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三星资本支出与预期大相径庭
三星电子执行长崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的资本支出也不会减少，且还会高于原先预期，因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画；这象征在DRAM 产业价格血流成河，且NAND
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三星今年资本支出不降反升 同业担忧
外电指出，三星电子(Samsung Electronics)执行长崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的资本支出也不会减少，且还会高于原先预期，因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画;这象征在
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高性价比NAND将对DRAM芯片市场形成严重威胁？
据一家市调公司Objective Analysis对近300个PC性能测试数据进行研究后得出的结论，他们认为NAND闪存将会对DRAM内存产业形成严重的威胁。他们的研究报告名为《看PC NAND闪存如何削弱DRAM内存的影响力》，文中列举了大
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苹果iCloud全面终结者NAND需求？
由于iPad和iPhone等产品热销，预计今年苹果仍将是全球最大的NAND闪存买家，占全球需求的30%左右。但据IHS iSuppli公司的报告：“Will iCloud Bring an End to Local NAND Storage”，苹果新推出的iCloud存
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三星电子韩国新NAND厂预计9月投产
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。2010年5月时，三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透
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三星电子韩国新NAND厂预计9月投产
三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。2010年5月时，三星在韩国京畿道(GyeonggiProvince)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透露
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业内消息：三星Line-16晶圆厂9月投产
据业内媒体提供的最新消息显示，韩国电子三星公司旗下半导体工厂Line-16预计将于今年9月份正式投产。其实早在2010年5月三星就已经举行了新内存芯片制造厂Line-16的动土典礼，据悉该厂总造价约为12兆韩元(约50亿美元)
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业内消息：三星Line-16晶圆厂9月投产
据业内媒体提供的最新消息显示，韩国电子三星公司旗下半导体工厂Line-16预计将于今年9月份正式投产。其实早在2010年5月三星就已经举行了新内存芯片制造厂Line-16的动土典礼，据悉该厂总造价约为12兆韩元(约50亿美元)
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东芝和SanDisk日本建第3个NAND半导体工厂
据国外媒体报道，日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半导体，工厂名称为“Fab 5”。 这
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苹果的iCloud可能危及未来的NAND需求
由于iPad和iPhone等产品热销，预计今年苹果仍将是全球最大的NAND闪存买家，占全球需求的30%左右。但据IHS iSuppli公司的报告：“Will iCloud Bring an End to Local NAND Storage”，苹果新推出的iCloud存
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东芝半导体新工厂投产应对智能手机需求
为应对智能手机旺盛需求，东芝半导体新工厂12日正式投产，预计8月出货。 据日本共同社7月13日报导，东芝在三重县四日市市新建的四日市第五工厂12日举行了竣工仪式。 工厂已从7月开始量产半导体产品，计划于8月起出
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三星、东芝NAND Flash市占差距缩减至0.3%
据韩国媒体报导，2011年第1季NANDFlash市场上，日厂东芝(Toshiba)猛力追击，以市占率0.3%差距，威胁三星电子(SamsungElectronics)8年来业界第1的地位。然而在快速成长的行动DRAM市场上，三星仍坐拥压倒性的市占率。外
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基于FPGA的NAND Flash ECC校验
摘要 基于Flash存储器的Hamming编码原理，在Altera QuartusⅡ7．0开发环境下，实现ECC校验功能。测试结果表明，该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据，能够检测出1 bit错误和2 bit错误，对于1 bit错误
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存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认
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存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后，第3季景气恐没有这么快复苏，业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后，会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬，但业界对于DRAM市场看法则是分歧，7月合约价续跌已成定局，部分业者认
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Zain任命约旦子公司新CEO
北京时间7月5日早间消息（蒋均牧）Zain集团日前宣布，已任命Ahmad Al Hanandeh接替Abdul Malek Al Jaber博士为约旦子公司首席执行官。后者结束了其在Zain约旦为期两年的首席执行官任期，并已决定将自己的未来奉献给
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西班牙电信全球CIO :IT的战略价值吸引了我
对于西班牙电信集团来说，选择Fernanda Torquati作为其全球CIO来整合全球IT是个理想的选择，因为她兼有业务和IT背景。而对Fernanda Torquati来说，选择CIO这个职业却是时势造就人——因为IT在企业战略中所
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MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能
磁性随机存储器(MRAM)供应商Crocus Technology声称已开发出一种称之为磁性逻辑单元(Magnetic Logic Unit,MLU)的技术，它可匹配其热辅助磁性转换(TAS)技术，除了储存以外还可用于存储器存取，开启了使用在MRAM中实现类
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2011年全球半导体资本设备支出将增10.2%
全球技术研究和咨询公司Gartner指出，2011年全球半导体资本设备支出将达到448亿美元，与2010年406亿美元的支出相比，增长10.2%。然而，Gartner分析师也指出，半导体库存出现修正，再加上晶圆设备制造供过于求，将导致
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Gartner：半导体资本设备支出将增长10.2%
Gartner指出，2011年全球半导体资本设备支出将达到448亿美元，与2010年406亿美元的支出相比，增长10.2%。然而，Gartner分析师也指出，半导体库存出现修正，再加上晶圆设备制造供过于求，将导致2012年半导体资本设备支
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