为了进一步改善太阳能组件测试标准,FraunhoferISE和FraunhoferCSE已经宣布开始太阳能组件耐久性倡议。这样可以向投资者提供更多的信息,这个倡议将提倡关于投资者更多信息,这个倡议将提供更健康测试协议,以便适用于太阳能测试协议来适用于更多的光伏组件,这样就能加快IEC标准组件检定。这是首个大范围有效项目来收集广泛,定量的可靠组件数据,适用于在不同压力下的预期使用寿命。这项测试不仅单单使用通过(失败)的标准,而且产生有质量的分数来使组件在可信范围内正确地使用。太阳能耐久性倡议PVDI包括长期的加速测试,紫外线、用电力正负电压和动力机械压力。其中也包括了典型压力,例如温度循环、湿度冷却和湿度加湿,所有这些已经很接近组件实际的使用寿命。这个太阳能耐久性倡议PVDI项目还包括R&D元件和户外漏天测试,所有这些都是为了改善测试和提供更好的模件使用寿命案例。在SolarEnergySystemsISE的Fraunhofer学院领导下,随着其在太阳能光伏技术发展数十年经验来看,Fraunhofer正在引进太阳能光伏耐久性倡议作为框架来应用于综合测试。FraunhoferISE太阳能组件系统和可靠性部门领导HarryWirth博士表示,“我们新的倡议将会给投资者在太阳能组件长期耐久性提供一个有质量的、第三方的、独立的评估。”德国弗赖堡SolarEnergySystemsISEFraunhofer学院、牛津、马赛诸塞州、阿尔伯克基可持续能源系统CSEFraunhofer中心,和新墨西哥州将共同运作太阳能光伏耐久性倡议。“德国R&D实验室和美国将会给我们一个服务全球太阳能光伏研究和制造者的机会。”除了向生产商提供我们最新太阳能光伏组件测试草案,这个PVDI研究小组将和国际R&D,标准社区一起支持国际测试标准的发展来保证太阳能组件的质量。”根据PVDI2012测试草案,测试活动将于2011年10月开始。一些先进的光伏组件生产商将进行第一轮组件测试。最初数据将和测试草案于2012年第二季度对外公布。即将公布的数据还包括组件测试数据,并将组件归类到相关降级指标。项目参与者将能查找详细数据和结果。
在德国举办的EUPVSEC展会于上周结束,但并未出现振奋人心的讯息。集邦科技(TrendForce)旗下绿能研究部门EnergyTrend指出,德国市场六月至八月的安装量已达到2GW,九月安装量预估在1GW,使得德国2012年的补助修正在年初外,年中预料也将进行另一波下修,EnergyTrend预估下修幅度将会超过10%,因此2012年全年补助金额下修的幅度将超过20%。如果明年欧洲市场动能仍仅靠德国和意大利二大市场支撑,上述发展将对于欧洲市场的成长带来不小的影响。Source:EnergyTrend根据EnergyTrend调查,目前在多晶硅原料的部分,厂商合约料库存均大于订单实际需求,已有部分订单不足厂商开始持续抛售手中的合约料源变现,以降低库存压力与减轻财务负担,预料此一状况短期内仍将不会改变,EnergyTrend认为现货市场价格在第四季将会达到$45/kg。而在现货与合约价差逐渐拉大后,买方势必将与卖方重新议价以拉近价差,如市场需求没有回温的话,仍会有厂商持续出售合约料源,这样的循环将会形成一股推力,使得多晶硅价格面临极大的降价压力。根据EnergyTrend的调查,本周多晶硅的价格介于$54/kg~$42/kg之间,平均价格则为$49.38/kg,跌幅为1.26%。在硅晶圆、电池与模块方面,EnergyTrend指出,在EUPVSEC展会结束后,价格大部分将守不住先前底限。在硅晶圆部分,多晶的价格仍守在$1.8/piece,单晶的价格则在$2.4/piece;而电池方面,成交价已跌破$0.7/Watt,最低价格来到$0.68/Watt;模块部分,最低价格已接近$1.0/Watt的价位。本周硅晶圆平均价格与上周相同;而电池部分平均价格则下滑至$0.72/Watt,跌幅为1.1%;而模块平均价格则是$1.124/Watt,跌幅为1.32%。展望第四季,EnergyTrend认为多晶硅晶圆的价位目标落在$1.85/piece~$1.75/piece;电池则是$0.7/Watt~$0.65/Watt;模块则为$1.0/Watt。EnergyTrend认为外在环境不利需求回温,未来降价在所难免,厂商第四季获利展望不佳。在中间厂商获利不佳的状况下,上半年获利表现较佳的厂商将会受到其它厂商要求同甘共苦的压力,在价格上有可能被迫做出进一步的调整以满足客户的期望。
21ic讯 2010年10月,国务院正式发布《国务院关于加快培育发展战略性新兴产业的决定》,进一步明确了光电产业是战略性新兴产业的重要组成部分,包括新型显示器件、LED等在内的细分产业都在国家战略性新兴产业规划中明确提到。 在“十二五”开局之年,赛迪顾问通过对中国光电产业(重点选择LCD和LED产业)现状的梳理,深入分析产业分布、产业特点、空间演变等内容,并结合国际先进国家和地区发展光电产业的经验,对未来中国光电产业的发展趋势进行了系统研究,推出了《中国光电产业地图白皮书》为国家和地方的光电产业空间布局与宏观决策提供了参考。 形成四大区域集聚发展的总体分布格局 从2010年中国光电产业的产值分布图可以看出,对于平板显示产业,已经初步形成环渤海、长三角、珠三角以及中西部四大产业聚集区;对于LED产业,主要聚集在环渤海、长三角、珠三角等三大区域。 图1 2010年中国光电产业区域销售收入 数据来源:赛迪顾问整理 2011,05 环渤海地区已经形成了以北京、天津、大连、济南等城市为核心的光电产业聚集区,拥有国内领先的科研环境,为产业的发展和升级提供了智力保障。 长三角地区目前拥有全国最大的光电产业集群,在研发、制造、应用等各个产业链环节都走在全国的前列。全国最大的液晶模组产业基地分布在苏州、上海、南京等地。在LED领域,长三角是中国较早发展LED的区域之一,拥有上海、扬州两个国家级的半导体照明工程产业化基地。 珠三角地区是国内重要的电子整机生产基地,特别是在LED领域,珠三角是全国最大的LED封装基地,目前,广东LED封装产量约占全国的70%,约占全世界的50%,产业规模全国领先。 中西部地区在政府的强力推动下,南昌、合肥、武汉、成都等产业基础好,发展较快的城市具备承接长三角、珠三角等东部地区电子信息制造产业转移的天然优势,光电产业取得了跨越式的发展。 整体呈现“一东一中”两带的分布特征 随着东部沿海地区产业资源的日趋紧张,以及国家政策的导向,光电产业在国内的空间转移也持续加快,目前基本形成了“一东一中” 两带的产业布局,即西起成都、东至合肥的光电产业“中部产业带”,以及北起大连,南至珠海的光电产业“东部产业带”。 图2 2010年国内光电产业重点城市分布 数据来源:赛迪顾问整理 2011,05 中国光电产业空间演变趋势 持续承接国外先进地区的光电产业转移 产业持续向低成本、更接近需求的地区转移,是全球电子信息产业发展的持续路径。随着产品技术和产业发展的不断进步,光电产业快速兴起,并继续沿袭传统电子信息产业转移的基本路径,而且其转移进程更加快速、转移的层次不断提高。随着对国外光电产业的承接,中国的光电产业规模将会不断增大,产业结构也会得到不断优化。 呈现“从沿海到内地梯度转移”的演变趋势 光电产业对资金、政策、土地、电力等都有很高的要求,因此,国内光电产业资源的再分配促使企业对光电产业的投资正逐步呈现“从沿海到内地转移”的态势。一些经济比较发达、产业配套环境较好的内地城市,将最先承接到光电产业的转移,随着这些城市对周边的产业辐射力持续增强,区域的产业配套环境不断优化,将会进一步推动光电产业在内地的布局。随着这种辐射效应的不断拓展,光电产业的布局也将会成呈现出梯度发展的态势。 地方政府的意志将成为产业汇聚的推动力之一 对于我国光电产业的发展,地方政府在政策、资金、土地等方面发挥了巨大的作用,也正是因为地方政府发展光电产业的强烈意志,在一定程度上推动了产业的集聚。 政府在光电产业发展过程当中所承担的推动作用是由光电产业本身高技术、高投资的特征决定的,特别是对于产业的发展初期,政府所承担的作用就更加明显。因此,这种特征也在一定程度上决定了光电产业的空间演变。 不同区域的产业发展将逐步呈现一定的差异化 在产业聚集的过程当中,不同区域间的产业将逐渐形成一定的差异化,不同区域的产业发展重点将会有所侧重。随着国家对产业统筹规划的重视,未来光电产业的布局也将更加科学、规范、合理。
GlobalFoundries(格罗方德半导体)在20奈米制程上有了重大进展。透过利用EDA大厂包括CadenceDesignSystems、MagmaDesignAutomation、MentorGraphics与Synopsys的流程,GlobalFoundries已经成功制出测试晶片。GlobalFoundries并且已经准备就绪,要让客户评估该公司的20奈米设计样品。 20奈米制程是至今为止最先进的半导体技术。今年初的时候,IBM也曾经展示过全世界第一个20奈米制程晶圆,使用了HKMG和Gate-Last技术。三星也在七月中宣布完成了全球第一颗20奈米制程的测试晶片。 这四家EDA厂商都展示了他们的配置与布线工具及技术档案都能够支援20奈米制程相关的进阶规则。这些流程包括了双重曝影技术的元件库预备步骤,而这是一种复杂的平板印刷制程,对于20奈米以及更先进制程的设计业者形成了新的挑战。 这种20奈米测试晶片需要双重曝影、且经由各个EDA伙伴贡献出一个大型的配置与布线设计。每项设计在制程晶片之前,都经过GlobalFoundries彻底的效力验证,并以20奈米认可验证台进行检查。因同EDA厂商进行早期且广泛的20奈米合作,所有的设计都迅速结束,且已经成功进入晶片制作阶段。 GlobalFoundries测试晶片和所有元件库都将纳入完整的流程脚本,可提供给所有希望评估20奈米制程技术的客户。此外,GlobalFoundries也针对先进制程节点,包括3DIC在内,与封测厂Amkor达成了更广泛的合作关系。
台系DRAM厂陆续减产,带动现货价格止跌,14日2GbDDR3品牌晶片现货价格大涨接近10%,也成功让9月主流2GBDDR3模组合约价止跌,但4GBDDR3模组合约价仍是有跌价压力,惟跌幅缩小至5%左右,目前合约价和现货价价差已拉锯至约12%,短期内有助于合约价格持续止稳。 纵使三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)宣示不减产,但台系DRAM厂在财务压力下首先发难,纷纷加入减产潮,茂德因为财务问题导致中科12吋晶圆厂投片量降至1万片以下,力晶更是跳出来表示PCDRAM减产50%,南亚科减产幅度扩大至20%,甚至传出30~40%版本,华亚科也减产5~10%,激励现货价格14日单日大涨将近10%。 除了2GbDDR3品牌晶片现货价大涨站上1.1美元后,9月合约价也首度止稳,让业界松一口气,其中主流规格的2GBDDR3模组持平,合约报价约10.75美元,但DRAM厂面对之前报价大崩盘,积极把出货容量拉升至4GBDDR3模组,然4GBDDR3在9月上旬仍是面临小幅下跌的情况,跌幅约破5%左右,模组报价在20.5美元。 从2011年6月开始,DDR3合约价格走势意外在传统旺季时期出现大崩盘,跌幅超过40%,最低10.5美元价位已挑战上游DRAM制造厂的极限?A记忆体业者也认为,=真的太便宜、太不合理了!」因此纷纷祭出减产策略。 在力晶、南亚科、华亚科、茂德减产策略,加上日系大厂尔必达(Elpida)降低出货量的策略下,估计产业上半年的投片量从每月130万片下修至115万片左右,以投片量角度衡量,减产幅度约12%左右。 从价格面来观察,由于现货颗粒价格与合约价格约有12%的价差,加上力晶与南科减产牵动现货市场供给量下,部分DRAM厂在现货报价已转趋强硬,现货市场价格率先出现止稳的讯号。 业者分析,这一波价格止稳是借由减产和减少出货量的带动,但终端需求仍是不振,另一种说法是,产业即将进入传统旺季,在没有传统淡季的2011年之下,至少要让跌跌不休的DRAM报价在进入真正淡季前先拉一波,免得出现报价一路跌到年底的窘境。 不过,多家记忆体业者纷纷回避PCDRAM,把旗下产能转到云端应用、智慧型手机、平板电脑等领域,生产伺服器DRAM、MobileRAM,加上台系记忆体厂也将旗下产能转到代工业务上,PCDRAM投片比重会持续下降,以此观点来看,是有助于产业长远的发展,也对于个别公司而言,产品线多元化策略其实也是正确的方向。
半导体科学和技术构成现代信息社会的基础,随着信息存储密度迅猛增长,为突破摩尔定律瓶颈需要发展新的信息存储载体。在制作和研发工艺成熟的半导体中注入自旋,形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体,成为解决这个关键问题最可能的突破口。 中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)极端条件实验室靳常青研究组近期在自旋极化的稀磁半导体研究中取得重要进展。他们通过实验发现了一类新的基于I~II~V半导体的稀磁体Li(Zn,Mn)As,在稀磁材料上成功实现了自旋和电荷分别注入和调控。 在半导体中实现磁有序需要具备两个基本物理条件,既要有局域磁矩,又要有引发局域磁矩长程量子序的低浓度载流子。在几类已知的稀磁半导体中,磁矩和载流子均由同一种掺杂元素提供,即自旋和电荷天然一体。比如广为研究的基于III~V族的(Ga,Mn)As稀磁半导体,由于Mn2+和Ga3+具有不同价态,Mn对Ga的替代引入自旋的同时也提供了P型载流子。这种自旋和电荷的捆绑效应严重制约了对材料电性和磁性的调控维度,实现自旋和电荷注入机制的分离成为稀磁半导体材料设计和研制的重大挑战。LiZnAs具有和GaAs同样的晶体结构,电子能带计算表明二者带隙接近,具有可类比的半导体属性。和GaAs不同之处在于,对LiZnAs在Zn2+位注入Mn2+只引入自旋,载流子则通过改变Li的含量来进行调控。这样,LiZnAs半导体就可以实现自旋和电荷注入机制的分离,为稀磁半导体的磁性和电性的调控分别提供了前提。 靳常青研究组通过大量系统的实验工作发现,Li(ZnMn)As在3%Mn掺杂量既可具有接近3个Bohr磁子的饱和磁矩(Mn2+高自旋态的最大饱和磁矩为5个Bohr磁子),铁磁居里温度(Tc)可达50K。进一步研究发现,Li(ZnMn)As具有低的矫顽力(~30Oe),这为瞄准应用的低场调控自旋和电荷提供了可能。 (Ga,Mn)As稀磁半导体研制工艺苛刻,自旋注入只能在处于低温的薄膜材料实现,严重限制了对材料宏观物性的表征。比如,由于没有可供进行中子实验块的体材料,(Ga,Mn)As稀磁半导体的磁性起源和机制依然存有很大争议。由于具有和(Ga,Mn)As同样的半导体结构,Li(ZnMn)As稀磁体的研制成功,为精细表征(Ga,Mn)As类稀磁体的磁性起源提供了重要条件。本工作的合作者,美国哥伦比亚大学物理系的Uemura教授运用μSR技术研究了Li(ZnMn)As的磁性,的确在低Mn掺杂观察到体态的长程磁有序。 靳常青研究组在2008年的铁基超导热中发现了以LiFeAs为代表的“111”型铁基超导体【Solid State Communications 148, 538 (2008)】,本次发现Li(ZnMn)As稀磁体,为他们以上工作的扩展。更为有趣之处在于,LiZnAs、LiFeAs、LiMnAs具有可匹配的晶格参数,这为设计基于磁性、半导体和超导体的异质结,探索新的物理效应和新的应用特性提供了重要可能。 以上工作是与美国哥伦比亚大学物理系Uemura教授研究组共同开展,其他合作者包括日本原子能研发集团先端科学研究中心的Maekawa教授、清华大学物理系王亚愚教授、日本东京大学Uchida教授的研究团队。相关发表在近期Nature Communications 2:422 (2011)上,研究工作得到基金委重大国际合作项目、重大研究计划培育项目、科技部量子调控项目的资助。
市场研究公司Gartner周四公布报告称,预计今年全球芯片销售额将下滑0.1%,至2990亿美元,扭转了此前增长5.1%的预期。 Gartner同时还下调了2012年的全球芯片销售额预期,从增长8.6%下调至增长4.6%,原因是经济前景正在恶化。 Gartner研究副总裁布莱恩·刘易斯(Bryan Lewis)在报告中称:“三个关键因素正对短期前景造成影响,分别是库存过量、生产能力过剩以及需求因经济表现疲弱而有所下降。美国经济陷入双底衰退的可能性继续上升,引发了有关销售前景将进一步恶化的担忧情绪。” Gartner曾在9月8日预测称,今明两年全球PC销售量的增长速度将低于此前预期,原因是个人消费者正在削减支出。刘易斯今天表示,芯片公司对第三季度业绩的预期“远低于季节平均值”。
据新西兰外交部长麦卡利,新西兰计划投资近8百万新西兰元(660万美元)建设一个新的大型光伏系统。这个1兆瓦的光伏电站将坐落在汤加王国(Tonga),并预计每年1880兆瓦时的发电能力,占太平洋岛上的能源需求的4%左右。项目的建设这是采取公私合作的形式,由MeridianEnergy公司,汤加电力和汤加政府共同负责,计划在今年年底前动工。项目完成后,将有助于降低汤加当地的电力价格。目前汤加支付比大陆的新西兰人高达7倍以上的电力价格。太平洋岛国论坛会议之前,麦卡利已经透露了可再生能源整体计划,790万新西兰元(660万美元)的投资只是其中一部分。这个计划的目的就是支持可替代能源的发展和降低消费成本。在周二的奥克兰太平洋投资峰会上,麦卡利说:“我们希望与我们的太平洋邻国分享我们在这个行业的知识,MeridianEnergy公司凭借它在可再生能源方面的经验而赢得汤加塔布岛的太阳能项目合作机会。公私合作是一个很好的互相提供援助方式,这也为以后类似的太平洋地区基础设施建设项目提供了新的模式。”汤加首相LordTu'ivakano也对投资表示欢迎,认为该项目极大支持国家的10年计划以减少对进口燃料的的依赖。他说“汤加政府感谢这种援助,这将有助于实现汤加到2012年底减少50%的化石燃料使用的的目标。”
无线晶片大厂高通(Qualcomm)将收购IDT的视讯IC业务部门,包括HollywoodQualityVideo(HQV)与FrameRateConversion(FRC)视讯处理器IC的设计团队、产品线以及特定资产;两家公司并将持续合作,将IDT广泛的混合讯号产品应用于高通的参考设计中。这项交易的财务细节并未透露,预计在几周内完成。在高通的声明稿中,IDT执行长TedTewksbury表示,这项交易能让该公司更专注于核心的时脉、介面与类比密集混合等讯号解决方案,在各种具成长性应用领域的商机,例如云端运算、无线基础设施与消费性行动装置;此外也将建立与高通之间的新合作关系。高通执行副总裁SteveMollenkopf则表示,广受市场好评的HQV技术,将有助于高通巩固在视讯处理领域的领导地位。Mollenkopf进一步指出,将HQV技术与高性能的Snapdragon处理器结合,将可提升智慧型手机、平板装置等智慧型多媒体设备的多媒体内容显示品质;他们也期待在未来与IDT有更进一步的合作。
无线芯片大厂高通(Qualcomm)将收购IDT的视频IC事业部,包括HollywoodQualityVideo(HQV)与FrameRateConversion(FRC)视频处理器IC的设计团队、产品线以及特定资产。两家公司并将持续合作,将IDT广泛的混合信号产品应用于高通的参考设计中。这项交易的财务细节并未透露,预计在几周内完成。在高通的声明稿中,IDT执行长TedTewksbury表示,这项交易能让该公司更专注于核心的频率、介面与高集成模拟混合信号等解决方案,在各种具成长性应用领域的商机,例如云计算、无线基础设施与消费电子移动设备;此外也将建立与高通之间的新合作关系。高通执行副总裁SteveMollenkopf则表示,广受市场好评的HQV技术,将有助于高通巩固在视频处理领域的领导地位。Mollenkopf进一步指出,将HQV技术与高性能的Snapdragon处理器结合,将可提升智能手机、平板电脑等智能多媒体设备的多媒体内容显示品质;他们也期待在未来与IDT有更进一步的合作。
据DIGITIMESResearch,韩国主要面板相关应用IC设计公司包括SiliconWorks、Anapass及TLI(TechnologyLeaders&Innovators),受LCD面板景气持续低迷影响,2011年上半营收规模于韩国前9大IC设计公司排名,从2010年上半前3名,演变成第1、第4、第7名。SiliconWorks因有美商苹果(Apple)订单支撑,营收持续成长,维持韩国最大IC设计公司地位,2011年第2季营收达774亿韩元(约7,200万美元),为第4大Anapass的3.6倍。Anapass主要客户为三星电子(SamsungElectronics)、三星行动显示(SamsungMobileDisplay;SMD)等,因此营运表现堪称稳定,甚至2011年第2季营业利益率为3家公司中最高,达15.7%,SiliconWorks仅5.8%,至于主要客户为LGDisplay(LGD)与京东方的TLI则连2季亏损。3公司未来营运主要仍取决于面板产业景气变化,但其中,TLI积极进行多角化布局,不仅扩及Wi-Fi通讯芯片领域,亦收购韩国封测厂Winpac,寄望藉此增加营收与获利来源,并降低成本。
据最近Solarbuzz的一份报告,由于整个夏季以来组件价格持续下降,美国非住宅光伏发电由17吉瓦(GW)已经增长到24吉瓦。Solarbuzz公司本周公布的2011年9月版美国新政追踪数据库显示,1865个非住宅项目的太阳能光伏产能共计25.9吉瓦,这包括已经安装的,正在安装的或自2010年1月1日起在规划建设中的。根据该报告:•加州,目前占美国总规划项目的61%,得益于美国雄心勃勃的33%的可再生能源组合标准(RenewablePortfolioStandard)目标和近期太阳能热发电项目转变为太阳能光伏项目的趋势。依据兆瓦计算,位居前六名的州是:加利福利亚洲、亚利桑那州、内华达州、得克萨斯州、新泽西州和新墨西哥州。总体来看,美国的光伏项目共涉及44个州。•公用事业项目活动主要在35个州,而其他低于1兆瓦的非住宅项目总共有771个。•快速发展的非住宅项目已经为项目开发商,工程、采购和施工(EPC)单位提供了机会。前12名的项目开发商目前占总光伏规划开发项目51%的份额。•美国组件的出厂价格在过去4个月内的剧降现在才开始影响公用事业项目,尤其是1兆瓦以下项目。五分之一的1兆瓦以上的安装项目的价格为每瓦3.75美元(标准测试条件下,直流),甚至更低。•在这些已经选定了组件供应商的项目中,排在前三位的兆瓦级供应商为第一太阳能(FirstSolar),SunPower和尚德太阳能(Suntech)。英利绿色,夏普和SolarWorld正在努力争取非住宅项目。•在这些项目中,处于领先地位的光伏逆变器供应商是美国AdvancedEnergy和美国赛康科技(SatconTechnology)。
半导体业者嗅到三维晶片(3DIC)导入行动装置的商机,纷纷投入技术研发;然而,要加速量产时程,制定逻辑与记忆体IC接合标准已成首要关键。因此,全球十八家晶片商正透过联合电子装置工程协会(JEDEC)组织委员会研拟标准,其中,日月光也投身该组织卡位3DIC封装商机,在众家大厂戮力推动下,该标准预计于年底定案,将协助3DIC迈开量产脚步。 日月光集团总经理暨研发长唐和明表示,3DIC犹如一幢晶片大楼,如何在既有地基向上搭建与接合仍有许多难题,因此,IC设计、晶圆代工及封测厂之间须通力合作,才能确保各个生产环节顺遂无误。 日月光集团总经理暨研发长唐和明表示,将处理器、逻辑与记忆体等异质晶片以立体堆叠形式做结合的3DIC,具有整合度高的优势,可大幅推升运算效能,并降低耗电量及印刷电路板(PCB)占位空间,因而成为产业竞相布局的新市场。然而,其设计复杂度却远高于传统晶片,无论是技术及成本的挑战皆多如繁星;其中,最大的问题在于如何接合不同类型的晶片,以及晶圆磨薄后如何精确穿孔和对位,方能打造出有效运作的立体堆叠晶片。 着眼于异质晶片接合标准对推动3DIC的重要性,唐和明透露,目前包括英特尔(Intel)、高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、三星(Samsung)及尔必达(Elpida)等全球十八家晶片大厂,以及掌握晶片最后一道封装关卡的日月光已组成JEDECJC11.2标准委员会,快马加鞭的推动逻辑与记忆体晶片接合的介面标准--WideI/OMemoryBus,并可望于年底尘埃落定。如此一来,除能透过标准的依循与协助,加快厂商开发时程,促使3DIC尽早展开量产之外,并可进一步以量制价,一并解决目前3DIC生产成本居高不下的问题。 另一方面,近期半导体供应链加码投资3DIC开发的现象日益显著,包括台积电、京元电子等晶圆及封测厂均加入竞逐行列,且研发费用较2010年明显增加,对催生3DIC产品亦有推波助澜之效。唐和明指出,乐观来看,3DIC可望于2013年开始大量生产,应可视为3DIC的量产元年;不仅如此,若WideI/OMemoryBus标准在年底顺利过关,量产时间更可望提早至2012年底。届时,可预见行动装置将掀起一波兼顾高效能与超轻薄外型的产品革命。 虽然3DIC现仍处于试产阶段,且并未导入实体产品设计,不过,其以矽穿孔(TSV)技术将各种晶片叠合在一起,达成高效能而低耗电的整体表现,已让新一代的行动装置纷纷聚焦此种晶片做为设计腹案。唐和明分析,“轻薄短小”已成行动装置的设计圭臬,让工程师对晶片占位空间与低功耗要求锱铢必较,促使以立体堆叠形式的3DIC渐成未来晶片主流。特别是今年各大市场研究机构频频上修平板电脑及智慧型手机的预估出货量,在此一市场需求推助下,产品设计将持续朝向轻薄化迈进,而要达到此一要求,3DIC将是不可或缺的要素。 除可满足行动装置的设计需求外,高效能、低耗电,占位空间更小的3DIC亦可加速更新颖、划时代的电子产品问世。唐和明强调,未来5~10年,云端运算及物联网(IoT)的时代将全面来临,届时,随时、随地,甚至随“物”均须具备联网能力。如此一来,无论是车用、医疗与生活电子皆须是联网、轻便可携且长时间待机等三种特性兼具的产品,若采用传统形式的晶片势难达成此一目标,也因此,3DIC将是引领电子产品迈向未来的关键。
据日本共同社消息,软银社长孙正义12日透露,将在明春前投资100~200亿日元(约合人民币8.25~16.5亿元)成立一家从事自然能源发电业务的合资公司。据介绍,软银计划向生产商、金融机构等募集资金,包括贷款在内的投资规模将达数千亿日元。福岛核事故发生后,软银决定涉足发电业务,计划在全国新建太阳能发电站、风力发电站等。厂址候选地正在遴选中,孙正义表示“将在半年内决定大部分地点。”此外,软银还计划年内在北海道带广市和苫小牧市周边建造太阳能发电试验设施,设置各厂商的大约10款太阳能电池板进行实际测试,灵活运用于本公司的发电业务。
根据工研院IEKITIS计划半导体研究部出具最新报告表示,第三季台湾半导体产业产值为4138亿元,较第二季小幅衰退1.1%;展望全年,台湾半导体产业估为16,653亿元,较2010年衰退5.8%。该研究部表示,今年的衰退主要原因是IC设计受到下半年PC/NB芯片需求确定「旺季不旺」、晶圆代工需求不如预期,加上IC封测在第三季上旬仍有库存修正压力的多重打击下,造成半导体产业产值恐较去年减少5.8%。