21ic讯 STM32 F427和F437两大系列微控制器产品扩大了STM32 F4现有产品阵容,巩固了意法半导体的产品性能在先进ARM® Cortex™-M4内核微控制器市场的领先地位。这两大系列基于目前性能最高的ARM内核,为运行
ST扩展32位单片机优势 STM32 F4阵容再添新军
意法半导体推出STM32 F427和F437两大系列微控制器产品
联电(2303)推出具备竞争力的SRAM 80纳米SDDI晶圆专工制程,此技术将赋予次世代智能型手机屏幕高画质优势。此制程现已准备量产,并与数家主要客户针对HD720/WXGA画质的智能型手机产品合作中。 联电宣布,推出新一代8
基于FPGA的可重构系统及其结构分析
帧存是图形处理器与显示设备之间的数据通道,所有要显示的图形数据首先是存放在帧存之中,然后才送出去显示的,因此帧存的设计是图形显示系统设计的一个关键。传统上,可以用来设计帧存的存储器件有多种,如DRAM、VR
可编程逻辑器件主要包括FPGA和CPLD,FPGA是Field Programmable Gate Array缩写,CPLD是Complex Promrammable Logic Device的缩写。随着芯片技术的发展,CPLD和FPGA的概念已经模糊在一起,如Altera和Lattice公司把小容
IC-W5120包含一个话筒顶放级、自动增益控制、平滑滤波、A/D、D/A、喇叭放大器、校准逻辑控制电路,外接串行SRAM(SSRAM)端口。W5120可提供63个语音记录节;可串接多个SSRAM,由高电平触发REC工作;提供长时间记录而
21ic讯 赛普拉斯半导体公司日前推出了 16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 (nvSRAM) 系列,其中包括具备同步 NAND 闪存接口的器件。该系列是业界首款可直接与开放式 NAND 闪存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 总线控
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响,适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在&ldquo
根据美国贸易局的申报案,韩国三星电子公司和西门子集团下的欧司朗(OSRAM)达成LED专利技术官司的协议。日前于美国华盛顿举行的美国国际贸易委员会会议并没有公布有关财务的详细内容。不过,根据LEDinside的了解,三星
根据美国贸易局的申报案,韩国三星电子公司和西门子集团下的欧司朗(OSRAM)达成LED专利技术官司的协议。日前于美国华盛顿举行的美国国际贸易委员会会议并没有公布有关财务的详细内容。不过,根据LEDinside的了解,三星
21ic讯 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出四款业内容量最大、速度最快的新器件,扩展了其串行SRAM产品组合。这些器件还是业内首批5V工作的产品,广泛适用于汽车和工业应用。这些512 Kb和1 Mb
东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化,可抑
据美国媒体《今日美国》报道,LED灯正逐渐占领家居照明市场,但不仅在这一领域,未来预计将成为车辆照明的生力军,有助于提高车辆的燃油效率,尤其对于电动车来说有着极其重要的意义。依据顾问公司麦肯锡的一项报告,
据报道,LED灯正逐渐占领家居照明市场,但不仅在这一领域,未来预计将成为车辆照明的生力军,有助于提高车辆的燃油效率,尤其对于电动车来说有着极其重要的意义。依据顾问公司麦肯锡的一项报告,照明设备制造商OSRAM
采用FPGA与SRAM的大容量数据存储的设计
东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化,可抑
同步SRAM的传统应用领域是搜索引擎,用于实现算法。在相当长的一段时间里,这都是SRAM在网络中发挥的主要作用。然而,随着新存储技术的出现,系统设计师为SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(网流)、计数器、统计、
1.引言由于FPGA 良好的可编程性和优越的性能表现,当前采用FPGA 芯片的嵌入式系统数量呈现迅速增加的趋势,特别是在需要进行大规模运算的通信领域。目前FPGA 配置数据一般使用基于SRAM 的存储方式,掉电后数据消失,