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英特尔亚太NAND Flash操盘手变更调整
英特尔(Intel)跨足NAND Flash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡厂将于2011年投产，却不见英特尔投资身影，近期英特尔在亚太区NAND Flash操
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英特尔亚太NAND Flash操盘手换将 存储器厂哗然
英特尔(Intel)跨足NANDFlash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡厂将于2011年投产，却不见英特尔投资身影，近期英特尔在亚太区NANDFlash操盘
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2011年平板计算机起飞 带动NAND Flash需求
集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，在Android可望逐渐成熟，市场接受度提高，预期2011年平板计算机出货量由今年的1500万台大增至5000万台的规模，可说是平板计算机起飞年，将带动内建式NAND Flash
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2011年平板计算机起飞 带动NAND Flash需求
2011年平板计算机起飞 带动NAND Flash需求
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美光新加坡厂明年投产 NAND Flash卡位战再起
美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研发出
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台湾插足快闪存储器产业
全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研
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东芝日本厂跳电受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的
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东芝日本厂跳电 受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次
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Intel-镁光公布25nm NAND细节 采用Airgap技术
在本月6日至8日举办的IEDM2010旧金山大会上，Intel与镁光两家公司合作展示了其25nm NAND制程的细节，有趣的是，这种制程竟然会是首款将曾被IBM热捧的AirGap（空气隙型介电层）技术商用化的产品。当初IBM用来解释Airg
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美光发布25nm闪存芯片ClearNAND
正当涉足NAND闪存业务整整一年之际，美光于12月2日新推出一种功能强大且封装紧密的25nm MLC处理器，这可使美光在当前的闪存市场处于更加有利的地位。这款命名为ClearNAND的芯片分为标准型和增强型两个版本，标准版的
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Intel、三星、东芝携手，打算在2016年迈进10nm制程
在日本官方组织经济产业省的赞助下，Intel以及分属全球NAND产量第一与第二大的三星以及东芝（还有一些与半导体相关的日商），开始著手针对半导体制程合作；这项总支出达100亿日圆的合作案，有一半是由经济产业省埋单
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应用材料：2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长
针对2011年半导体资本支出的趋势，设备大厂应用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash厂资本支出将大幅成长，幅度将胜过DRAM产业，晶圆代工也仍然相当强劲，预估整体半导体设备市场将有持平至5%的成长幅度。
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朝鲜半岛交锋 台DRAM产业仍难救赎
南朝鲜军事紧张情势再度升高，由于韩国是全球存储器DRAM和NAND Flash生产重镇，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合计囊括全球超过60%市占率，NAND Flash则合计有超过50%市占，加上台湾DRAM产业近2年来被
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多芯片封装(MCP)解决方案供货商科统
多芯片封装(MCP)解决方案供货商科统成立于2000年9月，目前股本为5.57亿元，主要股东包括联电集团、硅统科技及联阳半导体等，目前产品线除了MCP解决方案之外，还包括随身碟、快闪记忆卡、固态硬盘(SSD)等，2010年第1季
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东芝为提高获利 有意关闭芯片厂
日厂东芝(Toshiba)计划于2010年内关闭旗下4座NAND Flash厂中的1座旧世代厂房，以利将资源集中于2011年即将投产的新厂房。此外，东芝亦拟自2011年起将系统芯片生产委外，以提振获利。 负责东芝半导体事业的子公司Semi
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相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
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42奈米制程 明年Q2量产
支应集团DRAM事业制程升级大计，南科（2408）规划办理99亿元现增，台塑四宝依持股，连手斥资40.8亿元大力相挺。南科董事长吴嘉昭昨（16）日表示，集团DRAM在年底华亚科全面导入50奈米制程后，亦即完成导入堆栈式改变
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2011年全球DRAM经营惨淡
2010年对于全球半导体产业而言，可说是值得纪念的一年，拓墣产业研究所研究员陈兰兰表示，2010年全球半导体产业年成长率将高达30%，创下10年以来新高纪录。然而，受到PC产业成长趋缓影响，2011年全球半导体产业仅将成
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