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移动设备应用扩大NAND Flash投资
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。 据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NAND Flash位元成长率(Bi
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移动设备应用增 三星、海力士扩大NAND Flash投资
由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)需求暴增，三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)2011年双双提升NANDFlash芯片产量。据韩国电子新闻报导，三星和海力士2011年NANDFlash位元成长率(BitGrowt
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力成 首季财报激励 突破反压
力成（6239）首季财报缴出亮丽成绩单，本季营收可望持续成长，激励力成上周五股以涨停板104元作收，股价突破所有短中长期均线反压，投信、外资分别回补持股。 力成上周召开法说会，董事长蔡笃恭对第2季营运展望乐
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C8051F的超大容量Flash存储器扩展
摘要：NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择，当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证，揭示了NAND结构Flash的操作规律。引
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美光：内存厂要DRAM、NAND Flash双栖 否则存活不易
美光(Micron)企业发展副总裁MichaelSadler表示，内存产业正从谷底复苏，最坏情况已过，未来DRAM产业将处于供给平衡状态，NANDFlash产业则会供不应求，且在平板计算机(TabletPC)、固态硬盘(SSD)等应用对于NANDFlash芯
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美光：不排除授权华亚科代工NAND Flash
由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NANDFlash供货锐减50%，美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求，除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能
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力晶冲刺晶圆代工业务，估年底占产能逾半
力晶(5346)标准型DRAM未来将转为尔必达代工生产，在自身的产能调配上将更加灵活，力晶发言人谭仲民说，接下来将全力冲刺晶圆代工业务，预估今年底将占超过一半产能，另外，由于公司矽晶圆的料源供应相当分散，其中一
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东芝将量产19nm工艺64Gbit NAND
东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年第三季度(2011年7～9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品，还计划推出
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NAND Flash嵌入式存储系统结构分析
NAND Flash嵌入式存储系统结构分析
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Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm，不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里，而果不其然，它们又再度携手，将技术推至20nm，并且打造出仅118mm平方大小的8GBMLC Flash，比
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英特尔美光合约结束 IM新加坡厂动向成关键
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Tech
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英特尔美光推20纳米级NAND芯片 下半年量产
据国外媒体报道，英特尔和美光周四推出一种新型闪存存储制造技术，这一技术使电子存储芯片设计更加密集化，有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级的 NAND芯片产品估计可在今年下半年大量生产。英特尔和美光曾经合
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Intel与美光将NAND Flash推向20nm制程
在去年，Intel与美光的NAND合资的IMFT公司迈入25nm，不过一向崇尚摩尔定律的半导体业界又怎可能把技术卡在这里，而果不其然，它们又再度携手，将技术推至20nm，并且打造出仅118mm平方大小的8GB MLC Flash，比起25nm更
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英特尔、美光合约将尽 IM新加坡厂动向成关键
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，传出5年合约已届期满，将于近日宣布最新的合作方向；由于2010年底美光独自启动新加坡厂IM Flash Tec
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支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器设计
摘要：先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方
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日本地震将推高2011年全球芯片营收50亿美元
研究机构IHSiSuppli周三称,今年全球半导体销售可能上升7%至3,252亿美元,因上个月发生的日本地震提振电脑存储芯片价格.该公司2月时的预估为成长5.8%至3,201亿美元.iSuppli预计,动态随机存取记忆体(DRAM)受到的影响将最
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存储器模块业淘汰赛再起 台美联手击退日系阵营
日本老牌存储器模块厂荻原系统(Hagiwara Sys-Com)由于负债累累，日前惊传申请日本民事再生法，亦即破产保护，让业界相当震惊。荻原过去在存储器模块领域曾经红极一时，成立时间也超过30 年，与NAND Flash大厂东芝(T
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力成成交量急萎缩，有利反弹
存储器封测厂力成科技（6239）公布去年合并营收达378.3亿元，税后净利为76.47亿元，每股净利达10.89元，赚进一个股本，而力成也决议今年拟配发5元股利，包括4元现金股利及1元股票股利。力成上周五股价上涨2.8元，以9
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力威成交量急萎缩 有利反弹
存储器封测厂力成科技（6239）公布去年合并营收达378.3亿元，税后净利为76.47亿元，每股净利达10.89元，赚进一个股本，而力成也决议今年拟配发5元股利，包括4元现金股利及1元股票股利。力成上周五股价上涨2.8元，以9
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ONFI3.0闪存规范带来400MB/s以上速度
ONFI(Open NAND Flash Interface) 本周发布了最新 ONFI 3.0 标准，可让 SSD 固态硬盘存取速率加倍。这个称为 NV-DDR2 的新接口规格，将 SSD 传输速率提升到 400MB/s，并可简化芯片的接脚数目让印刷电路板(PCB)设计
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