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  • 英国政府封堵太阳能补贴漏洞

    英国政府计划封堵其太阳能电站补贴计划中的漏洞，该补贴计划允许大型电站的开发商获得更多补贴，而政府现在打算遏制这种情况的发生。7月27日，能源与气候变化部宣布，该部计划从2011年10月31日起，改变太阳能电站的延期条款，以防止开发商们为商业规模级的光伏项目抢购更多补贴。最初的政策允许在2011年8月1日审查开始之后的12个月内完成的项目可以继续获得在上个月政府宣布快速审查举措之前项目所得上网电价补贴标准。“这样的规定将产生一个漏洞，如果继续下去，将会对上网电价补贴的支出以及该机制的完整性造成相当大的不利影响，并将破坏快速审查措施的预期效果，”该能源与气候变化部在其谘询文件中表示。现在政府计划改变这项条款，所以现有项目的延期部分将与投产时的项目分离，而不能享受项目投产时所获得的补贴标准。“一些大型太阳能光伏项目的开发商想利用上网电价补贴延期条款，让在8月1日后新扩张的项目继续获得现有补贴标准，”政府表示。变更条款的谘询期从2011年8月31日起开始，政府希望9月份可以及时完成条款的变更，而新的条款最终将在10月底开始生效。上个月，英国政府将大型太阳能项目的补贴削减了40%-70%。政府担心商业规模级的项目会抢占家庭及社区项目的补贴。英国的太阳能产业对政府之前的削减计划表示震惊，并表示此举会将太阳能产业扼杀在摇篮里。

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  • 数据：日本6月份半导体出口额降幅达10%

    据日本媒体报道，近日日本财务省公布了贸易统计速报显示，日本6月份对外贸易出现707亿日元贸易顺差。这也是至日本大地震以来首次出现贸易顺差，但顺差额同比减少89.5%。数据显示，6月份日本出口额为5.7759万亿日元，同比减少1.6%，连续四个月持续下降;进口额为5.7052万亿日元，同比增加9.8%，连续18个月持续上升。据悉，6月份半导体、零部件等出口额降幅仍然较大，降幅均在10%以上。但随着震后恢复工作的进行，半导体零部件等生产链有望在8月下旬恢复运行。日本半导体制造设备协会(SEAJ)日前发表日本制半导体制造设备2011年全球销售预测，2011年销售估计将较2010年增长9%，销售额达到1.35兆日元。

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  • 2015年亚太光伏市场将占全球26%份额

    行业观察机构Solarbuzz最新研报预计，亚太光伏市场料快速发展，到2015年时将提供全球26%的需求，比重较2010年时的11%大幅提高。该报告称，亚太地区的中国、日本、印度、澳大利亚和韩国2011年时光伏市场需求总量料达3.3吉瓦(GW)，中日两国得益于其行业扶持新政，需求增长最为领先。“亚太各主要市场的政策结构都正在发生着深刻的转变，中国、印度和澳大利亚开始建设并网光伏发电市场，日韩则面临着政策变迁，以期在未来几年重新刺激国内需求。”报告写道。Solarbuzz预计，2011年中国光伏市场规模最多可较上年扩张达174%，这得益于国家和各省的建设规划。中国是光伏产品生产大国，产量约占全球一半之多，但国内光伏发电市场仍处于起步阶段。Solarbuzz总裁CraigStevens表示，中印两国都拥有数个吉瓦的待建项目，市场增长预期高涨，“但这些项目眼下最大的挑战是在不断变化的政策和监管环境中保障融资。”“如果这些政策成功推动亚太地区预期的增长，将可协助减轻欧洲市场削减补贴带来的冲击。”他说。报告数据显示，日本今年的新增光伏装机容量至少可达1.29GW，同比增幅约35%；印度今年新增装机亦可同比翻番，截至6月时的数据显示，2013年前该国将完成建设总量达1.5GW的并网光伏项目；韩国的新计划则拟在未来五年新增1.2GW光伏发电容量。

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  • 日本瑞萨将出售手机音频芯片业务

    日本芯片巨头瑞萨电子公司29日决定，于年内把手机音频芯片业务出售给电子零部件厂商村田制作所。瑞萨希望剥离亏损业务，把经营资源集中于汽车控制芯片等主力产品。 村田制作所的强项在于通信器材用零部件，公司的战略是通过收购业务拓展产品阵容以提高竞争力。 东日本大地震给瑞萨的那珂工厂造成严重打击，公司2010财年出现了1150亿日元的巨额亏损。  

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  • 联华电子与赛普拉斯宣布65nm SONOS工艺

    联华电子与赛普拉斯半导体(Cypress)日前共同宣佈，双方已採用新的65奈米SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon，硅-氧-氮化硅-氧-硅)快闪记忆体技术，成功产出了有效硅晶片(working silicon)。联华电子将採用此新製程为Cypress生产次世代PSoC® 可编程系统单晶片，以及nvSRAM和其他产品。此外，联华电子也将在Cypress授权协议下，将此技术提供给其他公司使用。 此一崭新的S65TM製程，係採用65奈米SONOS嵌入式NVM (nonvolatile memory，非挥发性记忆体)技术，此製程现已顺利与联华电子标准LL65製程整合。凡是採用LL65製程的晶片设计，不论是现有或新的设计，现都可轻易地加入嵌入式快闪记忆体，享有快速产品上市时间，低开发成本，且几乎不会对其他硅智财的设计产生干扰等优点。S65製程的主要优势包含了高耐力，低功耗，及抵抗记忆体因为宇宙射线而发生软错误的错误率（SER，Soft Error Rate）。相较于其他嵌入式快闪记忆体技术需要外加7-12层光罩，此技术仅需要在标准CMOS製程之外，额外加上三层光罩即可。S65製程同时可提供客户高良率与低测试成本。就Cypress产品而言，和採用现有0.13微米S8TM製程生产相比，此一新製程预期将可减少75%的阵列尺寸，并且减少一半的功耗。 “我们非常高兴能与晶圆专工製造业的领导者携手，共同推动了此尖端技术的上市，” Cypress全球製造与营运执行副总Shahin Sharifzadeh表示，“Cypress十分期待于产品群内，加入採用S65TM製程所生产的高效能新产品。同时也将与联华电子并肩努力，将此技术授权给联华电子广大的全球客户群使用。” “身为以客户需求为导向的晶圆专工厂商，联华电子不断致力于为客户推出更精进的製程选择”，联华电子资深副总颜博文表示，“今日嵌入式NVM已成为诸多晶片设计的主要特性。为此，联华电子提供了一个极富价值的技术解决方桉，透过成功地整合S65TM与LL65製程，藉此满足客户的需求。我们期望将採用此製程技术的Cypress与其他客户产品，儘快带入量产。” 联华电子S65TM製程预计于今年度第三季上市。  

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  • 欧洲太阳能今年恐衰退14％

    长期以来扮演全球太阳能发展「火车头」角色的欧洲，今年恐将面临首次衰退。市场研究机构Solarbuzz评估，受到需求低迷、市场高库存以及补贴政策不明朗的冲击，预估欧洲今年的太阳能市场规模将衰退14％。Solarbuzz认为，由于几个高成长和高价格的欧洲市场之业务模式将接受考验，更为分散的市场结构，还将大幅压低太阳能下游产业链的利润，很多企业正在面临高价库存、销售疲软及潜在的现金流的问题。长期来看，太阳能发电的成本持续快速下滑，但在朝向「市电同价」目标努力的方向上，还有很多挑战。Solarbuzz指出，短期内，德国电力公司担心太阳能发电容量，会对于电网的稳定性带来一些不可预测的风险，结果造成电力公司将注意力集中在「电力储存」与「智能计量」技术，这不仅增加了成本与困难度，同时也延迟了太阳能的推广。Solarbuzz欧洲市场研究副总AlanTurner表示，过去10年欧洲在全球太阳能需求成长的过程中，扮演推动产能扩张的关键角色。不过，之前没有安装上限的电价补贴政策，受到财政状况影响而逐步降低，政策调整日趋频繁也为太阳能系统的投资者带来了不确定性。AlanTurner指出，今年上半年欧洲主要太阳能市场衰退，供过于求的状况导致下游库存快速攀升，这压力也蔓延至上游。为了刺激市场，相关产品开始大幅降价，但此举并未对疲弱的欧洲太阳能市场带来太多刺激，6月份以来市场回温，主要是来自于德国取消年中电价补贴下调。

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  • 北美半导体设备制造商2011年6月订单出货比为0.94

    国际半导体设备与材料协会 (SEMI)于7月19日公布的六月份订单出货比报告显示，2011年6月份北美半导体设备制造商接获订单的3个月平均金额为15.5亿美元，订单出货比为0.94。0.94意味着当月设备出货总金额与当月新增订单总金额的比值为100：94。 2011年6月北美半导体设备制造商接获全球订单的3个月平均金额为15.5亿美元，较5月上修值（16.2亿美元）缩减4.4%，并且较2010年同期的17.3亿美元短少10.3%。2011年6月3个月平均出货金额为16.5亿美元，较5月上修值（16.7亿美元）短少1.1%，但较2010年同期的14.7亿美元高出12.5%。  “出货在逐年增长，3个月平均出货相对保持稳定，”SEMI总裁兼首席执行官Stanley T. Myers指出，“我们将密切观察接单金额的动向，但目前还没有明确的数据趋势显示年底或季节性的市场下滑趋势已经出现。” SEMI订单出货比为北美半导体设备制造商接获全球订单的3个月平均接单与出货的比例。出货与订单数字以百万美元为单位。

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  • Q2 NB市场：宏碁欧洲失血 HP趁机窜起

    市调机构IDC第二季全球区域PC市场销量报告显示，原本囊括西欧及东欧最大笔记本电脑(NB)销量的宏碁，第二季面临通路库存过高、执行长兰奇下台的阵痛，销售大受影响。宏碁西欧笔电出货量年减幅度高达47%，HP则趁机窜起，第二季在西欧笔电(含上网本)的市占率从第一季的20.3%大幅增至24%，成为西欧第1大笔电品牌。而宏碁在东欧的笔电王位也让座给华硕。华硕在东欧的笔电市占率也大增了5.5个百分点。 而备受瞩目的中国大陆市场，第二季笔电市场规模持续成长至819万台，较第一季成长12.7%，亦较2010年同期成长18%。而宏碁合并方正后，在大陆的笔电市占率超越HP，名列第4；而HP第二季因品质门杀伤力趋缓，在中国大陆的笔电出货年成长率跳增35%。 此外，大陆上网本市场销售热潮衰退，2011年第一季华硕、三星分居大陆上网本前1、2名，市占率分别达3成以上。第二季上网本退烧，加上前一季消费市场疲软，使Dell取代华硕成为大陆第二大笔电品牌，华硕长规笔电市占率从第一季的15%下滑至11%；Samsung第二季在大陆笔电市场的出货量则年减27%。  

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  • 德仪第二季度净利6.72亿美元同比下滑13%

    北京时间7月26日凌晨消息，德州仪器今天公布了2011财年第二季度财报。报告显示，比去年同期下滑1%；净利润为6.72亿美元，比去年同期下滑13%。在截至6月30日的这一财季，德州仪器的净利润为6.72亿美元，较去年同期的7.69亿美元下滑13%；每股收益56美分，较去年同期的每股收益62美分下滑10%。德州仪器第二季度毛利润为17.53亿美元，低于去年同期的18.94亿美元。德州仪器第二季度营收为34.58亿美元，比去年同期的34.96亿美元下滑1%。德州仪器第二季度业绩超出分析师此前预期。汤森路透调查显示，分析师平均预期德州仪器第二季度每股收益54美分，营收34.4亿美元。今年4月，德州仪器预计第二季度营收为34.1亿美元到36.9亿美元，每股收益为0.52美元到0.60美元。德州仪器第二季度共获得36亿美元的订单，同比下滑3%，与上一季度基本持平。德州仪器第二季度运营利润为9.05亿美元，比去年同期的11.07亿美元下滑18%，与第一季度的9.08亿美元基本持平。德州仪器第二季度运营利润的同比下滑，主要由于毛利润的下滑；德州仪器毛利润的同比下滑，主要是由于受到日本地震相关支出、工厂利用率下滑以及营收同比下降的影响。德州仪器第二季度运营利润与上一季度基本持平，原因是虽然营收的增长促使盈利增长，但被工厂利用率的下降、地震相关支出的增长以及运营支出的增长所抵消。2011财年第二季度，德州仪器模拟产品营收为15.88亿美元，比去年同期的15.12亿美元增长5%；嵌入式处理产品营收为5.96亿美元，比去年同期的5.16亿美元增长16%；无线产品营收为5.58亿美元，比去年同期的7.27亿美元下滑23%；其他产品营收为7.16亿美元，比去年同期的7.27亿美元下滑3%。德州仪器第二季度产品库存为17.6亿美元，比去年同期增加4.13亿美元，比第一季度增加8400万美元。德州仪器第二季度资本支出为2.76亿美元，低于去年同期的2.83亿美元，但高于第一季度的1.94亿美元。德州仪器第二季度以4.52亿美元回购了1300万股普通股，并支付了1.50亿美元的股息。德州仪器预计2010财年第三季度营收为34.0亿美元到37.0亿美元，每股收益为0.55美元到0.65美元。汤森路透调查显示，分析师预计德州仪器第三季度每股收益为64美分，营收为36.3亿美元。德州仪器称，将在9月8日公布最新的第三季度业绩预期数据。德州仪器预计，2011财年研发支出为17亿美元；资本支出为9亿美元；折旧费用为9亿美元；有效税率为27%，低于此前预期的28%。当日，德州仪器股价在纽约证券交易所常规交易中下跌0.31美元，报收于31.47美元，跌幅为0.98%。在随后截至美国东部时间18:55(北京时间26日6:55)为止的盘后交易中，德州仪器上涨0.03美元，至31.50美元，涨幅为0.10%。过去52周，德州仪器最高价为36.71美元，最低价为22.95美元。

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  • AMD第二季度净利润6100万美元同比扭亏

    北京时间7月22日凌晨消息，AMD今天发布了2011财年第二季度财报。报告显示，AMD第二季度营收为15.74亿美元，较去年同期的16.53亿美元下滑5%；净利润为6100万美元，去年同期净亏损为4300万美元。在截至7月2日的这一财季，AMD的净利润为6100万美元，每股收益0.08美元，这一业绩好于去年同期。2010财年第二季度，AMD的净亏损为4300万美元，每股亏损0.06美元。AMD第二季度运营利润为1.05亿美元，去年同期为1.25亿美元。不计入特殊项目，AMD第二季度调整后净利润为7000万美元，调整后每股收益为9美分，这一业绩好于分析师的预期。汤森路透调查显示，分析师此前预计AMD第二季度调整后每股收益为8美分。AMD第二季度毛利率为46%，高于上一季度的43%，以及去年同期的45%。AMD第二季度营收为15.74亿美元，低于上一季度的16.13亿美元，以及去年同期的16.53亿美元，这一业绩基本符合分析师预期。汤森路透调查显示，分析师此前预期AMD第二季度营收为15.8亿美元。2011财年第二季度，AMD计算解决方案集团的销售额为12.07亿美元，去年同期为12.12亿美元；运营利润为1.42亿美元，去年同期运营亏损为1.28亿美元。AMD图形部门销售额为3.67亿美元，去年同期为4.40亿美元；运营亏损为700万美元，去年同期运营利润为3300万美元。AMD其他部门销售额为零，去年同期为100万美元；运营亏损为3000万美元，去年同期运营亏损为3600万美元。当日，AMD股价在纽约证券交易所常规交易中下跌0.10美元，报收于6.50美元，跌幅为1.52%。在随后截至美国东部时间17:06(北京时间22日5:06)为止的盘后交易中，AMD股价上涨0.25美元，至6.75美元，涨幅为3.85%。过去52周，AMD的最高价为9.58美元，最低价为5.53美元。

    半导体 AMD

  • 日本投1100万美元在埃及建光伏电厂

    日本国际合作部宣布计划在埃及建设太阳能发电厂。这个被称为“用太阳能发电系统引入清洁能源”的项目计划建设一个光伏发电厂。这个电厂将有能力维持一个运动中心、商场和宿舍的电力需求。日本将投资1100万美元作为这个“宏伟资助计划”的一部分。该电厂预计产能为420千瓦，2012年正式运行之后将达到641000千瓦。设备运输和技术支持主要由日本方面提供，埃及方面主要负责设备安装和筹备。该项目于2009年4月提交申请，于2010年2月获批。这个项目证明了，福岛核泄漏事件和昂贵的日本北部重建都没有削弱日本外交部在大型能源项目上的投资能力。“目前日本在核能方面的政策并没有改变，而埃及项目和核危机并没有关系，因为早在核泄漏事件发生之前我们就和埃及政府签订了协议，”日本国际合作部负责人说。日本国际合作部的一位监管另一项开罗南部太阳能混合项目的员工解释说，可更新能源在政府的能源战略中占据越来越重要的地位。“埃及的电力需求正以每年10%的速度迅速增加，而政府似乎也非常愿意满足人民的这项要求，”他说。这个太阳能混合项目是埃及第一个将太阳能和天然气联合起来进行发电的项目。

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  • 科学家发现最薄单层石墨烯 有望制造未来芯片

     据国外媒体报道，随着科技的不断发展，电脑和手机的运行速度也将会越来越快。科学家近日就对外公布了一种超薄的单层石墨烯物质，有望被用作电脑和手机等未来电子产品中的芯片制作材料，从而来提高这些电子产品的运行速度。     据悉，单层石墨烯仅由一层碳原子层组成，是于2004年时被曼切斯特大学的科学家康斯坦丁·诺沃肖洛夫（Kostya Novoselov）和安德烈·海姆（Andre Geim）首次发现的。当时，他们通过使用一条透明胶带，从一块石墨中剥去了一层薄薄的碳层，随即在眼前呈现出了一层较为密集的碳原子层，也就是所谓的单层石墨烯。诺沃肖洛夫教授在《独立报》上表示，他们对该单层石墨做了一个开创性实验，科学家为了观察电子在这种单层石墨物质中究竟会以何种速度流动，他们在实验中将一块单层石墨悬挂在一处密闭的真空中，且在此空间中，没有留下任何可供电子流动的间隙。研究结果让大家很吃惊，因为他们发现子在单层石墨中具有巨大的流动性，流动的速度十分快。     科学家通过该实验也得出结论，即正常情况下，电子在单层石墨中的传送速度要远远快于在硅物质中的速度，而众所周知，目前大多电子产品中的芯片都是由物质硅制作而成。如果真的将单层石墨作为芯片的制作材料，这对于商业利益来说将会是一个巨大的突破，因为它不仅会提高机器的运行速度，它本身的灵活性能还会使手机和电脑等电子产品像铅笔一样被灵活卷起。而科学家在最近的一次研究中也发现，次电子粒子在这种超薄的单层石墨中能够更快速的运行，它有很大可能被应用在未来新一代的电子产品中，促使电子产品更快速的运行。     在该实验被公开后，全球各地大学的研究人员都开始着眼于将单层石墨做成芯片，应用到新一代的电子设备中，例如，有的研究人员尝试着研发新型电脑触摸屏，在该触摸屏中用单层石墨芯片代替原有硅芯片。诺沃肖洛夫教授和安德烈—海姆教授表示，该研究结果对于物理学来说是个很大的突破，对于未来的新一代电子应用程序来说则蕴含着非比寻常的意义，未来的单层石墨电子产品不再是梦想。同时，诺沃肖洛夫教授和安德烈—海姆教授在去年也通过该二维单层石墨物质的开创性试验夺得了诺贝尔物理学奖。  

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  • 德国博世：耗资5.3亿光伏技术中心落成

    耗资5.30亿的博世集团光伏技术中心日前在德国阿恩斯塔特落成。该中心集太阳能总部、研发中心、光伏电池片及组件生产与培训中心于一体。附近还设有一家硅锭及硅片生产工厂，在这里，博世公司几乎涵盖了整个晶体硅供应链。这座占地382,000m2的工厂历时两年多建造完成。该公司表示，预计到2012年将创造约1000个新的工作岗位，其中有600个岗位将在今年上线。全新的研究中心将聘用120名助理，他们将负责开发新产品并为系列化生产做好准备，同时新的培训中心也将于9月1日投入运营。阿恩斯塔特工厂是博世集团投资光伏领域的三大重要投资之一，预计今年的盈利将突破10亿欧元。该公司正在法国建造另一座组件生产工厂，计划于2012年投入生产。据说，到2011年年末，公司还将在马来西亚建造一座垂直一体化光伏生产工厂，预计将耗资5.20亿欧元。

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  • 三星今年资本支出不降反升　同业担忧

    外电指出，三星电子(SamsungElectronics)执行长崔志成(ChoiGee-sung)25日表示，三星下半年的资本支出也不会减少，且还会高于原先预期，因为公司过去一贯的传统都不会仅依据一年的营运展望来拟定投资计画；这象征在DRAM产业价格血流成河，且NANDFlash产业受到智能型手机、平板计算机等需求不如预期的时刻，三星的产能扩充仍没有踩煞车的迹象。三星2011年最大的投资为打造Line16新2寸晶圆厂厂房，预计2011年第3末开始量产，初期会以NANDFlash产品为主，外界预估NANDFlash将是主力，因为三星与东芝(Toshiba)之间的市占率持续拉近至0.3%，因此新厂的产能对于双方都很重要。三星在华城Line12、器兴Lien14和美国奥斯汀厂等厂房合计的NANDFlash产能约35万片，Line16新产能加入后，预计可拉大与劲敌东芝之间的市占，不过，东芝与快闪记忆卡大厂新帝(SanDisk)合资的新12寸晶圆厂Fab5也即将量产，在双方都拼命扩产之下，未来全球NANDFlash龙头是否会易主值得观察。在DRAM方面，虽然目前市场上没有传出三星的Line16有把DRAM产能加进去，但以目前DRAM产业血流成河的市况来看，即使三星不扩产，同业都相当辛苦，而新厂量产后，未来可轻易加入DRAM生产行列，对市场而言都要进一步观察。除了三星坚守2011年的资本支出不减少，且甚至增加外，日前台系DRAM厂南亚科和华亚科也维持既有资本支出，南亚科为新台币120亿元，华亚科为新台币170亿元，未来若加速30纳米制程转进，不排除加码资本支出。

    半导体 DRAM 三星 东芝 NANDFLASH

  • 海力士2Q营收26亿美元　营业利益4.2亿美元

    韩半导体大厂海力士(Hynix)21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)，营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元)，与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%，然与2011年第1季相比，虽然营收减少1%，但营业利益则增加了38%。海力士表示，以美元计算的营收较第1季增加，然因汇率问题而出现较第1季减少的情况。海力士表示，第2季初虽然面临淡季，但日本发生震灾后，各厂担忧日本供货短缺，而使需求短暂攀升，然而需求未达到预期，第2季中后期营收快速恶化等，市场变动相当大。实际上第2季DRAM及NANDFlash等平均销售价格与第1季相比，DRAM减少1%、NAND则暴跌19%。出货量方面，DRAM维持与第1季相同水平，NAND则增加约36%。海力士相关人员表示，下半年将进入旺季，但因欧洲财政危机及全球景气恢复趋势钝化，整体经济仍存在许多不透明的情况。海力士将会致力于微细制程转换及架构良好的产品收益结构，持续扩大与他厂竞争力的差距。对于微细制程，海力士透露，2011年第1季投入生产的30纳米等级DRAM比重至年底将扩大至40%。而第2季末比重约占70%的行动装置、绘图、服务器用DRAM等高附加价值产品，也将持续维持其比例。海力士将加快NANDFlash转换微细制程的速度，第2季末占比重约50%的20纳米等级产品，年底将扩大至约70%，次世代20奈米产品也计划于2011年下半投入量产。海力士与日厂东芝(Toshiba)为确保在次世代存储器市场的主导权，合作研发STT-MRAM等，正持续为未来的竞争力做准备。

    半导体 DRAM 海力士 NANDFLASH TOSHIBA

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