报道，SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。
-
科技进步：中国首次量产 64层3D NAND闪存芯片
近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
-
报告：DRAM价格将继续走低 二季度内存跌幅近10%
据DRAM Exchange最新报告称，DRAM市场正在降价、且趋势是会继续走低。 这份报告中指出，今年第二季度，DRAM价格下跌了近10%。目前的状况是供大于求，这是内存市场将持续下跌的部分原因。对
-
最小级别嵌入式NAND闪存产品
东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品，这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e.MMCTM标准，适用于各种广泛的数字消费产品，包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动，8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。
-
日本“祸害”全球NAND闪存市场 传SSD厂商限量供货、涨价15%
从去年初到现在，全球NAND闪存市场已经连跌了6个季度，导致的后果就是六大NAND闪存供应商营收及盈利不断下滑，多家厂商还削减了产能，其中美光削减的NAND产能从之前的5%增加到了10%。 关于NAN
-
NAND涨价！模组厂开始囤货限量供应
7月8日，台湾存储器模组厂威刚否认了暂停出货SSD的传闻，并表示为应对目前NAND Flash价格上扬，在前景有待观察的情形下，将限量供货，并优先支持老客户。随着NAND Flash供应商陆续紧缩供给
-
改名铠侠的东芝存储将有大动作 一切只待闪存涨价
作为NAND闪存的发明人，虽然市场地位已经被三星超越，不过东芝存储（Toshiba Memory）的名字已经为人熟知，可惜今年10月开始这个名字就改为“Kioxia”，公司中文名为“铠侠株式会社”。
-
SK海力士：Q4季度内存价格将稳定 明年推128层NAND闪存
韩国SK海力士日前发布财报，Q2季度中营收6.45万亿韩元，同比下滑38%，运营利润只有6376亿韩元，同比暴跌了89%，净利润仅为5370亿韩元，约合4.6亿美元，同比暴跌了88%，创下了三年来最低
-
3D NAND 闪存高密度发展，未来将走向何方？
3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash，3D NAND 闪存)的高密度发展正如火如荼地进行着。通过增加存储单元(Memory Cell)在垂直方向上的堆叠(3D堆叠)数量(Word Line的堆叠数)，3D NAND闪存的高密度化、大容量化已经基本得以实现。通过融合3D堆叠技术、多值存储技术(在1个存储单元上存储多个bit的技术)，获得了具有较大存储容量的Silicon Die(硅芯片)。
-
库存压力未除 NAND Flash第二季价格跌势难止
全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示，今年首季NAND Flash合约价跌幅颇重，展望第二季，因供应商库存压力未除，第二季价格跌势恐将难止。今年第一季除了受到传统淡季
-
三星美光等公司加速96层堆栈闪存量产 2020年成为主流
6月中旬全球第二大闪存供应商东芝在日本5座NAND闪存工厂遭遇断电事故，导致部分工厂要停产到这个月，再加上本月初爆发的日本与韩国之间的贸易制裁，连跌了6个季度的闪存市场存在着多种不确定性。 影响闪存价
-
光宝科：NAND Flash仍供过于求，下半年趋于缓跌
尽管日前日本NAND Flash大厂东芝爆出停电导致产能受阻的消息，不过，光宝科总执行长陈广中表示，整体来看，NAND Flash整体市况还是处于供过于求，因此预料下半年报价应该还是会处于缓跌走势。
-
三星电子将提高NAND闪存价格 美光有意效法
7月11日消息，据BusinessKorea报道，三星电子计划将NAND闪存价格提高10%，且美光科技有意效法。报道称，NAND闪存的库存已经降至四周，约为DRAM的一半，但需求出现上扬。Busine
-
净利暴跌88%：闪存巨头计划年内削减15%产量
2019年2季度，SK海力士的NAND闪存出货量环比增长了40%，主要原因是该公司增加了72层3D NAND的产量。继三星推迟254亿美元的DRAM工厂项目之后，SK海力士也计划在今年内将3D NAND闪存减产15%，以放缓产能扩张速度。
-
第2季旺宏营收季增24% NAND Flash占比63%
存储器大厂旺宏25日召开线上法说会，并公布2019年第2季营收数字。营收为74.79亿元新台币(新台币，下同)，较第1季增加24%，较2018年同期减少16%。毛利率27%，较第1季增加2个百分点，较2018年同期则是减少18个百分点。税后纯益2.64亿元，每股EPS 0.14元。
-
日韩贸易战效应 群联：NAND价格有望再涨30%
NAND Flash近期市况热门，日韩贸易战更让NAND Flash价格看涨。NAND Flash控制晶片暨模组厂群联董事长潘健成表示，7月以来，现货价格已经涨约超过一成，理性来看，未来还有20%至3
-
三星回应：不会对NAND减产
对于三星来说，由于日本在三种关键材料上的管控，将导致他们有内存、OLED屏断供的风险。今天早些时候，有消息称，由于需求下滑以及日本的出口限制，三星电子和SK海力士计划削减NAND闪存芯片产量。报道中还
-
东芝存储改名铠侠，明年或重新上市
作为NAND闪存的发明人，虽然市场地位已经被三星超越，不过东芝存储(Toshiba Memory)的名字已经为人熟知，可惜今年10月开始这个名字就改为“Kioxia”，公司中文名为“铠侠株式会社”。
-
新款UFS 3.0 嵌入式闪存盘助力实现5G移动性
西部数据公司发布新款嵌入式闪存盘，旨在从速度和容量方面更好地优化超高端智能手机及移动设备的功能，丰富5G时代环境下智能手机用户的移动体验。
