电动汽车的概念对今天的消费者来说并不陌生。近两个世纪以来,电动汽车以多种形式存在。然而,在过去的几十年里,随着技术的进步和特斯拉等公司的成功——随着我们努力应对气候变化、空气污染和化石燃料供应不断减少的影响——越来越多的消费者开始考虑电动汽车比以往任何时候都。
世界正在快速转向电力。电动交通正在以我们从未见过的方式彻底改变移动性。这些话拉开了上周在芬兰举行的电池论坛的序幕。论坛期间,Business Finland 智能移动和电池负责人 Ilkka Homanen 等多位演讲嘉宾;Mari Lundström,阿尔托大学化学工程学院教授;巴斯夫芬兰公司董事总经理 Tor Stendahl;Fortum 电池业务线负责人 Tero Hollander;山特维克技术开发和服务总监 Jani Vilenius 谈到了电池的挑战。
Dialog Semiconductor 宣布推出 AT25EU 系列 SPI NOR 闪存设备,以支持具有严格电源要求的小型设备的开发。Dialog Semiconductor 内存产品工业物联网事业部产品营销高级总监 Graham Loveridge 在接受EE Times Europe采访时表示,AT25EU 旨在结合速度和功率以实现最佳响应。
尽管宽禁带器件近年来已经开始进入商业市场,但其封装设计尚未成熟,尤其是在高温高压应用方面。在本文中,将介绍为此目的而制造的 5 kV 双面冷却 GaN 功率模块(作为由高级研究计划署 - 能源资助的研究的一部分)。
电力电子面临的最严峻挑战之一是效率,必须最大限度地提高效率,以满足国际标准的要求并减少电力浪费,创造更可持续的产品。 任何交流供电的应用都需要电源,从最简单的手机充电器到工业应用中最复杂、功能最强大的SMPS。在理想的电源中,从交流电源汲取的所有功率都可供负载使用。实际上,这只有在电流与电压同相时才有可能。如果电流和电压彼此异相,则电网吸收的部分能量会丢失。电源的功率因数校正 (PFC)级正是执行此任务,试图尽可能接近对应于单位功率因数的理想情况。
随着半导体行业的最新进展,对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中,源极和漏极构成硅化物,而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管,如在 I d -V ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时,小偏置电压极不可能发生,就会发生这种情况。
电力电子涉及从电气化到智能电网的一系列关键应用。是整个行业应对气候变化需求的根本支柱 2022年的PowerUP博览会在6月28日至30日举行。技术会议将包括几个特定主题的主题演讲、小组讨论、技术演示和关于主要技术趋势、市场需求和新的应用领域的教程。除了会议之外,还将有一个展厅,拥有来自主要电力电子公司的虚拟展位,以及一个聊天工具,让参观者可以直接与彼此、与主持人以及展览公司建立联系。
电动汽车设计人员可以通过监控栅极电压阈值来提高牵引逆变器系统的安全性和可靠性。 当消费者购买汽车时,他们认为设计工程师尽职尽责地创造了一款安全的产品。为了达到必要的安全水平,特别是在国际标准化组织 (ISO) 26262 标准方面,车辆内的子系统(例如牵引逆变器)必须包括内部诊断和保护功能,以帮助检测潜在的故障模式。
LM51561具有扩频功能的 2.2MHz 宽输入非同步升压、SEPIC、反激式控制器 LM5156x(LM5156 和 LM51561)器件是一款宽输入范围的非同步升压控制器,采用峰值电流模式控制。该器件可用于升压、SEPIC 和反激式拓扑。
BQ25170 是一款集成式 800mA 线性充电器,适用于针对空间有限的便携式应用的 1 节锂离子、锂聚合物和 LiFePO 4电池。该设备具有为电池充电的单个电源输出。系统负载可以与电池并联,只要平均系统负载不会阻止电池在安全定时器持续时间内完全充电。当系统负载与电池并联时,充电电流在系统和电池之间共享。
Powerbox 推出了用于工业应用的1,200 W AC/DC 电源。OFI1200A 针对传导冷却进行了 优化,无需使用风扇即可在 –40°C 至 95°C 的基板温度范围内提供高性能。该电源可在 85 至 305 VAC 的宽通用输入范围内工作,并具有功率因数校正 (PFC)。
用于医疗和工业市场的 AC/DC 电源变得越来越小,并实现了更高的功率密度。 无论 AC/DC 电源是开放式还是封闭式,甚至是桌面适配器,用于医疗和工业应用的最新电源设备都有一些共同点:它们提供更小的解决方案尺寸并实现更高的功率密度,同时提供更高的效率。
小尺寸面板主要包括手机触摸屏、平板触摸屏、数码相机触摸屏。这些面板和主板之间最常见的数据连接接口是MIPI(移动工业处理器接口)。通过加入 TVS 保护方案,提高 ESD 和 EOS 耐受水平,可以大大降低电子产品在日常生活中受到干扰甚至破坏的机会,从而延长产品的使用寿命,降低返修率,允许消费者对产品的信任度更高,品牌美誉度也随之提高。
在与电子仪器相关的行业中,与传统的硅基半导体相比,宽带隙半导体的创新已被证明是有利可图和有效的。碳化硅 (SiC)宽带隙半导体是最先进的半导体之一,具有显着的相关性。这些半导体在各种参数(如高温、频率、电压等)方面表现相当出色。
毫米波技术领域的不断进步因其波长减小和频带宽而对无线通信系统做出了贡献。这使制造商能够设计更小但性能更高的组件。氮化镓已证明自己在该领域是一种很有前途的半导体,其目标应用包括高功率放大器、宽带放大器和5G无线网络。