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  • 瑞萨与NEC电子将合并？ 分析师不看好

    市场传言，日本两芯片大厂NEC电子(NEC Electronics)与瑞萨(Renesas)正在洽谈合并事宜；但有分析师并不看好这桩“婚事”，指两家公司的结合虽将创造一位微控制器(MCU)霸主，但双方将会面临沉重的整合问题。   根据市场研究机构iSuppli的数据，瑞萨目前是全球第六大IC供货商，2008年营收为70.17亿美元；NEC电子则是全球第十一大IC供货商，08 年营收为58.26亿美元。两家公司若是合并，将诞生一家年营收128亿美元，规模仅次于英特尔(Intel)与三星电子(Samsung)的大厂。   此外根据Databeans的排名资料，瑞萨与NEC电子在08年分别是全球排名第一与第三大的微控制器供货商，前者市占率20.1%，后者市占率9.7%。瑞萨的产品还包括模拟、SoC芯片，NEC电子则也生产ASIC、消费性IC等。   “若瑞萨与NEC电子的MCU业务合并，将产生一家市占率超过30%的供货商；这将让其它全球前30大微控制器供货商很难抢到两位数的占有率。” Objective Analysis分析师Tom Starnes表示：“也许两家公司已在进行洽谈，但我们却不认为双方合并有利。”   Starnes认为，这两家公司结合的坏处多余好处：「想想目前瑞萨与NEC电子各自拥有的广泛产品线，双方面临的产品重迭问题会高过于产生新的协同效益。若无法减少两者的重迭产品线，将很难创造太多的获利。   还有其它问题。“当需要生产更多种类的芯片，制造成本也会跟着升高；此外任何一种新收购来的芯片产品，首先都得经历新制程的适应，这是非常耗费资源的过程。因此这两家公司无法一拍即合，或是在短期之内就看到财务效益。   不过仍有部份分析师认为瑞萨与NEC电子的合并会在今年内发生；这两家公司都面临窘境，也很难在目前的IC产业低迷景气中独立运作。   不久前，另一家日本大厂东芝(Toshiba)透露，该公司可能会分割旗下系统芯片与离散组件部门；而市场传言，东芝打算独立出去的业务可能会与NEC合并，不过前者已经否认了这项谣言。东芝与NEC在制程开发方面合作密切，不过东芝自己问题多多，合并NEC是自找麻烦。   另一方面，瑞萨与NEC电子可能走投无路、不得不寻求合并；而此事若成，恐怕大规模的裁员与晶圆厂关闭也无法避免。这两家公司都有自己的问题，面临巨额亏损、产品表现失色以及经营焦点不明等困境；而且他们都有过多的旧晶圆厂与员工。   皆为亏损所苦的瑞萨与NEC电子   m瑞萨是在2002年由日立(Hitachi)与三菱电机(Mitsubishi Electric)的逻辑芯片部门合并而成，在此次的IC产业衰退中受创甚深；今年一月，该公司因亏损而更换高层人事、执行裁员，并打算关闭旧晶圆厂。该公司预测今年将亏损22.94亿美元，销售额也将狂跌。   此外瑞萨也裁减了临时雇员、关闭较旧的生产线；该公司消减了5吋与6吋前端生产线产能，转移至较大尺寸晶圆，以提升制造效益。   至于NEC电子与其母集团NEC，这几年来的经历则像是坐云霄飞车。在1999年，NEC将DRAM部门独立出去，与日立合资成立尔必达(Elpida)；2002年，NEC电子则与NEC母集团分割，成为独立的半导体公司。   为了节省成本，NEC电子去年宣布「加强」施行优退政策，最近也公布了旗下晶圆厂整并计划的细节，将继续关闭更多的旧生产线。此外今年一月，NEC集团宣布裁员2万人，NEC电子美国分公司则宣布将再2010年三月底关闭加州Roseville的6吋晶圆生产线。   由于景气低迷，NEC电子最近一季财报显示销售额1,273亿日圆(14亿美元)，较去年同期减少了25.4%，净亏损达199亿日圆(2.19亿美元)。此外该公司也将本财务年度的销售预测下修15.9%，由原先的6,600亿日圆(73亿美元)，更新为5,550亿日圆(62亿美元)。

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  • 报道称Infineon向德国政府申请援助

    据国外媒体报道，处于困境的德国芯片制造商Infineon正在准备向德国政府递交财政救助申请。   据称，Infineon公司CEO Peter Bauer已和柏林联邦大臣展开洽谈。   在申请材料中Infineon强调了自己在德国汽车产业中的重要作用，称如果公司申请破产保护，将对德国汽车产业造成严重影响。   Infineon将在2010年年中之前筹得9.24亿美元用于偿还债务，专家称这将非常困难。但目前也出现了一些乐观信号，上周公司召回了Dresden工厂的工人，以迎接产能利用率的改善。同时投资者相信最坏的时刻已经过去，Infineon的股价在过去几周内翻了三倍。   Infineon未对该消息做出任何回应。  

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  • 详讯：AMD第一季度净亏损4.16亿美元

    北京时间4月22日凌晨消息，AMD今天发布了2009财年第一季度财报。报告显示，由于PC销售下滑的影响，AMD第一季度净亏损4.16亿美元。   在截至3月28日的这一财季，AMD的净亏损为4.16亿美元，每股亏损0.66美元，这一业绩不及去年同期。2008财年第一季度，AMD的净亏损为3.64亿美元，每股亏损0.60美元。AMD第一季度运营亏损为3.08亿美元，去年同期运营亏损为2.34亿美元。   不计入特殊项目，AMD第一季度调整后每股亏损62美分，这一亏损略低于分析师的预期。路透财经调查显示，分析师此前预计AMD第一季度调整后每股亏损为63美分。AMD第一季度毛利率为43%，高于上一季度的23%，以及去年同期的42%。AMD毛利率的环比增长，主要由于受市况疲软的影响，上一季度产品库存价值减记2.27亿美元，给毛利率带来了20个百分点的负增长。   AMD第一季度营收为11.77亿美元，与上一季度的11.62亿美元基本持平，较去年同期的14.87亿美元下滑21%，这一业绩好于分析师预期。路透财经调查显示，分析师此前预期AMD第一季度营收为9.838亿美元。   2008年第一季度，AMD计算解决方案集团的销售额为9.38亿美元，去年同期为11.94亿美元；运营亏损为3600万美元，去年同期运营亏损为1.64亿美元。AMD图形部门销售额为2.22亿美元，去年同期为2.62亿美元；运营利润为100万美元，去年同期运营利润为1300万美元。AMD其他部门销售额为1700万美元，去年同期为3100万美元；运营亏损为1.24亿美元，去年同期运营亏损为8300万美元。   当日，AMD股价在纽约证券交易所常规交易中上涨0.05美元，报收于3.36美元，涨幅为1.51%。在随后截至美国东部时间17:26(北京时间22日5:26)为止的盘后交易中，AMD下跌0.22美元，至3.14美元，跌幅为6.55%。过去52周，AMD的最高价为7.98美元，最低价为1.62美元。 

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  • 集邦：今年DRAM业资本支出54亿美元 年减56%

    全球DRAM厂持续减产，以减少亏损及资金流出，并放缓制程技术推进时程；集邦科技预期，今年全球DRAM产业资本支出约54亿美元，年减56%。   集邦科技表示，50纳米制程技术每片晶圆颗粒产出量可望较60纳米制程增加40%至50%，有助于制造厂降低成本达3成以上。   只是集邦科技估计，以目前DRAM制程来看，DRAM生产线升级至浸润式技术所需设备费用，及其它转进新制程所需支出，每1万片产能需要1亿美元左右的资本支出。   而减少资金流出，为DRAM厂当务之急，期能安然度过这波景气寒冬，因此，集邦科技指出，全球DRAM厂推进50奈米制程的时程都往后延迟1至2季。   集邦科技预期，今年全球DRAM业资本支出恐将腰斩至54亿美元，将较去年的122亿美元，大幅减少56%。  

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  • 国家知识产权局回应山寨现象：抄袭绝不是创新

            田享华　　国家知识产权局局长田力普昨日首次全面而正式地评价了目前IT产品领域流行的“山寨现象”。　　在国务院新闻办公室新闻发布会上，田力普引用一家研究机构对山寨手机的分析报告称，有相当一部分山寨手机已经涉嫌侵犯他人的外观设计专利权和商标专用权。他说，这种现象不值得做任何肯定、宣传和欢呼，因为相关厂商已经涉嫌违法，涉嫌侵犯他人的知识产权，“要知道模仿、抄袭绝不是创新，所以在这方面我们应该有一个明确的立场和态度。”　　但田力普表示：“一家企业，不管它是在山寨、村里还是在平原，如果它生产了一个产品，这个产品凝聚了创造和创新，而且质量好、功能更多、没有侵犯他人的权利，同时又以消费者能接受的价格得到了市场的认可，这就是应该肯定的，实际上这就是一种创新。”　　上海大学知识产权学院院长陶鑫良就此对CBN记者表示，“山寨”的概念难以清晰界定，不是一个严格的术语，其实就像一个大筐，将合法与非法的内容都装在了里面，所以无法简单地判断。各种“山寨”现象是否侵权，还是要具体分析、依法定位。　　“‘山寨’是一个流行的词汇，未必会持久，潮涨还会有潮落。”陶鑫良已经不太主张社会广泛使用这个词汇。事实上，此前深圳市政府一度打算在政府工作报告中使用“山寨”一词，最后也改为了“初级创新产品”。　　美国驻广州总领馆领事兼知识产权专员王伟柏对“山寨”产品相当了解。他告诉CBN记者，表面上很多山寨产品在功能、商标方面都会做得与被仿制对象有所差异，因为这些生产厂商不想当被告，而这也是他们一旦走上法庭的抗辩依据。王伟柏说，他看到过标识很像肯德基的餐饮店，还有类似宝马的汽车，以及将OLAY(玉兰油)改为OLEY的化妆品牌。　　他告诉记者，中国加入世界贸易组织以后，知识产品保护领域就一直在变化发展，政府的立法、执法也都有很大的进步。至于“山寨”产品中存在的侵权现象，王伟柏表示：“这需要花时间去影响中国人。”　　而这一点上，田力普曾在多个场合强调，中国现在加强知识产权保护，不是因为外部压力，而是为了自身的发展，为了实现向创新型国家的转变。　　“一个国家如果光靠侵权、盗版来生存和发展，是没有前途的。为什么中国要制定国家知识产权战略？就是要从根本上逐步把这个问题解决，必须树立一种崇尚创新、鼓励形成自主知识产权的氛围。只有从文化上、观念上做这样的转变，才能够逐步消除和减少盗版、侵权、仿冒现象。”田力普昨天如是说。

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  • 中国半导体制造业近60%产能闲置

    据国外媒体报道，市场研究机构iSuppli最新报告显示，今年一季度近60%中国半导体制造产能闲置，这也创下了该机构自2000年起监测该市场以来的最高记录。　　iSuppli报告显示，一季度中国半导体制造产能利用率下跌至43%，从2004年第二季度最高点92%巨幅下跌。　　中国曾是全球芯片制造增长最快的市场，iSuppli称，中国半导体产能利用率下跌的原因在于美国半导体行业协会(SIA)本月初公布的数据显示，受普通消费者和企业在经济危机期间推迟购买影响，2月份全球半导体销售较去年同期大跌30%。　　目前，许多芯片厂商继续寻求削减成本，其中包括减少产量、进行裁员。iSuppli称中国希望打造半导体生产优势产业的目标正面临“严重危险”。　　iSuppli总监兼半导体制造首席分析师Len Jelinek称，“建立技术上占优的半导体产业被视为是中国国民经济长期发展和科技自主创新的重要因素。” 他补充说，在国内需求能与国外需求抗衡之前，由于全球半导体销售巨幅萎缩，中国的这一计划业已流产。　　iSuppli预计中国半导体制造产能今年将适度增长，第四季度也仅提高至54%。该机构还预计该比率在2012年和2013年将分别增长至84%和85%，但iSuppli同时认为中国该市场的厂家数流量有可能因合并而减少。　　iSuppli认为，中国半导体制造厂家的首次并购将在今年第二季度完成，该机构表示，实力较弱的公司不可能再存活两年直到开始经济复苏。

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  • 日本半导体产业老大或易主

    日本半导体产业正在酝酿着一项6年多来最大的并购案——销售额排名日本第二的瑞萨科技或将与日电电子合并，从而组成超过东芝的日本半导体产业新老大，在全球将仅次于美国的英特尔和韩国的三星电子。   瑞萨科技2008财年(2008年4月至2009年3月)销售额预计为6800亿日元(约99日元合1美元)，日电电子约为5550亿日元，两家合并后的销售额水平有望超过1.2万亿日元。而目前排在日本半导体产业首位的东芝公司年销售额约为1万亿日元。   目前，瑞萨科技的最大股东是日立制作所，持股55%，三菱电机持有其45%的股份。目前有关合并的协商和谈判已进入最后阶段，主要集中在合并的形式及各方出资比例上。  

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  • 韩国反垄断机构：三星等芯片商不存在操纵价格行为

            韩国反垄断监管机构——公平贸易委员会10日宣布，经长期调查后，该机构认定三星电子等十大芯片制造商在韩国市场不存在操纵价格行为。         据韩联社报道，自2006年10月起，韩国公平贸易委员会开始就国内外十大芯片制造商涉嫌操纵SDRAM内存产品价格的指控展开调查。被调查对象除了三星电子公司、海力士半导体公司等韩国公司之外，还包括两家美国公司和六家日本公司。东芝和Cypress半导体公司也在其中。         韩国公平贸易委员会当天表示，该机构没有找到任何证据表明上述芯片制造商在韩国SDRAM市场存在共谋操纵价格行为。         据报道，目前在韩国SDRAM内存市场，三星电子和海力士占据了约90％的份额。  

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  • NEC、瑞萨 最快月底成亲

    日本经济新闻16日报导，NEC电子公司和瑞萨科技公司(Renesas)正在洽谈合并，如果达成协议，可望跃居为日本芯片制造龙头，年营收逼近130亿美元。   报导指出，双方谈判已进入最后阶段，希望能在4月底前达成协议。据了解，新公司可能沿用NEC电子的名字，并继续在东京证交所挂牌。   NEC公司发言人对此表示，旗下芯片部门正在评估各种提升竞争力的方式，和瑞萨结盟是选项之一，但尚未做出任何决定。瑞萨发言人则拒绝发表评论。受合并消息激励，NEC股价16日在东京证交所涨停锁住，以930日圆作收。   瑞萨是日本第二大芯片制造商，由日立和三菱电机合资成立；NEC电子排名第三，65%的股权由NEC公司持有。   在3月底止的上会计年度，两家公司的营收各约为6,800亿日圆以及5,550亿日圆。   NEC电子和瑞萨如果合并，将可替换对手东芝，成为日本第一大芯片制造商，并跃居为排名仅次于英特尔和三星电子的世界第三大芯片厂。   另一方面，瑞萨也是世界顶尖的微控制器制造商，在全球拥有20%的市占率；NEC电子排名居次，全球市占率为11%。双方结合能将全球市占率提高至30%，从飞思卡尔半导体公司(Freescale Semiconductor)抢下微控制器市场的龙头宝座。   分析师表示，NEC电子和瑞萨集成后，如果能通过充分整顿来提振获利，将能得到正面效益，母公司的财务状况也可望因此优化。   三菱东京日联证券分析师岛田说：“长远观之，合并能让两者避免在微控制器与手机芯片市场盲目竞争。”   全球经济减缓拖累芯片价格重挫，芯片制造商也饱受供应过剩与需求疲弱之苦。   许多业者为求生，已采取减产和裁员等整顿措施。然而，由于经济复苏尚未出现曙光，他们将整并视为安度半导体业景气寒冬的途径。   日本内存芯片制造商尔必达公司，本月初和台湾政府达成协议，打算用重要芯片技术换取台湾一家新芯片厂的股权。   NEC电子和瑞萨为扭转营运颓势，也不断苦思节省堡本的对策。NEC电子先前已警告，上会计年度可能出现650亿日圆的净损；瑞萨也估计上会计年度可能大亏2,060亿日圆。

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  • 东芝下调08财年净亏损预期 再减大量工作岗位

    4月17日电据日本共同社消息，日本东芝公司17日宣布，将截止3月份的2008财年集团净利润预期从原先的亏损2800亿日元下调至亏损3500亿日元(约合240亿元人民币)，主要原因为减记约850亿日元递延税项资产，东芝将于下午3点起就此召开记者会。   递延税项资产是企业预付所得税款的资产，由于退还税款的前提是将来拥有应税收入，如果今后盈利前景微妙，难以扭亏为盈，则必须进行减记。   东芝同时公布的营业亏损预期则比原先的2800亿日元减少至2500亿日元，得益于平板电视的盈利状况略有改善，半导体芯片的销售额也有所增加。此外，集团销售额预期从6.7万亿日元下调至6.65万亿日元。   由于受全球经济危机的影响，东芝的主营业务半导体受到需求减少和价格下跌的双重打击，从而导致业绩大幅下滑。   当天，该公司官员还称，将在明年三月前再次削减3900个临时工作岗位以应对全球经济低迷。

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  • 五种因素左右CDMA网络演进道路

    全球CDMA产业发展迅速，目前CDMA已在102个国家和地区的279家运营商网络实现商用。中国今年年初发放3G牌照也对CDMA在中国的加速发展提供了机遇。CDMA网络将从目前主流的CDMA1x向CDMAEV-DORev.A/B乃至LTE不断演进，五个因素将左右CDMA网络的演进道路。CDMA网络平滑演进的第一步将是EV-DORev.B，第二步则是LTE。 　　建议中国电信尽快向Rev.B演进 　　3月15日，中国电信上海公司宣布上海CDMAEV-DO网络试商用开始。上海贝尔是上海电信CDMA网络的首要供应商，为除崇明岛外的全部地区提供CDMA服务。此次试商用的版本为CDMAEV-DORev.A。随着中国联通加紧建设WCDMA/HSPA网络，上海贝尔也在与中国电信讨论上马CDMAEV-DORev.B版本的相关事宜。那么，哪些因素决定了CDMA网络的演进道路？ 　　我认为，竞争需求、业务需求、市场实际、投入产出和产业链态势是其中的关键因素。具体来讲：技术体制首先要符合发展趋势，能够提供更高的性能和频谱利用率、更低的用户成本、更好的客户感受、跨网络和跨区域的无缝漫游以及与现有网络的无缝配合；其次，要拥有成熟的产业链，包括终端、应用以及网络设备和其他相关设备；再次，要有合理可控的演进成本，包括设备采购成本、网络升级开通成本、产业链相关设备成本以及系统升级对网络性能影响导致的市场风险成本；最后，要有合适的市场切入时机，包括提供差异化的竞争能力、加速在频谱资源上的投资回报、可以最大限度利用现有的设备、不影响现有业务开展以及能低成本向用户迁移。 　　上述一项或者几项因素的综合作用决定了运营商CDMA网络演进的道路。例如，目前全球最大的CDMA运营商Verizon选择了跳跃式发展道路，跳过CDMAEV-DORev.B，直接部署LTE。 　　主要原因在于Verizon在美国移动通信市场的竞争压力不是很大：一方面，就移动网络速率而言，其竞争对手AT&T的HSPA网络目前仅仅提供1.8Mbit/s的下载速度，现有的Rev.A技术完全可以与之抗衡；另一方面，Verizon通过与沃达丰的合作，希望共同尽快推动LTE产业链的成熟。 　　中国电信则应当选择与Verizon不一样的道路。从目前来看，中国电信已经商用的CDMAEV-DORev.A与中国联通即将推出的WCDMA/HSPA相比，速度并不占优势。因此，为了应对竞争，中国电信需要将CDMAEV-DORev.A升级到CDMAEV-DORev.B。 　　2[/!--empirenews.page--]LTE是平滑演进第二步 　　从近期演进来看，CDMAEV-DORev.B是CDMA网络平滑演进的第一步，与CDMAEV-DORev.A相比，其可以大大提升容量增益和覆盖范围。例如，假设用户需要的下载速率为1.2Mbps，CDMAEV-DORev.A用户只能在距离基站覆盖半径36%的地方实现，而CDMAEV-DORev.B用户却可以在距离基站覆盖半径70%的地方实现。由此可见，在同等速率条件下，后者的有效半径大得多。CDMAEV-DORev.B能够帮助运营商在网络演进至LTE之前，为CDMA运营商提供可以与HSPA相当的竞争能力。在常规负荷的情况下，CDMAEV-DO与HSPA的峰值速率和平均聚合吞吐量相当。 　　从长远来看，LTE是平滑演进的第二步。2009年2月18日，Verizon宣布部署全球第一个LTE试商用网络。阿尔卡特朗讯成为唯一为Verizon提供包括无线接入eNodeB、核心网EPC及IMS业务平台的端到端解决方案供应商。 　　立足3G，放眼4G，阿尔卡特朗讯积极参与全球最早的端到端LTE网络的试商用部署，将有助于其获得第一手的3G网络平滑升级到4G的宝贵经验，而这些经验对中国市场及中国运营商都十分具有参考价值。 　　不过，在LTE发展的过程中仍然有一些不确定因素，现在对其商用时间和发展前景进行预测还为时过早，因为很多工作仍然处在试验阶段。LTE的发展在技术层面实现统一是没有问题的，但是在产业发展方面还存在疑问，全球各国LTE的频率划分、网络演进等问题尚待解决。简单的手机充电器接口统一问题都还没有得到彻底解决，LTE的发展更应该从长计议。在未来十年，Verizon旗下CDMA系统的3G网络将与LTE长期共存，相互补充。 　　

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  • 思科拟投5亿美元于韩电信业 或建研发中心

    据国外媒体报道，韩国总统府周二宣布，思科计划未来五年内投资或发放贷款5亿美元于投资韩国电信运营商和技术基础设施建设。    韩国总统办公室还发表声明称思科希望在韩国确立一个国际研发中心，这将有利于一个城市计划项目，其投资总额预计将超过思科早先在其印度研发中心的11亿美元，此声明没有透露时间安排。    思科拒绝对此事予以置评。 

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  • Gartner发布2008年设备商排名 ASML取代TEL排名第二

    Gartner近日发布2008年半导体设备商排名，Applied Materials仍位居榜首。   去年，尽管Applied Materials的销售收入减少39.8%，但市场份额占13.2%。   ASML取代了TEL位居第二。ASML的先进技术使其193nm沉浸式光刻设备获得良好的需求。Teradyne入围前十，同时也摘得测试市场中的桂冠。   总体来看，2008年全球半导体设备支出总额为307亿美元，同比减少31.7%。从分类市场来看，晶圆厂设备收入减少32.8%，后端设备减少27.2%，均受到了资本支出减少的影响。  

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  • 日本将解除对海力士半导体芯片的惩罚性关税

    日本已决定解除对韩国海力士半导体晶片的惩罚性关税。   日本一直在对海力士生产的动态随机存取记忆体(DRAM)的反补贴税进行评估，目前的关税率为9.1%。   海力士是全球第二大记忆晶片厂商，对手包括日本的尔必达记忆体。  

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  • 英特尔黄节发表主题报告

    2009全球IPv6新一代互联网暨移动互联网高峰会议于2009年4月15、16日在北京召开，新浪科技作为独家门户网站进行会议直播。   以上图为英特尔中国政府事务、电信和标准政策董事总经理黄节发表主题报告。   以下为实录：   下一位演讲者是英特尔中国政府事务、电信和标准政策董事总经理黄节博士，演讲的题目是“摩尔定律能走多远-英特尔的创新之旅”，有请黄总。   黄节：在今天IPv6的峰会上我谈谈摩尔定律要走多远，为什么要讨论这个问题，我们谈IP地址IPv4不够用，IPv6够用。为什么IPv4的地址不够用，是摩尔定律在以往的40年中极大地普及了集成电路才有了今天的局面。我们回顾一下摩尔定律能够走多远。   什么是摩尔定律，英特尔的创始人之一，戈登摩尔曾经提出集成电路的晶体管密度每18至24个月翻一番，摩尔先生提出的定律左右了工业近半个世纪的发展历程，这称之为摩尔定律。这样的预测是极丰富，极富有产业洞察力的语言。如每两年晶体管的密度要翻翻，面积要缩小一倍，晶体管的周长也就是说间隔，会每两年缩小到原来的70%，换句话说，如果现在我们所用的是45纳米的技术，下一代就是大约45乘以0.7是32纳米的关系。   我们可以从这张图上可以看到，从90年代开始，晶体管之间的距离在不断地缩小。大约在2005年的时候，我们看到了晶体管之间的距离可以达到65纳米。到2007年的时候我们可以做到45纳米。在2009年的时候我们可以做到32纳米。一个纳米大约有多大？一般来讲一根头发丝的宽度是9万纳米，细菌大小是2千纳米，病毒的大小是20纳米，可想而知我们现在能做到的有多小。   在40年来，我们可以看到由于摩尔定律的实现，使我们能以极低的价格获得非常高性能的产品。比如说在1971年，英特尔第一代微处理器有2300个晶体管，到2007年我们45纳米处理器含有8亿多个晶体管。这仅相当于1968年每个晶体管价格的百万分之一，就是因为摩尔定律以极低的价格带来极高性能的产品才刺激了整个电子工业的发展，才有今天我们讨论的为什么IP地址不够的问题。   同时，摩尔定律整个改变了IT界和通信界的格局。比如讲我们都知道在通信领域有华为、中兴这样率先崛起的中国的企业。他们在通信领域里是具有举足轻重的地位。为什么华为和中兴能够在通讯领域崛起？而我们没有看到同样的企业，比如说在汽车工业里面出现。我觉得很大的原因是因为摩尔定律它改变了通讯领域在硬件成本方面的门槛，使得在今天不需要很多的资金成本，不需要很复杂的努力，是个人就可以做个交换机，是个人都可以做一部手机，做得好与不好是另外的事。这种情况在没有摩尔定律的时候是很难想象的。   我们的陈教授当年给我们讲课的时候讲到，你想在当时的时候几十年之前的时候，世界上只有少数几个厂家是可以做一台交换机的。今天远远不是这样的格局。这很大的原因是因为摩尔定律，换句话说，今天的汽车行业里还没有一个像华为、中心这样的产业出现，是不是可以归结为在汽车行业里没有类似于摩尔定律的定律。在40年当中不断有人在问，我们需要那么多的计算能力吗？摩尔定律还能走多远呢？   我们生活在数字化的世界，一个MP3的文件大小月为3MB相当于2400万个0和1。我们看到在目前为止，我们没有看到人类对于计算能力的渴求得到满足，这是全球人新增的计算能力到了2602MIPS/p，有人怀疑我们的计算能力的话，可以看看打开笔记本和关闭笔记本要花费多少的时间才能真正打开、关闭就能知道具体的答案。   还有，我们认为未来的互联网将是嵌入式的互联网。最开始的时候是人机对话，可以说地址是以人为人口单位的。今后不断地发展，由于摩尔定律的不断应用，大量的对话像我们知道的不再是需要人的对话了，这才有我们今天讨论的IP地址不够用的问题。   我们认为在将来，可能会有150亿个互联网的设备需要在和网络上连接。从这里来看，更多的设备意味着有更多的晶体管。到2004年来讲，全球人均拥有晶体管的数量已经达到了5千亿个晶体管人均。所以，我们认为高的计算量的需求远远没有达到极限。   同时，我们也认识到并不是在每一个场合都需要这么高的计算量。但在我们追求摩尔定律的时候发现，当我们不断缩小集成电路晶体管体积的时候，我们还发现带来了其它的新的很好的性能。比如说在2005年的时候，我们把集成电路用65纳米缩小到45纳米到2007年的时候，我们发现不仅仅是晶体管的密度提高了两倍，切换速度提高了20%以上，切换的功能降低了30%以上，源极漏极漏电功能降低5倍以上，这才使移动互联网成为了可能。   摩尔定律不会过时，摩尔定律还能走多远呢？这个问题在过去的40年来不断地被人问到。比如说我们做到130纳米的时候，当时的观点是认为90纳米是极限了，当我们突破90纳米做到45纳米的时候，有人讲45纳米是极限了，所有的预言被证明是不正确的。摩尔定律到底能走多远呢？   我们看到随着晶体管尺寸的不断缩小，传统的技术带来了极限。其中有一个漏电。当晶体管的尺寸不断缩小的时候，我们发现源极和漏极之间的漏电现象很大。要克服这个现象，就是要有更有效的控制，在多晶硅栅极方面有更多的控制，所以要求在栅极管厚度做得很好。这带来了栅极漏电的问题，这是逐渐缩小很大漏洞的瓶颈。[!--empirenews.page--]   在英特尔来讲，经过我们不断地努力、试验、创新，终于我们在材料方面取得了很大的突破。我们发现了可以采用高K介质和金属栅极来实现突破技术。用摩尔先生的话来讲，是采用高-K介质和金属栅极材料，是上个世纪晶体管材料的重大突破，正因为有了这样的重大突破，我们可以由65纳米做到45纳米甚至更低。其他的厂家没有掌握这样的技术，从65做到45的时候，仍然是采用了演进工艺，作为演进性质的产品，而不是我们作为革命性质的产品。   采用高K栅介质的工艺至少使摩尔定律至少延长10年。在2011年的时候，我们采用原来的功率可以做到130纳米，2003年的时候90纳米，2005年的时候做到65纳米，采用高K介质的话，我们2007年可以做到45纳米，今天可以做到32纳米。   实际上摩尔定律的难度有多大，有的厂商说我可以做到45纳米等等，在实验室集成晶圆上做到一个是一回事，要做到很高的成品率又是另外一回事。在英特尔来讲，这个曲线，曲线越低说明不良品率越来越低，或者是成品率越来越高。可以看到在英特尔来讲，我们65纳米的不良频率要低于90纳米，而45不良品率要低于65纳米。这个曲线非常陡，英特尔在很短的时间里让产品的不良率极大地降低。今天英特尔的45纳米已经成熟，从2009年第四季度开始我们将进入新一代32纳米的工艺技术。   除了工艺的发展技术之外，在这里要有六项核心技术，其中包括半导体工艺技术、产品设计技术，设计工具，制造流程、掩模技术和封装技术。举封装技术，在一个小的米粒里面会出现上千个管脚，这怎么封装起来是核心技术。英特尔具有在所有六项技术里都有自己的核心竞争力，掌握了所有六项的关键技术。   除此之外，英特尔作为创新者来讲，是以超越自我为目标的。刚才我讲到了每两年之中，我们的制成技术会有突破到下一代。每两年之间，我们会更新我们微体系的结构，就像钟摆模式。2006年的时候，我们在65纳米引进微体系结构。下一年我们在相同的微体系结构下会从65纳米变成45纳米，再过一年在45纳米不变的情况下2008年我们引进Nehalem的结构，在这样的情况之下，我会把45纳米变成32纳米，不停的创新与发展。   今年在全球金融风暴、金融海啸一遍箫条的时候，今年2月份英特尔宣布投资70亿美金开工32纳米的晶圆厂。2月份的时候，美国总统奥巴马听到消息之后，打电话到英特尔的总裁P的旅馆，奥巴马总统对我们的CEO讲，我就任以来，唯一听到一个正面的消息。奥巴马总统感谢英特尔在这个时候能够为未来做出投资。具体来讲，在左边左上角的图，我们在D1D的工厂，现在已经在生产32纳米的设备。接下来在2009年第四季度的时候，我们另外一个工厂也在俄勒冈州D1C升级到32纳米。接下来在亚利桑那州的Fab做32纳米。接下来是在新墨西哥州Fab做11X，我们最小会升级到22纳米的工厂。所以我们在不断地创新。在技术创新的过程当中，挑战越来越难，资金的成本也越来越多，门槛也越来越高。目前为止英特尔是世界上唯一一家开工做32纳米的。   从这张表上可以看到我们技术更新换代的历程，在2009年的时候，我们现在已经完成了32纳米的开发工作。接下来又根据我们现在的技术，我们可以看得到的，我们在2011年可以做到22纳米。22纳米就是跟病毒的尺寸是一样的，然后继续在2013年可做到16纳米，2015年可以做到11纳米，这是什么概念，在晶体管的大小，栅极的距离可以排列50个硅原子那么大，再往下做会遇到新的挑战。目前为止我们看到硅或者是场效应管仍然是最好的电子逻辑设备。在2010年之后，我们需要探讨的是如果硅已经不足以支持我们不断地创新，不断地往下走的话，会不会有其它的原材料来代替硅。或者是最根本的问题，我们所做的一切，无非是01的两个状态，我们选择了半导体来代表两个状态。比如说可以不可以用由其它的来代表呢？所以这是我们不断创新的里程。   可以看到摩尔定律是驱动移动互联网的源动力，或者是催动IPv6的源动力。   从英特尔来讲过去40年是不断创新的40年，是美好的40年，因为英特尔有今天40年的历史。但是过去的40年并不是最好的40年，因为对于一个创新者来讲，最好的40年永远是下一个40年。   谢谢。  

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