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  • 光伏行业产能过剩严重?破产潮或出现

    德国太阳能技术公司SolonSE日前宣布，由于无法和银行、投资者达成友好协议，该公司已正式申请破产，成为德国首家申请破产的太阳能上市企业。仅仅数天后，德国另一家太阳能热发电厂商SolarMillenniumAG也宣布向德国菲尔特地方法院申请启动破产程序。据悉，Solon曾是全球顶尖的太阳能面板制造商，并在1998年成为德国第一家上市的太阳能企业。该公司的股价在德国光伏产业繁荣时期一度达到过89欧元的高点；但在过去1年，Solon的股价遭受了78.73％的暴跌。而破产消息爆出当天，Solon股价就暴跌了46%，收于0.502欧元。除了德国公司，欧洲第二大石油公司BPPLC此前也已决定关闭旗下太阳能单位，并在投资40年之后决定全面退出这个产业。在国内，光伏龙头厂商中有八成企业三季度业绩出现明显下滑，股价持续下跌。部分企业减产、停产甚至倒闭。受全球经济振荡、欧债危机恶化及多数国家调整光伏补贴政策等因素影响，光伏行业发展形势严峻，产能过剩严重。目前，全球太阳能组件产能达到50GW，但今年全球需求仅达24GW，均价比一年前低了44％。随着第一大太阳能应用市场德国的需求持续下降，包括Q-CellsSE、SolarworldAG在内的德国太阳能制造商正面临越来越激烈的国外竞争压力。此前，因不敌中国太阳能企业，SolyndraLLC等三家美国太阳能厂商已宣布破产。而一些老牌大厂即便尚未走到破产境地，也开始采取裁员、重组的策略应对危机。全球第四大半导体硅片生产商、世界最大的太阳能服务提供商之一的MEMC宣布将在2011年第四季度和2012年一季度采取一系列措施，包括全球性裁员、降低产能及降低成本。值得注意的是，这家公司正是此前被尚德电力以2.12亿美元违约费用“买断”硅片合约的那家合作伙伴。据研究机构Solarbuzz发布的最新季度报告预计，2012年全球光伏需求将增长6％，欧洲市场的下跌将被欧洲以外市场43％的增长所抵消。而融资困难将使得太阳能光伏企业把重点从追求市场份额转向利润恢复。未来5年光伏组件的出厂价格将会较2010年水平再下降37％-50％幅度。

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  • 中国希望并将拥有自己的半导体生产厂

    中国没有自己的硬盘、DRAM和闪存生产厂，但是这种情况可能会发生变化。中国正在进入硬盘组件生产领域，华为和创新科存储技术有限公司生产的是使用硬盘、DRAM和闪存的服务器和存储阵列。然而中国本身并没有为企业级设备生产核心基本存储技术的厂商。 创立和运营生产硬盘所需的半导体生产厂和综合性生产厂需要数十亿美元的资金和世界级专业技术。但是这些情况可能会发生变化，中国已经开始生产源自DEC的Alpha芯片的处理器和基于MIPS级体系结构的其他产品，这或许可以说明情况正在发生变化。 这些产品都是用于超级计算机设计的产品。现在业界已经公认，中国想要控制自己的核心技术，不再依赖于西方尤其是非汉语国家和美国。 中国自己的国内市场规模巨大，足以支持发展自己的CPU设计，如果国有企业能够生产出符合国际标准的DRAM和非易失性存储器，那么它还可以将国内生产的半导体产品卖到国外市场。 有什么因素会阻止这种变化的发生? 笔者认为，中国面临的最大障碍是专业技术和工艺方面的不足，中国政府一直鼓励现有供应商在中国投资设厂，同时在中国培养更多的熟练技术工人、经理、高管和组件供应商。例如，三星就打算在中国建立一个NAND加工厂。海力士、台积电和中芯国际已经在国内设了生产厂。只需3到5年的时间，这些生产厂的中国员工就可以学习到关于DRAM、NAND闪存铸件安装、运营、管理和组件供应的大量知识。 他们将了解到整个技术流程的各个阶段的工作，了解后勤方面的问题，了解财务和成本结构。 从那时起，在充足的财力和计划的支持下，中国的DRAM和NAND生产厂就会建立起来。 这是可行的，假如有一家中国供应商如华为可以做到这一点，如果它从现在开始建厂，那么我们就可以在2013年后看到第一家中国自己的NAND生产厂。 相同模式的事件和想法也可以促成DRAM生产厂的建立。但是NAND闪存销售收入的增长预期是非常可观的，这一点从技术发展计划中就可以看出来，而且闪存今后的机遇会比DRAM和硬盘好得多。 中国是否会一头扎进半导体生产领域? 从最尖端的技术规划角度来说，中国希望拥有自己的卫星，让国人居住在月球上。因此从基础技术的角度来说，中国肯定制定了类似的计划。  

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  • EnergyTrend预测 2012年全球太阳能产业大势

    依照目前的发展情势分析，集邦科技(TrendForce)旗下研究部门EnergyTrend认为，2012年将是全球太阳能产业界面对艰困挑战、去芜存菁的一年。从政策面来看，目前主要市场的政策走向以总量管制和降低补助金额为主；而新兴市场的政策陆续出炉，但仍待时间蕴酿发酵。另一方面，目前产业链的价格走向在中段晶圆到模组领域的现货交易价格仍然偏低，相较于实际生产成本，大部分厂商都处于咬牙苦撑的状况。EnergyTrend预估，2011年全球太阳能市场安装量将来到19GW，但产业整体的库存量(包括成品与半成品)将高达10GW左右，因此就产业链的供需状况来看仍是处于严重供过于求。展望2012年，EnergyTrend预估全球市场需求量约维持在19GW左右，需求无法成长的主因在于欧洲市场的需求受到政策调整的影响，义大利、德国、英国等国的需求呈现下滑的态势。另一方面，亚洲市场的需求受到政策的鼓励而出现成长的状况，但像中国、日本、马来西亚、与泰国等，2012年的需求仍处于小幅成长的状况，EnergyTrend预估至2013年市场才会出现强劲的成长。除此之外，北美与印度市场虽然受到瞩目，但这二大市场仍有问题需求解决。在北美市场来看，美国市场受到CashGrant法案将于2011年底到期的影响，2012年将以TaxCredit法案接手，然EnergyTrend认为TaxCredit对于推升市场发展的力道有限，使得2012年美国市场处于混沌不明的状况。而在印度市场方面，虽然NationalSolarMission的推行让印度市场具有庞大的潜在需求，但中央与地方政府的执行效率与财务状况，再加上在地自制率(LocalContentRequirement)的推行，将是影响印度市场未来发展的不确定因素。最后，在价格方面，上述提及中段产品目前价格处于超跌的状况，使得相关厂商的经营面临极大的压力；而从LCOE的分析来看，系统成本主要以模组成本、BOS(BalanceofSystem)成本、与系统效能三大区块决定。在模组成本方面，EnergyTrend认为随着上游多晶矽产能持续开出，未来模组成本将会回归到健康状况，但短期内在价格上不会出现进一步的下跌。但在BOS方面，像太阳能逆变器(SolarInverter)、EPC等价格目前仍维持平稳，相较于模组成本已经反应目前市场状况，未来BOS价格将是调整的重点。除了成本的调整，未来系统效率的提升也是目前厂商研发的重点，目前高效产品的需求力道持续提升就是反应出此一发展；而展望未来，EnergyTrend认为N-typeMono与Mono-Like相关产品与技术的发展值得关注。EnergyTrend认为，受到价格、市场、与技术演变的三重影响，2012年将是全球太阳能产业各家公司拉开差距的一年，未来在价格与技术无法取得优势的厂商将被迫与大厂进行整并或是被市场机置淘汰，能够在此一竞争下继续存活的厂商，才能享受到市场再次起飞的甜蜜果实。

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  • SIA：欧洲11月晶片销售额年减11.5%，全球缩减3.1%

    半导体产业协会(SIA)2日公布，2011年11月全球半导体3个月移动平均销售额为251.3亿美元，较前月的257.4亿美元(3个月移动平均值)下滑2.4%，并较2010年同期下滑3.1%。2011年1-11月全球半导体销售额年增0.8%。SIA会长BrianToohey指出，泰国水患所造成的供应炼冲击已影响到近期的半导体销售，但OEM厂商预估将在未来数个月内复产。Toohey并且表示，2011年11月销售额也受到欧洲金融危机的冲击。英特尔(IntelCorp.)在去年12月12日以硬碟机供应短缺为由，宣布下修10-12月营收预估值。SIA公布数据显示，欧洲地区11月半导体3个月移动平均销售额年减11.5%至30.3亿美元，减幅居各市场之冠。日本居次，年减8.2%至38.2亿美元。与2011年10月相比，亚太地区下滑2.9%至137亿美元，减幅居冠。法国统计局(Insee)预期法国经济将陷入衰退，2011年第4季与2012年第1季分别萎缩0.2%、0.1%。西班牙新任经济部长LuisdeGuindos也预期西国会在同一时间陷入衰退。

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  • 半导体工艺微细化遇阻

    半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20nm工艺产品，而且还在开发旨在2～3年后量产的15nm技术。不过，虽然技术在不断进步，但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺技术革新的关键——微细化让人担心。决定微细化成败的蚀刻技术没有找到突破口，由微细化带来的成本优势越来越难以确认。而在微细化以外的技术方面，2011年出现了颇受关注的话题，美国英特尔宣布三维晶体管实用化、台积电(TSMC)宣布建设450mm晶圆生产线。这些技术正在逐渐扩大到全行业。 量产中迟迟无法采用EUV光刻技术 “2011年开始量产22nm工艺产品。2013年和2015年将分别量产14nm和10nm工艺产品”,“工艺开发将保持2年推进1代的速度”。先行厂商并没有放缓微细化、即“延续摩尔法则”步伐的迹象。但业内仍然笼罩着一种闭塞感。原因是，本应通过微细化获得的成本效应越来越难以感受到。 半导体行业之所以数十年来一直在推进微细化，是因为微细化宛若“万能法宝”一样。也就是说，仅凭微细化，就能同时改善性能、耗电量及成本等所有方面。不过，这个万能法宝随着微细化的推进逐渐退去了光环。首先，仅凭微细化已经难以削减耗电量。其次，性能也难以仅凭微细化改善了。目前是在实现微细化的同时通过导入各种助推技术(旨在改善晶体管性能的技术)来改善性能。但成本优势即将迎来极限。 越来越难实现成本优势的主要原因是蚀刻成本的上升。在今后的微细化中，作为能够抑制蚀刻成本上升从而实现微细化的技术，备受业界期待的EUV光刻迟迟未能实用化。因此，不得不利用高成本蚀刻技术量产半导体。在22/20nm工艺产品中，各公司均采用ArF液浸曝光技术，而不是EUV光刻技术。将于2013～2014年开始量产的15nm工艺产品虽然将EUV光刻作为第一候选，但作为备用技术已经准备了ArF液浸+二次图形(DP)技术。不过，延长ArF液浸曝光寿命的这些技术工序数量多、成本高。可以的话，还是希望能稳步推进EUV光刻技术的开发，使用EUV光刻技术。 EUV光源的输出功率无法提高 EUV光刻的开发无法取得进展的最大原因是EUV光源的输出功率不足。EUV光源的输出功率如果按当初预定应该是在2010年实现100kW@IF(中间焦点位置的输出)，2012年实现250kW@IF。但截至2010年秋季的研究水准的数据(Champion Data)只有20～40kW@IF左右，远远未达到当初目标。因此，从事EUV光源开发的各公司计划2011年力挽狂澜，在2011年内达到目标。 进入2011年后，这个计划从最初就遭遇了挫折。2011年EUV曝光装置开始配备光源，要求的是实用水平的输出功率而非研究水准的数据。结果，20～40kW@IF的光源输出功率非但没有提高，反而陷入了停滞甚至降低的困境。之后，经过从春到秋的努力，虽然逐渐提高了性能，但最终输出功率在实用水平上只有30kW@IF左右。虽然数据从研究水准向实用水准进步了，但输出功率的绝对值这一年里几乎没有提高。 对于如此慢的速度，半导体技术人员中有两种观点。部分技术人员认为EUV光源厂商是“喊狼来了的孩子”，还有的技术人员认为，半导体厂商和曝光装置厂商向EUV光源厂商提出了不切实际的日程规划。无论怎样，100kW@IF的实现时间又推迟了一年将至2012年中期。这意味着，量产阶段所需的250kW@IF的实现时间会更晚。 从目前的EUV光源开发情况来看，即使今后的开发按照EUV光源厂商所说的“Best Case”推进，能不能勉强赶上2013～2014年开始量产的15nm产品也不一定。如果今后再发生会使实现时间延迟的情况，15nm就不用说了，能不能用到其后的12～10nm也是未知数。业内开始有人认为，“EUV光刻的实用化时间要到2018年以后”。 实用化时间的延迟又为EUV光刻的实用化带来了新的课题。即能够通过EUV光刻解像的图案尺寸与实用化时所需的图案尺寸之间出现了背离的课题。EUV光刻的光源波长为13.5nm。要想支持12～10nm以后的工艺，必然需要各种超解像技术(RET)。但如果导入RET，蚀刻成本上升的问题这次又会出现在EUV光刻中。蚀刻技术人员指出，“EUV光刻面临着错过量产导入时机的危险”，这种看法越来越有可能出现。 英特尔在22nm工艺中导入三维晶体管，其他公司从15mm工艺开始导入 2011年，半导体工艺相关的最大话题就是三维晶体管的实用化。英特尔公司2011年5月宣布将采用三维晶体管。该公司的三维晶体管“Tri-Gate”的构造与Fin FET相近，在通道两侧和上部三个方向设置了栅极电极。将用于2011年底开始量产的22nm微处理器。 而TSMC和GLOBALFOUNDRIES等很多业内企业均表示将从2014年前后开始量产的15nm工艺开始导入三维晶体管。关于这种差异，TSMC表示，“根据我们的研究结果，20nm以前利用平面构造就能充分发挥性能”。另外TSMC还承认，如果导入三维晶体管，在设计支持方面会产生巨大负担。22/20nm工艺利用平面构造和三维构造均能实现所需的性能，英特尔公司由于是制造自公司的芯片，设计支持负荷较轻，而TSMC和GLOBALFOUNDRIES是承包其他公司的芯片制造，设计支持比较重要。极有可能是这种业务形态的差异使得三维晶体管的导入时间不一致的。 另外，将来不仅是晶体管构造，其组成也会大幅发生变化。为提高晶体管的性能，正考虑将长期以来一直使用的硅(Si)换成锗(Ge)及III-IV族材料。通过推进这种改良，晶体管技术有望微细化至8nm。 TSMC宣布建设450mm晶圆量产线 TSMC公司于2011年1月27日宣布了建设450mm晶圆量产线的计划。首先，2013～2014年将建设面向20nm工艺的试产线(Pilot Line)。将在台湾新竹“Fab12”的Phase6导入支持450mm晶圆的生产设备。计划2015～2016年建设量产线，将在台中“Fab15”的Phase5导入相应生产设备。 450mm晶圆相关技术正作为重点项目由业内联盟推进开发。作为其中一环，英特尔、美国IBM、GLOBALFOUNDRIES、TSMC以及韩国三星电子五家公司针对450mm晶圆实施了联合项目。五家公司将统一步调，加速从现有的300mm晶圆向新一代450mm晶圆过渡。 不过，450mm晶圆相关技术的开发在2011年迎来了所谓的“青黄不接时期”。这是因为，在大口径化技术开发初期阶段所需的晶圆和搬运系统的开发，以及与其相关的工厂自动化的标准化取得发展的同时，工艺装置的开发及初见成效的时间是在今后。 因此，在2011年底举行的“Semicon Japan 2011”上基本没看到450mm晶圆相关的新展示。当然，450mm晶圆相关的展示有很多。还展示了450mm晶圆用搬运系统、搬运机器人、晶圆夹头、晶圆加热器以及支持450mm晶圆的溅射靶。不过，据说这些全部是2010年展示过的产品。

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  • 冲中低阶封装 日月光要收购洋鼎

    日月光近期打算收购为三洋电机（Sanyo）代工的洋鼎科技，全力冲刺中低阶封装制程。日月光内部针对此案三缄其口，发言体系响应「不知有此事，无法做任何评论」。 洋鼎科技位在硅品台中总部旁的台中潭子加工区，业者透露，若日月光并购成功，恐将与硅品展开一场订单和人才争夺战。 封测业者表示，洋鼎科技申请入潭子加工区的股本为4.65亿元，除了为三洋代工外，也为其他厂商封装分布式组件；几年前三洋决定重整半导体事业，一度传出洋鼎与硅品接洽出售，后来双方未能达成协议。 近来日月光积极拓展中低阶封测版图，洋鼎再度透过创投出面，与日月光洽商并购案，日月光也派人前往实地勘察。 硅品则表示，双方未做任何接触，似乎也透露此次收购以日月光并购可能性较大。 消息人士透露，硅品不愿并购洋鼎的关键，是因为三洋的封测主要生产低阶的半导体分布式组件，与硅品近年来要将重心聚焦在高阶覆晶封装等发展方向不同，且目前景气混沌不明，硅品较为谨慎。 法人分析，未来台积电跨入28或20奈米制程后，将大举跨入高阶封测领域，恐威胁日月光在高阶封测的布局。不过，日月光似乎认为影响有限，反而大手笔在两岸扩建新厂，瞄准未来整合组件大厂释出的庞大商机。 尤其近期力成也宣布公开收购超丰，要抢进中低阶逻辑封测市场，与日月光正面对垒，可能也会加快日月光的并购行动。    

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  • 华虹半导体有限公司和宏力半导体制造公司完成合并

    12月29日，中国半导体制造行业的两大企业，华虹半导体有限公司（简称“华虹”）和宏力半导体制造公司（简称“宏力”）于今日联合宣布双方已完成了合并交易。 华虹和宏力于2011年9月13日签署了具有法律约束力的合并协议。此次合并的交易结构为全股票交易。根据合并协议条款，华虹向宏力现有股东发行新股，换取宏力全部的已发行股份。 华虹和宏力的董事长傅文彪先生表 ：“华虹和宏力都是中国半导体制造行业内有影响的企业，两工厂都地处上海浦东，双方合并能够实现厂房、设备、技术、人力资源等方面的整合，在工艺技术方面形成互补优势，扩大产品和客户的覆盖面，提高规模益。此次交易完成后，合并后的公司将能提供更广泛的服务，具备更大的产能，更强的研发能力。合并后的公司将继续为客户提供高品质的产品和服务，有利于抓 国内外市场新的业务增长机会。” 2011年，两公司预计实现销售收入约6亿美元，利润约1亿美元。 巴克莱资本在此次交易中担任独家财务顾问。

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  • 2012年台湾PCB产值预期喜忧参半

    传统的第四季度应该是印刷电路板的销售旺季，而现实的市场统计却显得格外惨淡，但得益于智能型手机、平板计算机、超轻薄笔记本电脑热销或兴起，台湾电路板协会（TPCA）、工研院产业经济与趋势研究中心（IEK）预估，第四季度两岸产值较第三季下滑4%，市场持续下滑。 分析认为，展望2012年电子产品朝向轻、薄的方向不变，预期高阶刷电路板（PCB）产品如高密度连接（HDI）板和软性印刷电路板（FPC）的需求持续增温，若新台币对美元维持1美元兑30.16元，产值将比2011年成长8.4%，上升至5450亿元规模。  

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  • 半导体产业展开必要的库存修正

    据IHS  iSuppli公司的库存追踪报告，第三季度半导体供应商的库存下降，结束了此前连续七个季度上升的局面。该产业进入了自我修正模式，以缓解供应过剩问题。 第三季度半导体库存天数(DOI)为81天，比第二季度的83天下降2.5%。自从2009年第四季度以来，库存天数就持续增加。2009年第四季度库存天数只有67天，由于需求在衰退时期蒸发，当时库存较低。此后，库存天数不断攀升，如图1所示。库存上升，一方面是因为需要补充衰竭的库存，同时也是为了满足不断增长的需求。第三季度库存约为369.6亿美元，低于第二季度时的372.9亿美元。   半导体库存水平是衡量产业健康状况的重要指标，而且可以反应出供应链对于未来前景是否具有信心。库存过低表明厂商预计需求下降，因此比较谨慎，防范未来的不佳市况；而库存过多，也是一个问题，会导致供应过剩，带动价格下跌。 第三季度半导体供应商开始启动库存修正，以缓和不断加剧的供应过剩局面。由于全球经济几乎陷于停滞状态，而且面临订单下滑和可见度下降，许多半导体厂商决定降低产能利用率。而且现在交货期已降到正常水平，不再像以前需要等待很长时间，厂商这次对于削减库存信心更强，不担心会给供应链造成太大问题。 尽管厂商削减了库存，但第三季度库存天数的绝对水平仍然较高，是过去10个季度以来的最高水平，是2008年第四季度以来最高，这表明库存仍然很高。另外，第三季度供应过剩百分比升至12.1%，超过了2008年第四季度的11.1%。因此，预计第四季度库存将进一步削减。 从各个半导体领域来看，手机OEM、分销商和模拟器件公司的库存天数上升，而无厂公司、内存、代工厂商、PC厂商、存储与电子制造服务提供商的库存下降。 手机厂商第三季度库存上升，因为供应商为年底旺季做准备。纯代工厂商的库存下降程度大于预期，这是削减产能利用率的结果。 IHS公司预测，第四季度总体库存天数将进一步减少2.5%至79.3天。由于全球经济形势动荡，许多领域的可见度仍然较低，最终需求情况仍然难以预测。  

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  • element14公布2011年亚太区最畅销的产品

    21ic讯 e络盟母公司element14日前宣布庆祝2011年大获成功——与领先的品牌供应商建立合作伙伴关系并达成分销协议，进而扩展了其独一无二的产品组合。借此机会，element14重申将在2012年继续为亚太区带来最佳的同类元件解决方案。 element14亚太区产品管理总监Marc Grange表示：“element14大力投资制定了我们针对工程师群体的参与计划，以便满足不断变化的市场要求。作为分销商，我们在供应商与客户之间搭建了一座桥梁，向工程师提供高效的解决方案。我们帮助客户进行设计创新，同时加强合作伙伴的市场影响力。” 2011年14大畅销产品 过去的一年，element14销售了来自值得信赖的全球制造商的最新高性能解决方案，例如TE Connectivity、TI、Microchip、Molex、CK Tools、Honeywell、freescale、Littelfuse、Multicomp、Murata Power Solution和Vishay。element14销售广泛的电子元件和产品，向新兴技术领域的工程师提供恰当的解决方案以解决他们所面临的挑战。 2011年的14大畅销产品包括： 1. Molex的Crimp Socket, PK100,18AWG，这是一个单双排连接器，非常适合要求设计灵活性和高密度的线对线和线对板应用。 2. Honeywell的霍尔效应轮齿传感器，可以针对偏转和温度的变数而从电气上自我调整，从而简化安装和维护工作。       3. 飞思卡尔半导体的压力传感器量表型 7.25 PSI，这个单片压力传感器有着广泛的用途，向工程师提供与承压成比例的精确、高级模拟输出信号。 4. AVX的钽电容, Case B, 10UF, 16V系列包括五种主要尺寸，得到了全球各地主要OEM厂商的认可。TAJ系列已经增加了V型尺寸，从而提供高CV。 5. Multicomp的D-Sub Plug, Solder, 9路连接器拥有从9-50路的广泛位置选择。这个解决方案广泛地用于信号和数据传输应用，包括计算机应用以及游戏机控制杆等游戏应用。 6. CK Tool的六角扳手套件，米制，10PC采用铬钒钢制造，进行了硬化和锻压处理以提高强度和耐用性，非常适合受限接入。 7. Vishay的可变电容，5到57PF拥有电镀转子接触面，确保在严酷气候条件下的寿命和稳定的接触。 8. 泰科电子的电缆夹提供应力消除夹，可用于所有插座和插头，提供多样化的应用选择。 9. Microchip的QVGA Pictail图形子卡套件是一个展示板，用于评估Microchip Technology的图形LCD显示器解决方案以及面向16位微控制器的图形库。 10. Murata Power Solution的NKA系列直流/直流转换器，SIL，1W，15V系列转换器是板载配电系统的标准构建模块，具备封装尺寸更小、更高的效率、更低的输出纹波和3kVDC隔离等特色。 11. Molex的 MicroClasp矩形插座，双排20路连接器节省空间并且易于连接和分离。这些元件包括独特的内部锁，提供闭锁保护和稳固的连接。 12. 德州仪器的降压型稳压器，1A，6SON针对手机等采用电池的便携式设备进行了优化。 13. Littelfuse的SPF系列太阳能保险丝采用光电系统保护，可以安全地管理要求苛刻的电压水平。 14. 泰科电子的面板插入式继电器是一款适合典型工业应用的通用继电器产品：工具/硅片设备、机器人、暖通空调、医疗以及发电机。  

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  • 首个国家级元器件平台基地落户东莞

    21ic讯 2011年12月18日上午，中国电子器材（CEAC）元器件总部基地奠基典礼在东莞松山湖高新技术产业开发区隆重举行，从而正式拉开集“新型集成电路应用设计基地”、“现代供应链服务配送中心”以及“中国电子元器件交易中心”三大功能于一身的中国首个国家级元器件平台的开工建设序幕。 中电器材总公司总经理穆国强在奠基仪式上发言时表示：“中电器材元器件总部基地项目以‘服务经济’和‘电子商务’这两个基本点出发而设计，以技术应用创新、产业孵化创新和信息技术创新为核心，同时加速科研成果、应用产业化的速度与效率。该项目为中国电子信息集团(CEC)商贸工程体系建设中的重要支柱内容，是产业链上最重要的元器件业务平台，未来3-5年将成为CEC商贸体系元器件业务平台面向中国和世界的总部。” 他介绍说，中电器材总公司通过对松山湖当地人文、地理、投资环境的考察并结合中电器材深圳公司元器件分销业务的特点以及产业发展趋势，决定在这里投建新型集成电路应用设计基地、现代供应链服务配送中心及中国电子元器件交易中心，这符合产品经济向服务经济过渡的市场需求，也是中电器材元器件业务向专业化、产业化方向发展并保持持续成长的一个重大机遇！   图1：中电器材元器件总部基地奠基仪式现场。 面向全国乃至亚太的高端元器件服务平台 松山湖，东莞市中部一个坐拥8平方公里淡水湖和14平方公里生态绿地。自2001年被批准建立高新技术产业开发区以来，经过10年的发展，已经吸引了200多家创新型科技企业入驻，并在2010年10月正式被国家科技部批准升格成为国家级高新技术产业开发区，有望成为中国特别是珠三角区域电子信息产业自主创新、转型升级的又一方沃土。 中电器材元器件总部基地位于松山湖北部工业区，占地面积为31733平方米，总建筑面积将达到128936平方米。具体包括一、二、三号楼，分别为研发办公楼（底层部分将设置电子产品展厅）、元器件总部办公楼、实验楼。同时还配备了健全的员工福利设施，包括健康中心、食堂、室外游泳池等。   图2：中电器材元器件总部基地效果图。 中电器材期望通过投建东莞市松山湖元器件总部基地项目，在元器件分销、新型集成电路应用设计及供应链服务配送等方面创新商业模式，提升服务水平，扩大服务规模，使之成为集团公司商贸体系元器件业务的高端服务平台，为集团公司、中国乃至亚太地区客户提供电子元器件的全产品线分销、新型集成电路应用设计及现代供应链服务，为集团公司商贸体系元器件业务构建核心战略优势。 作为中电器材元器件业务核心的中电器材深圳有限公司总经理周继国表示：“中电器材成功入驻松山湖科技园区，标志着中电器材元器件分销业务将向更加专业化、产业化的方向迈进，通过与集团公司产业资源有效串接，以传统销售和电子商务平台共举的模式，形成更加强大的市场竞争能力。”同时他特别强调，松山湖项目还将为本土原创电子元器件打造一个国际产品长期同台竞争展示的平台。 应用设计与供应链服务为特色，打造规模化交易中心 据悉，中国电子器材元器件总部基地整体规划为以中电器材深圳公司元器件业务平台为依托，通过新型集成电路应用设计基地及现代供应链服务配送中心的建设，以应用技术与高端服务的双轮驱动，最终实现中国电子元器件交易中心的规模效益（图3）。 图3：中电器材元器件总部基地整体规划示意图。 中国电子器材总公司于1964年由周恩来总理亲自批准成立，前身为中国电子工业部销售局，1999年并入中国电子信息产业集团有限公司（CEC），成为其下属的重要全资二级企业，名列全国物资流通企业百强。多年以来，中电器材为中国电子信息产业发展做出了重要的贡献，同时也得到了行业的一致认可，成为工信部首批认定的电子元器件可信供应商，海关总署认定的AA企业（注：AA企业是海关进出口管理类的最高级别，对于AA类企业，海关将提供最优惠、最便捷的海关通关手续，实行信任放行，进出口货物一般不予开箱查验。对于客户来说将大大缩减通关时间以及通关成本）。 AA资质以及多年积累的分销服务经验为中电器材元器件总部基地三大功能之一的现代供应链服务配送中心的实现提供了重要保障。该配送中心建成投产后3-5年，有望实现半导体器件年交付能力100亿片到150亿片，为中国乃至整个亚太市场的电子产品生产与制造提供高端供应链服务解决方案；同时，该中心具备完善的样品与小订单服务能力，能够为中国广大的中小客户群以及工程师提供快捷的样品与小订单服务。 松山湖产业园一直在努力打造“高端、开放、科技创新、配套、生态”的发展优势，中电器材元器件总部基地非常符合这一园区定位，除了利用现代信息技术实现现代供应链管理与服务的创新之外，还将倾力打造新型元器件的创新应用与设计平台，计划依托集团公司产业资源，不断吸收国内、国外优秀半导体企业的新型产品与典型应用，与国内、国外各大高校、企业、院所、IDH等通力合作，从应用角度加大新型集成电路的应用设计、系统集成与产业转化，并形成有形的知识库管理，对以应用为核心的解决方案、参考设计等进行知识的创造、挖掘、管理和有偿服务，为国内国外客户提供最专业、最高效的设计链整体应用服务解决方案。 中电器材深圳公司总经理周继国指出：“近年来，随着大规模集成电路以及超大规模集成电路的迅速发展，集成电路的设计生产越来越复杂，但设计周期却越来越紧缩，看似矛盾的发展，将凸显以技术分销见长的中电器材的重要纽带作用。中电器材之前已经有过和国内知名大学合作建立专业RF实验室、视频应用实验室等的丰富经验，因此我们对建立新型元器件应用设计基地充满了信心。欢迎IC应用设计链上下游的企业、机构和组织进驻基地，与我们携手推动核心电子器件、高端通用芯片的应用创新和设计链服务。” 为了加速新型IC元器件设计应用的产业化，半导体产品的供应链越来越强调与解决方案配套，现行半导体市场急需高端信息服务企业进入，进而完善国际供应链服务能力，实现从传统销售模式到以信息技术提供增值服务模式的转变、从传统单一模式到现代国际供应链和电子商务模式的转变。在中国目前的市场环境下，电子元器件还未建成以真品、信息技术服务为主的电子商务平台，中电器材投资建立中国电子元器件交易中心电子商务平台正是在这种背景环境下提出来的，该平台将顺应元器件行业发展趋势，满足市场的根本需求。   图4：中国元器件交易中心业务模式规划。 据悉，中国电子元器件交易中心的思路和目标是将信息技术、网络以及电子商务方面与元器件分销业务结合，形成强大的市场营销和交易能力。中国电子元器件交易中心通过知识（技术与创新）、产品和服务三大核心内容，最大程度整合可利用的资源条件，通过前端交易平台将最终用户与企业衔接起来，最终形成一个集采购交易、市场信息、技术支持、产品展示、新品推介、高端供应链管理等服务为一体的综合平台。 据中电器材总公司穆国强介绍，中国元器件交易中心项目建成并正式投产(预计至少需要2年时间)后3年内，可实现年产值收入35亿元销售收入（预计自2013年开始，第一年25亿元，第二年30亿元，第三年开始达到35亿元），同时力争项目建成并正式投产后5-8年达到100亿元年产值收入。  

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  • 2011年3Q台湾销量骤减导致全球时隔8个季度YoY出现减少

    国际半导体制造装置材料协会（SEMI）和日本半导体制造装置协会（SEAJ）公布了“WorldwideSEMSReport”（半导体制造装置全球销售额统计）2011年第三季度（2011年7～9月）的结果。销售额继第二季度（2011年4～6月）环比转为减少之后，第三季度同比也时隔8个季度转为减少。订单额同比连续两个季度、环比连续四个季度出现减少。据发布资料显示，2011年第三季度全球半导体制造装置市场的订单额为同比（YoY）减少38％、环比（QoQ）减少29％的76亿2000万美元。销售额为YoY减少5％、QoQ减少11％的106亿1000万美元。由此计算出BB比为0.72。销售额时隔8个季度出现YoY减少的情况。与第二季度相比，订单额减幅为YoY减少30个百分点，QoQ减少26个百分点，出现大幅恶化。不同地区的销售额按金额从大到小的顺序排列如下：韩国为YoY减少11％、QoQ增加5％的22亿7000万美元，北美为YoY增加38％、QoQ减少5％的21亿1000万美元，日本为YoY增加40％、QoQ增加18％的17亿4000万美元、台湾为YoY减少51％、QoQ减少46％的14亿9000万美元，其他地区为YoY增加2％、QoQ增加5％的10亿4000万美元，欧洲为YoY增加65％、QoQ减少14％的10亿2000万美元，中国大陆为YoY减少17％、QoQ减少17％的9亿4000万美元。SEMI就不同地区的销售额表示，“除日本以外的亚太地区（尤其是台湾）的销售额大幅减少，QoQ减少了11％”。

    半导体 半导体制造 IDE SEMI DES

  • 三星有望明年成全球第二大芯片代工商

    据台湾《电子时报》报道，按照产能计算，三星电子有望在明年超越联电、Globalfoundries成为全球第二大芯片代工厂，仅次于台积电。 市场调研公司Digitimes Research预计称，按照三星的逻辑代工领域拓展计划，到2012年年底时，以8英寸晶圆计算，三星晶圆代工业务月产能将达到52.6万片，相比今年年底的18万片增长192%(34.6万片)。 三星目前专注于存储芯片和液晶面板制造，其组件运营正向针对移动通讯应用的高级设计制造工艺转移，此举将提升三星的毛利率。 为了使新产能高效上线，三星计划将其Line 8、Line 9两座8英寸晶圆厂从存储芯片生产转换至逻辑IC制造。同时，三星原用于存储芯片生产的12英寸晶圆厂Line 14转换成高级工艺逻辑芯片制造。Line 14、Line 9和Line 8将分别更名为S1A、S1B和S1C。上述工厂预计将从明年下半年开始增产。 此外，三星位于美国德州奥斯汀的晶圆工厂也将在明年增加产能。该12英寸晶圆工厂已经被命名为S2，月晶圆产能逾3万片。 三星2012年的代工业务预算开支为70亿美元，占据其明年总支出的21%。三星2011年的代工业务支出为38亿美元。全球最大晶圆代工商台积电今年的预算支出为73亿美元，但并未披露明年的开支数字。 由于并不是依赖无晶圆厂的IC厂商或IDM(垂直整合制造)厂商订单，三星的芯片代工业务预计将仿效他们和苹果的合作模式。由于成本原因，更多PC和消费电子品牌倾向于直接向代工服务商提供定制解决方案订单，三星正寻求借助这波趋势发展代工业务。  

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  • 浪潮1亿元人民币并购德国奇梦达封装测试生产线

    日前，国内云计算厂商浪潮以1亿元人民币并购了德国奇梦达在欧洲的高端集成电路存储器封装测试生产线，在济南建成了中国首条高端（FBGA）集成电路存储器封测生产线。借助此次并购，浪潮建立起了包括芯片设计、芯片制造和芯片应用在内的完整产业链，为浪潮在云计算基础装备----服务器、存储、云端产品实现芯片级的研发、制造能力提供了支撑。 据了解，此次浪潮以一亿元并购的奇梦达封装测试生产线采用了世界先进水平的FBGA（细间距球栅阵列）封装工艺，是目前全球领先的集成电路封装测试技术之一，总价值约五亿元人民币。浪潮作为涵盖IaaS、PaaS、SaaS三个层面的云计算厂商，在云计算基础装备层（IaaS层）已研发出32路高端服务器、海量存储等诸多产品，通过这次并购，浪潮拥有了与国际先进工艺水平同步的存储器芯片封装测试技术，在云计算基础装备层（IaaS层）的设计制造能力将得到进一步提升。这次并购也是浪潮继09年并购奇梦达中国研发中心之后对奇梦达资产进行的第二次并购。 早在2009年8月金融危机时，浪潮以3000万元人民币“逆市”收购奇梦达中国研发中心，与浪潮高效能服务器与存储技术国家重点实验室协同构筑了与世界同步水平的集成电路研发平台。该研发中心承担了两个“核高基”重大专项—----高性能低功耗动态随机存储器产品研发项目和“嵌入式存储器IP核开发及应用”，推出中国第一款基于65纳米工艺设计的世界先进水平大容量动态随机存储器，打破了国外大厂长期以来对我国动态随机存储器芯片市场的垄断，填补了国内产业空白。 浪潮集团董事长孙丕恕表示：高端集成电路芯片技术大多掌握在少数国外公司手中，在全球经济持续低迷的情况下，通过资本运作和国际并购合作，实现对产业资源尤其是核心技术的掌控这一战略目的，对打破产业持续发展的技术壁垒, 实现集成电路存储器产业的跨越式发展有着重要意义。集成电路产业是电子信息产业的基础产业，通过这次并购，中国企业拥有了与国际先进工艺水平同步的存储器芯片封装测试技术，进一步加快了中国集成电路产业化进程。 预计该生产线达产后，年产能可达6000万颗高端存储器芯片，年销售额将超过1亿美元。未来五年，浪潮还将建设规模化的集成电路产业园区，规划总投资30亿元，计划建成世界先进水平的集成电路研发中心和规模化封装测试生产基地。

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  • 20nm新工艺Cortex-A9处理器成功流片

    GlobalFoundries、ARM今天联合宣布了双方在Cortex-A系列处理器架构SoC方案上的最新进展，包括全球第一颗频率超过2.5GHz的28nm Cortex-A9双核心处理器，以及20nm新工艺Cortex-A9处理器的第一次成功流片。 2.5GHz高频率的双核心Cortex-A9处理器是在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂中完成的，所用制造工艺是高性能版本的28nmHP。 GlobalFoundries表示，如果再使用更高性能的28nmHPP，主频还可以提得更高。28nmHPP工艺主要面向有线网络应用方案，运行电压可以只有区区0.85V，功耗也会非常非常低。 20nm Cortex-A9的流片则使用了GlobalFoundries新一代平台的技术验证包(TQV)，号称可比28nm工艺带来最多35％的性能提升，同时功耗降低最多50％。 GlobalFoundries宣称，20nm TQV的目标和28nm TQV是一样的，都意在开发专门针对Cortex-A系列处理器而优化的生产工艺，而且这一方案不单单是一颗标准的测试芯片，每一个TQV都模拟了SoC的完整规范，可以提升性能、降低功耗、加快产品上市速度。 GlobalFoundries、ARM还表示将会通力合作，共同解决28nm新工艺更高的设计和制造复杂度，缩短批量生产所需要的时间。 不过两种方案的投产时间并未披露。

    半导体 CORTEX-A9 HP GLOBALFOUNDRIES A9处理器

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