SRAM

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静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

东芝新款微控制器“TMPM36BF10FG”可提供片上SRAM

21ic讯东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出一款基于ARM Cortex™-M3内核的全新TX03系列微控制器“TMPM36BF10FG”，配备了1M字节的闪存ROM和258K字节的SRAM。该产品计划于9月份投入量产。背景

单片机
2013-07-02

SRAM TMP 东芝微控制器
Osram计划关闭Tangerang工厂

Sharp考虑缩小LED照明业务 Sharp公司考虑缩小LED照明业务，以应对来自中国和韩国在LED市场上的价格竞争。Sharp于2008年进军LED照明领域，在国内拥有领先的市场份额。但是，来自于LED照明这部分的营收，仅占该公司总营

显示光电
2013-05-13

GE OS AN SRAM
ATmega2560外部SRAM扩展键盘的应用设计

摘要：文中从应用的角度出发，设计了一个基于ATmega2560微控制器外部SRAM扩展键盘的应用系统。从硬件的原理框图到软件都给出了详细的设计。关键词：ATmega2560；外部SRAM扩展；键盘；应用设计 ATmega2560微

工业控制
2013-04-23

键盘应用设计 ATMEGA2560 SRAM
基于SRAM的核心路由器交换矩阵输入端口设计

摘要：交换矩阵是核心路由器的重要组成部分，为了避免来自不同输入端口的信元同时发往同一个输出端口，需要在输入端口设置缓冲区，即输入排队交换结构。基于静态随机存储器完成了交换矩阵输入端口虚拟输出队列(VOQ)的

通信技术
2013-04-22

端口矩阵核心路由器 SRAM
一种散列表的FPGA设计与实现

摘要：文章在简要介绍散列表工作原理的基础上，提出了一种分离链接散列表的FPGA实现方案，并对方案涉及的各功能模块实现进行了详细阐述。关键词：散列表；FPGA；Wishbone总线；SRAM 0 引言在软硬件开发过

电子设计自动化
2013-04-18

缓冲区 FPGA设计 BSP SRAM
GlobalFoundries搞定20nm 3D硅穿孔工艺

GlobalFoundries今天宣布已经达成了3D堆栈芯片历程上里程碑式的关键一步，在位于美国纽约州的Fab 8新工厂内成功获得了第一块结合了硅穿孔(TSV)技术的20nm工艺晶圆。硅穿孔(TSV)已经提出了很多年，在半导体工

模拟
2013-04-03

芯片 VIA GLOBALFOUNDRIES SRAM
Osram Ostar Stage多芯片LED为舞台聚光灯领域新增可调白光

欧司朗光电半导体最新推出 Osram Ostar Stage LED，照度高达4800 万坎德拉/平方米（即 48 Mcd/m2），可调色调范围涵盖冷白到暖白。它采用极其纤薄的设计，结合盖玻片表面覆盖的防反射涂层，能够形成极窄的光束，是紧

显示光电
2013-04-03

芯片 LED OS SRAM
Xbox 720内存架构细节曝光：ESRAM带宽102GB/s

之前我们已经报道过Xbox 720(Durango)的CPU和GPU详情，而现在我们又得到了这款新一代游戏主机内存子系统的一些信息。Xbox 720内存子系统的核心是北桥和GPU内存。该内存系统需要支持多个组件（比如CPU和

智能硬件
2013-03-20

内存带宽 XBOX SRAM
东芝打造新型智能机SRAM内存，最多可省电85%

内存仍然是目前智能手机身上的耗电大户：内存几乎一直在使用中，而且即使在移动设备待机时也仍然要消耗电能。东芝最新研发的SRAM可以更好地预测内存激活时需要的电量，并且加入一个更加智能的保持电路

智能硬件
2013-02-28

内存智能机 SRAM 东芝
东芝为嵌入式SRAM开发低功耗技术

东芝为嵌入式SRAM开发低功耗技术

嵌入式动态
2013-02-23

低功耗嵌入式 SRAM 东芝
台积电谈基于FinFET的设计方法：鳍片高度偏差对SRAM影响轻微

在“ISSCC 2013”开幕当天即2月17日（美国时间）举行的“Circuit Design using FinFETs”上，台积电（TSMC）项目总监、首席技术官许炳坚（Bing J. Sheu）发表演讲，介绍了使用FinFET的标准单元、SRAM及模拟电路的设计

模拟
2013-02-20

台积电电源电压 FINFET SRAM
STM32别名区的理解

1. 什么是位段、位带别名区?2. 它有什么好处?答1：是这样的，记得MCS51吗? MCS51就是有位操作，以一位(BIT)为数据对象的操作，MCS51可以简单的将P1口的第2位独立操作： P1.2=0;P1.2=1 ; 就是这样把P1口的第三个脚(B

单片机
2013-02-19

STM32 GPIO ADDR SRAM
基于SRAM的核心路由器交换矩阵输入端口设计

0引言随着光纤通信技术的飞速发展，路由器的数据处理速度成为网络通信的主要瓶颈，交换矩阵作为核心路由器的重要组成部分则严重制约了路由器的传输速率。目前核心路由器交换结构使用较多的有共享内存和Crossbar两种。

电子设计自动化
2013-02-18

端口矩阵核心路由器 SRAM
LED专利布局战：5大LED厂合织独大专利网

台湾工研院光电所经理余昱辰今(29)日出席光电大未来研讨会，他表示，全球5大厂Philips、Nichia、Osram、Toyoda Gosei、Cree等透过相互授权，形成独大专利网，以达到主宰市场目的，进而控制产业链、供应链、价值链，若

显示光电
2013-02-01

Philips LED OS SRAM
LED引爆全球专利布局陆、韩厂崛起

日前，工研院电光所经理余昱辰指出，全球5大厂Philips、Nichia、Osram、Toyoda Gosei、Cree等透过相互授权，形成LED庞大的专利网络，以达到掌握市场生态链。值得注意的是，日本先前为全球LED专利最大创意国，但自200

显示光电
2013-01-30

Philips LED OS SRAM
基于FPGA的SRAM自测试研究

引言　　SRAM有高速和不用刷新等优点，被广泛用于高性能的计算机系统。由于半导体工艺技术的提高以及存储系统多方面的需要，存储器件日益向高速、高集成方向发展，在使系统功能强大的同时，也增加了系统的复杂性

电子设计自动化
2013-01-15

FPGA 耦合 MARCH SRAM
ADI推出集成复杂波形生成功能的DAC

21ic讯 Analog Devices，Inc. (ADI)最近发布了四通道、12位/单通道、14位的180 MSPS波形发生器 AD9106/AD9102，均片内集成静态随机存取存储器 (SRAM) 和直接数字频率合成器 (DDS)，用于复杂波形生成。ADI 最新的 D

模拟
2012-12-14

集成 DAC ADI SRAM
施耐德全新可编程自动化控制器采用赛普拉斯nvSRAM

日前，赛普拉斯半导体公司宣布施耐德电气公司在其两款全新可编程自动化控制器BMXCRA31210与BMXERT1604中设计采用了赛普拉斯的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210与BMXERT1604控制器均采用赛普拉

电子设计自动化
2012-12-12

控制器施耐德编程 SRAM
施耐德电气全新可编程自动化控制器选用赛普拉斯1MB串行nvSRAM

赛普拉斯半导体公司日前宣布施耐德电气公司在其两款全新可编程自动化控制器中设计采用了赛普拉斯的非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210与BMXERT1604控制器均采用赛普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRA

厂商文章
2012-12-11

控制器编程施耐德电气 SRAM
ST扩展32位单片机优势 STM32 F4阵容再添新军

STM32 F427和F437两大系列微控制器产品扩大了STM32 F4现有产品阵容，巩固了意法半导体的产品性能在先进ARM® Cortex™-M4内核微控制器市场的领先地位。这两大系列基于目前性能最高的ARM内核，为运行更多的应

单片机
2012-11-28

STM32 32位单片机 CORTEX-M4 SRAM

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