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  • CPU/GPU引领，全球十大半导体厂商集体传来好消息

    日媒称，全球半导体厂商的业绩正在复苏。10家大型企业2019年7至9月(截至11月14日发布的财报)的净利润与上季度相比，时隔4个季度转为增加。IT巨头的数据中心投资呈现复苏态势，半导体行情触底的氛围正在加强。此外，5G商用化也成为利好因素。但不确定因素很多，慎重的观点仍根深蒂固。 据《日本经济新闻》网站11月19日报道，韩国三星电子和美国英特尔等市值前十名的企业7至9月(一部分为8至10月等)净利润，比上季度增加近三成。净利润达到188亿美元(1美元约合7元人民币)，时隔3个季度回升。 业绩明显恢复的是开发CPU(中央处理器)和GPU(图形处理器)的企业。 大型图形处理器制造商英伟达11月14日发布财报，该公司首席执行官黄仁勋在电话记者会上自信地表示，“第三季度(8至10月)表现强劲，预测第四季度(2019年11月至2020年1月)会进一步改善。成为基础的是人工智能(AI)。深度学习将成为巨大商机”。 报道指出，英伟达8至10月的净利润同比减少27%，但与5至7月相比增长六成。预计英伟达2019年11月至2020年1月的销售额为28.91亿～30.09亿美元，与上年同期(22.05亿美元)相比将大幅增加。 报道认为，全球半导体行情向好的氛围正在增强。据日本野村证券的调查显示，谷歌、微软、亚马逊和脸书等美国IT企业4至6月设备投资额，比上年同期增长5%。相比2019年1～3月(减少10%)，出现复苏。英特尔首席执行官罗伯特·斯万表示，“云服务企业正在恢复”，显示出对未来的期待感。 此外，起推动作用的还有5G商用化，如果5G推动数据量增加，数据中心需求将随之增加。 不过，各厂商的业绩远远低于被称为“半导体超级周期”的2018年水平。10家企业7至9月合计的净利润额仅为峰值(2018年7～9月)的约六成。涉足DRAM的美光科技将2020财年(截至2020年8月)的设备投资同比减少，对未来保持慎重的观点依然很多。对设备投资持积极态度的三星也指出，需求增加“原因是以贸易摩擦为背景，客户正在增加库存”。 此次统计对象为三星、台积电、英特尔、英伟达、博通、德州仪器、美光科技、SK海力士、模拟装置公司、美国超微半导体公司。一部分包含市场预期。   资料图：一名男子在美国拉斯维加斯消费电子展英特尔展台参观。 (新华社)

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  • Soitec宣布与应用材料公司启动联合研发项目，共同开发新一代碳化硅衬底

    作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目，展开对新一代碳化硅衬底的研发。以碳化硅为衬底的芯片需求持续上涨，该趋势在电动汽车、通信及工业应用三大市场中尤为显著。然而，碳化硅的大规模应用一直受供应量、良率及成本等因素的限制。Soitec将与应用材料公司合作，联手突破上述限制，持续为行业创造更高价值。 此项联合项目将Soitec在优化衬底领域及应用材料公司在材料工程领域的行业领先解决方案强强结合。同时，Soitec将应用其专利技术Smart Cut，目前该技术广泛应用于SOI产品生产，保障芯片制造商材料供应。而应用材料公司将在制程技术与生产设备方面提供支持。     使用Smart Cut切割的碳化硅晶圆片 在此次研发项目中，两家公司将在CEA-Leti的衬底创新中心中增添一条碳化硅优化衬底实验生产线。此条生产线预计于2020年上半年开始运行，目标为在2020年下半年使用Soitec的Smart CutTM技术生产碳化硅晶圆片样品。 Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk表示：“我们非常高兴能与应用材料公司达成此项独特的战略合作项目。我们坚信凭借Soitec的Smart CutTM技术和长达30年的经验累积，以及应用材料公司在材料工程解决方案中杰出的领导地位，本次合作将促进产业发展出稳健技术，推动碳化硅供应链快速成长。” 应用材料公司新市场与联盟高级副总裁Steve Ghanayem说道：“应用材料公司十分期待与Soitec展开密切合作，为碳化硅技术带来材料工程层面的创新。凭借着广泛的产品组合与深厚的专业技术，应用材料公司致力于帮助电力电子产业克服最艰巨的技术挑战。” 奥迪汽车电子和半导体技术中心与半导体策略主管Berthold Hellenthal表示：“电动汽车是奥迪的发展重点。未来交通将全面电动化，而这种科技创新则始于半导体材料与衬底层面。碳化硅将为电动汽车中使用的半导体组件赋能更高的功率密度与更优的性能。奥迪十分期待Soitec与应用材料公司此次业界合作所带来的技术突破。”

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  • 关系缓和?日本批准对韩出口氟化氢

    日本政府批准一家本土企业向韩国出口一批半导体工业材料氟化氢。 媒体16日以消息人士为来源报道，日本政府近期为一家日本企业向韩国出口氟化氢“开绿灯”。这是日本方面今年7月对韩国采取出口管制措施以来首次批准出口氟化氢。 日本政府7月4日针对韩国施行氟聚酰亚胺、光刻胶和高纯度氟化氢出口管制，8月底不再把韩方列入获得贸易便利国家的“白色清单”。上述3种产品是制造集成电路芯片和智能手机等电子产品过程中的重要原料。依据日方新规，日本企业需要就每份合同分别申请对韩出口许可，政府审批时长可达90天。 韩方认定，日方不满韩方法院裁决日本企业赔偿第二次世界大战期间遭日方强征的韩国劳工，以经济手段报复。韩方采取多项应对措施，包括诉诸世界贸易组织(WTO)。韩方官员10月初与日方对话，尝试就出口管制弥合分歧。 这类对话是世贸组织贸易争端解决机制进程的一部分。依据这一机制，韩日双方首先应谈判化解争端;如果失败，韩方可申请世贸组织仲裁。 除氟化氢，另外两种产品分别在8月和9月实现管制后首批出口。分析人士告诉媒体记者，日方放行氟化氢对韩方出口似乎是想“含蓄地”表明，日方施行出口管制与世贸组织的国际贸易规范不相悖。 日方对韩方施行出口管制波及双边关系其他领域，导致双方对立加深。韩国国务总理李洛渊10月与日本首相安倍晋三会面，转交韩国总统文在寅亲笔信。信中提及，韩日应早日缓和紧张关系。

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  • 苹果三位离职芯片大牛再创业：欲在服务器领域挑战Intel

    三位曾经在苹果公司操刀iPhone芯片的顶级大牛，联合成立了一家初创公司，目标是为数据中心打造处理器产品，他们想从强大的Intel和AMD口中分走蛋糕。这家名为Nuvia的公司于今年初成立，三位联合创始人分别是Gerard Williams III, Manu Gulati和John Bruno。   据悉，该公司的首款产品代号Phoenix(凤凰)。本周五，Nuvia宣布融得5300万美元，参投方包括戴尔等几家硅谷科技企业。 资历方面，Williams今年春天从苹果离职，他曾担任了9年的首席架构师，负责苹果几乎所有芯片的研发。Gulati在苹果呆了8年，主要开发移动端SoC;Bruno在苹果呆了5年，是系统平台架构师。创办Nuvia前，Gulati和Bruno的上一个东家都是谷歌。   Williams在采访中表示，他们将竭尽才能，将半导体从业经验带到新产品上，为数据中心打造更安全、高效的处理器产品。 由于有Intel超级大客户戴尔的背书，一些分析师非常看好Nuvia有着搅弄风云的实力。 当然，在数据中心领域，高通、美满、Ampere等都在向Intel、AMD发出挑战。

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  • CISSOID与国芯科技签署战略合作协议 以共同推动宽禁带功率半导体技术的研发及广泛应用

    比利时蒙-圣吉贝尔和中国湖南株洲 – 2019年11月15日 – 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。 近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中为充分发挥宽禁带功率模块的优势，需要驱动器在耐高温、可靠性和保护机制等方面提供充分支持。CISSOID公司是来自比利时的高温半导体解决方案领先厂商，拥有在航空航天、石油、汽车等多个要求严苛的领域验证过的、应用超过10年的驱动器产品，这些驱动器产品具有耐高温、高可靠性、高鲁棒性等特性，可以助力宽禁带半导体功率模块在各类系统应用中充分发挥其性能优势。 国芯科技是由中车时代电气联合长安汽车、南方电网、格力电器、中环股份等8家企业共同出资成立的集研发、检测、技术服务于一体的高新企业，主要开展先进IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率RF，以及SiC、GaN等宽禁带功率半导体材料、器件及技术的研究开发。国芯科技携手中国IGBT技术创新与产业联盟成立了功率半导体创新中心，旨在开展功率半导体产业共性技术研发、相关产品开发、科技成果转移扩散、技术孵化和商业化应用等工作，并提供设计、检测等技术服务，进行人才培养和国际交流合作。目前，该创新中心已正式获批成为湖南省制造业创新中心，正致力于建设升级为国家级制造业创新中心，打造成中国功率半导体产业生态聚集圈。 “作为先进功率半导体技术的代表，宽禁带半导体器件具有非凡的性能优势，已在诸多领域得到应用。特别是目前新能源汽车在全球各地的快速发展，进一步推动宽禁带功率器件的市场规模不断扩大。国芯科技作为一家密切关注宽禁带半导体发展的公司，在宽禁带半导体材料、技术及器件的研发方面投入了大量精力，并专门成立了功率半导体创新中心。”国芯科技总经理戴小平先生表示。“很高兴可以与CISSOID公司签署战略合作协议，CISSOID公司多年来在高温驱动器和高温封装方面的技术可以助力宽禁带功率模块在系统级上实现耐高温、高能量密度，同时可极大地提高电控系统的可靠性。我们将与CISSOID公司合作研发宽禁带功率技术、模块及系统应用，进而推动宽禁带半导体技术在中国加速发展。” “中车时代电气、长安汽车、南方电网、格力电器、中环股份都是中国顶尖的企业，他们共同出资成立国芯科技的目标之一就是推动宽禁带半导体技术向前发展。CISSOID十分期待此次与国芯科技的合作可以将宽禁带功率模块的效率及性能推向新高。我们将利用自己久经验证、享誉业界的高温驱动芯片和高温封装设计团队为本次研发合作提供大力支持。”CISSOID首席执行官Dave Hutton先生表示。“CISSOID长期以来对中国市场保持高度关注，且十分注重与中国半导体产业的融合发展。目前，我们已经融入来自中国的投资，并在芯片制造、封装测试等方面，开始与中国公司进行广泛的合作。此次CISSOID与中国顶级企业共同研究开发宽禁带半导体功率器件，则进一步体现了我们希望广泛融入中国半导体产业生态的战略及加快推动中国宽禁带半导体技术发展的决心。” 随着新能源汽车等新兴领域的蓬勃发展，宽禁带半导体功率器件得到了越来越多的重视并逐渐普及。同时，根据市场研究公司 Yole Development 的报告，功率半导体的平均结温一直在不断上升，并将在近几年内很快达到并超过175℃。因此，通过耐高温驱动器为宽禁带功率器件提供良好配合显得非常重要。此次CISSOID公司和国芯科技开展合作，将充分发挥各自的优势并形成强大合力，利用业界领先的耐高温驱动器件为宽禁带功率器件提供支持，将高质量的宽禁带功率模块和解决方案推向市场，进而助力新能源汽车、轨道交通、智能电网、智能家电等领域实现更快发展。

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  • 从基础替代到超越，以太网PHY芯片商「裕太车通」打破以太网PHY芯片国外垄断局势

    裕太车通CEO欧阳宇飞是国内最早一批做集成电路的研发人员。他回忆说，2000年左右的时候国内只有不到一百人知道什么是芯片正向设计技术，后来数字设计常用的verilog语言那时都没有中文教材，那时正向数字设计人员使用的最多的方法是schematic entry。 南京大学微电子专业毕业后，他先后进入华邦(1995年 在台湾挂牌上市)、士兰微(第一家在大陆境内上市的集成电路芯片设计企业)、创锐迅(现已被高通收购)和高通，主要负责技术研发和项目管理。2013年离开高通后，他创办了一家工业互联网企业，很快实现年入近千万的营收，那时德国的工业4.0标准还没有宣布，欧阳宇飞创立的企业已经开始在能源领域利用IOT和数据库技术做到了大数据采集、处理和显示，包括手机app。 尽管营收数额逐年飙升，但欧阳宇飞始终对于芯片产业情有独钟。2016年，欧阳宇飞和几位志同道合的朋友经过数月商讨，最终敲定了“裕太车通”创业计划。他转让了原来的工业互联网公司，全身心投入国产自主芯片的事业中。 裕太车通定位于一家具有完全自主知识产权的以太网PHY芯片供应商，主要服务于有线通信领域的各行各业包括数通、安防、车载、工业和特种行业。 据悉，2017年，裕太车通曾获得正轩投资、明势资本的千万元天使轮投资， 2018年，完成上市公司金风科技的数千万元的战略投资。今年10月，裕太车通再次获得数通行业巨头企业的战略投资。 基于欧阳宇飞多年来对于市场局势的判断，裕太车通在创业初期便已确定了以进口替代为主要发展方向。做出这一决定取决于三点因素：其一，当时车载以太网芯片刚刚起步，国际头部企业年订单量不过千万美元级别，市场机遇较多，;其二，国内车载前装芯片市场使用量几乎趋于空白，这将会带来庞大的市场缺口，对于裕太车通而言是千载难逢的机遇;其三，国内整体芯片技术落后，国产自主知识产权的芯片占比低于10%，大量进口替代的机会。另外，国内芯片人才积累已经到了爆发期，越来越多的海归人才会给国内芯片发展巨大的技术突破。 欧阳宇飞说，以太网物理层芯片产品最大的价值在于通用性，也就意味着，除车规领域外，裕太车通还可以通过降维打法进入到其他领域。截至目前，他们已成功布局到工业、数通、电信、消费等领域，并顺利完成5个系列芯片产品量产。这些产品分别为车载领域的百兆车载以太网芯片YT8010、超长线以太网芯片YT8510(与工信部下属信通院合作，用来制定国家行业标准)、普通百兆高速以太网芯片SZ18201、普通千兆工规级低功率以太网芯片YT8512以及电信规格千兆超高速以太网芯片YT8511，目前在不断推出各种规格的系列产品。     文章图片来源于裕太车通，经授权使用。 从行业要求的角度看，车载领域需要满足环境温度和电磁兼容的高标准，而电信级领域则更看重数据传输的稳定性。基于裕太车通这三年的技术积累和产业链耕耘经验，目前，裕太车通已在产品的性能、可靠性、稳定性和产品成本等方面形成竞争壁垒。成本方面，Die size(晶圆颗粒)在完成封装后可以做到欧美国际竞品的20%~30%，直接降低了一半以上成本。稳定性能方面，裕太车通千兆电信级别产品在130米距离依然可以长期稳定传输，百兆产品能达到300米以上的传输距离，十兆下的传输距离为1.1千米，而行业一般传输水平为0.6~0.7千米。 据悉，2017~2018年，裕太车通主要在做技术研发，2019年3月至9月，裕太车通五款量产芯片陆续投放市场，用2年时间，成为国内唯一一家以太网PHY芯片公司，同时，裕太车通还成为了国内顶尖产业客户纳入以太网产业链的物理层芯片唯一指定供应商。预计2019年全年，裕太车通可实现千万元级别盈利，两个月内已完成全年任务的60%。 现阶段，裕太车通主要有三种客户合作模式。第一种是针对行业头部企业的战略化和定制化合作，他们会根据客户规格需求，定制既具备通用标准也带有部分客户特殊需求的芯片产品;第二种是生态链合作，将国际标准规格产品进行国内本地化，和企业客户共同建立行业标准，推广满足行业标准的专用芯片;第三种就是一般的芯片产品销售模式。根据裕太车通提供的数据显示，现在他们已合作5家头部企业和近80家数通、工业、车载、电信领域的企业客户。 目前，团队已有40多人规模，75%为技术人员，85%为硕博人才，十年以上经验人员占比超过70%。CTO史清为南京大学微电子专业学士、中科院博士，具备15年以上高速通讯芯片设计从业经历，曾主持开发10M/100M/1G/2.5G/5G高速以太网芯片、12.5G高速Serdes芯片、1/2/4/8根天线802.11 b/g/n/ac/ax WiFi芯片，其中多款芯片占据相应领域全球50%以上市场。 谈及国产芯片的破局方法，欧阳宇飞表示，芯片企业首先需要推动行业客户的合作，加速技术迭代，做出可以和国外产品性能不相上下的产品，其次，完善公司质量安全体系，让客户摆脱国产芯片质量不高的印象，另外提供更优质的本土化服务也是提高竞争壁垒的利器;然后是完善供应链体系，由此才能降低成本，扩大销售量级，最后，企业还需要加强企业间产业链的联合，包括建立行业标准。上面提到的几个方面都是目前国产芯片企业需要重点发力地方，需要产业各个环节的努力，逐步提高，打造良性循环。 未来，裕太车通将会持续在以上几个方面重点布局，加速以太网PHY芯片产业发展。 来源：创业邦

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  • Harwin通过新增紧凑型Gecko-SL产品加强已有的电缆组件供应

    英国朴茨茅斯，2019年11月14日–为了使客户能够快速得到简捷且经济高效的互连解决方案，Harwin充分利用自身丰富的专业知识，最近已经扩展现有的高可靠性电缆组件产品系列范围。通过采用Harwin广受市场欢迎的Datamate产品，屡获殊荣的Gecko Screw-Lok（Gecko-SL）1.25mm连接器系列已经可以提供更多选件，客户可以选用更多种类的电缆组件，从而帮助客户避免在设备方面的前期投资以及内部进行此类工作所需的人员培训成本。 Gecko-SL电缆组件有单端和双端两种格式，完全符合业界公认的IPC-620电缆和线束行业标准，它们可以被指定为电缆到电缆或电缆到板的实施方案。每条电缆都有26AWG线规PTFE架构，长度分别为150/300/ 450mm（6/12/18英寸）。这些组件与现有的金属后盖（backshell）完全兼容，从而提高了机械牢固性，并具有较强的电磁兼容能力。借助于六角槽螺丝固定和锁定前接合机制，这些坚固的组件易于部署，尤其适用于空间受限的应用环境。由于Gecko-SL连接器具备高抗冲击/振动能力，可耐受更加极端的温度，且具有相对较强的载流能力（尽管间距较窄，每个触点仍可承载2A电流），这些组件也因此受益。 客户可以为他们的组件选择6到50管脚阵列，所有这些都可以通过Harwin公司及其全球分销合作伙伴库存提供，这意味着交货时间更短，不会影响最终系统的生产，而且还提供必要的固定硬件，这些或者直接提供，或作为后壳套件的一部分提供。 所有提供的组件均100％经过连续性检测，这大大简化了系统集成过程，节省客户的时间和精力。Harwin可根据客户要求提供组件的评估样品。 Harwin公司高可靠性产品经理John Brunt解释说：“我们已经看到市场中对基于Datamate现有电缆组件有巨大需求，并且客户对于这些产品的便利性也有非常积极的反馈。因此，将这种功能引入到Harwin生产的其他连接器显然非常有效。在那些涉及多个接合操作的应用中，Gecko-SL是首选的高可靠性连接器。通过提供这些电缆组件，我们能够更好地满足客户更多方面的需求，客户也能够得到最佳的解决方案。”

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  • 索尼加快全球步伐，印度“硅谷” 成立研发中心

    目前，索尼已经在中国、日本、美国、德国以及比利时等国家设立研发中心，现在伴随着印度班加罗尔研发中心的成立，索尼在全球已经设立了六个研发中心。昨日晚间，索尼中国官微正式宣布将在印度班加罗尔设立全新的研发中心，该研发中心将在2020年开始正式运营。   索尼官宣将在印度班加罗尔设立全新的研发中心 索尼中国官微表示，我们期待充分活用班加罗尔当地强大的信息技术人才库，进一步提升研发能力，扩大业务多样性，继续 “用创意和技的力量感动世界”。   目前索尼已拥有多个研发中心 此前已有不少厂商宣布在班加罗尔设立研发中心，现在索尼也加入这一行列，这也向我们展现出索尼对技术极高的重视程度。 目前已有多个厂商在全球设立研发中心，我们熟知的索尼同样不例外。班加罗尔是印度第五大城市，也是居印度IT产业第一位的城市，被称为印度的“硅谷”。

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  • “中国芯”内生长：开始全球市场崭露头角！

    这一年，全球首款5G SoC芯片——华为海思麒麟990面世;我国存储器实现从无到有的突破，64层3D NAND闪存芯片量产，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产;中芯国际14纳米工艺量产;国内最大半导体设备商之一中微半导体成功上市。 发展芯片产业是中国科技真正崛起的必经之路，今年以来的华为事件，以及海康、大华等企业被美国商务部列入“实体清单”，再次给中国半导体产业敲响警钟。但从中长期看，这也给中国半导体厂商带来国产替代的新机会。 发展势头向好 市场调研公司IC Insights发布的数据显示，今年上半年全球半导体行业产值1487.2亿美元，同比暴跌18%;但中国依然保持向上增长势头，上半年全行业实现销售收入3048亿元，同比增长11.8%。 芯片垂直产业链包括设计、制造和封测。在设计和封测领域，中国与美国的先进企业差距已经逐步缩小。 目前，大陆初步建立起了集成电路产业链，各个细分领域也涌现出了一批具有一定竞争力的企业。上海集成电路产业投资基金董事长沈伟国表示，在手机芯片设计领域，海思、紫光展锐进入全球前十;晶圆代工领域有中芯国际和华虹集团;存储器有长江存储;封测已进入第一梯队，长电、华天、通富均进入全球前十;装备和材料也已有布局，从光刻机、大硅片到靶材、清洗液等。 在芯片设计领域，华为海思今年发布的麒麟990采用目前业界最先进的7nm+ EUV工艺制程。在麒麟990发布会上，华为消费者业务 CEO 余承东就曾表示，“A公司没有推出5G解决方案，另一些公司有自己一些5G解决方案，但采用的是外挂的方式实现，目前华为是业内首款且唯一的一款集成SoC芯片”。他指出，麒麟990芯片上集成了103亿晶体管，是目前晶体管数最多、功能最完整、复杂度最高的5G SoC。 阿里巴巴旗下的平头哥发布了首款玄铁910芯片,号称是业界性能最强的RISC-V处理器芯，未来可以应用于5G、人工智能、物联网、自动驾驶等领域。 在芯片制造领域，中芯国际近期也表示，该公司14nm制程工艺芯片已经实现量产，并将于2021年正式出货。 而在占全球市场三分之一左右的存储器领域，我国更是实现了从无到有的突破。 今年9月，紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，这是中国首款64层3D NAND闪存;同样在9月，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。 “如果我们从2018年下半年看整个国产化替代的情况，很多都是零;如果到今年年底，至少会提到个位数，今年下半年导入速度会相当快。同时大基金也在密集推进，已经看到国内一些部分在突破了。”国盛证券研究所所长助理、电子行业首席分析师郑震湘指出。 这离不开一系列政策和大基金的支持。2014年6月，国务院颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。且明确提出，到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。 同年9月，工业和信息化部、财政部、国家开发银行联合牵头发起设立国家集成电路产业投资基金, 首期募集总规模1387.2亿元，为国内单期规模最大的产业投资基金。 就在上个月，备受关注的国家大基金二期也正式落地，中国集成电路企业将迎来更大发展机遇，特别是设备材料和应用端。工商信息显示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司注册资本为2041.5亿元，共有27位股东。 科创板成最大亮点 “今年上半年的最大亮点就是科创板。科创板出来以后，解决了很多社会资本退出问题。前两年我们关注(集成电路)产业基金，现在科创板出来了，给大家提供了很好的退出渠道。”中国半导体行业协会副秘书长、赛迪智库集成电路研究所所长王世江在一次公开场合上表示。 王世江指出，科创板将吸引更多资源往集成电路行业涌。“中国集成电路很缺人，即使是专业人才也大量涌向互联网、金融行业，因为待遇比较高。但随着科创板形成的氛围，资本、人才各方面资源都会往这方面倾斜，可能会对我们产业氛围起到比较好的作用，这样对产品销售以及并购管理都有比较大的好处。” 今年3月22日，上证所披露首批科创板受理企业，9家受理企业中芯片企业就占了三席，说明科创板对芯片企业的重视。 7月22日，科创板正式开市。首批25家企业正式上市交易，当天半导体企业涨幅领先。首批上市的半导体企业主要覆盖产业链的装备、材料、设计等领域。国产半导体材料商安集微电子科技(上海)股份有限公司领涨，盘中最高涨至520.57%，成为科创板开市涨幅最高的企业。 中微半导体被认为是科创板最强芯片股，主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向全球集成电路和LED芯片制造商提供高端设备和服务，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案。 中微公司发行市盈率最高达到170.75倍，创科创板新股发行估值纪录，而同行业上市企业PE(披露值)平均值为32.87倍。 中微公司董事长尹志尧表示，中国目前很多科创企业都处在一个不对称竞争的国际环境里，国外同类公司平均要大二三十倍，而且已经占据了市场的垄断地位。国内新生公司虽然战斗力很强，但是规模还很小，在这种情况下，最重要的就是发展速度。 元禾璞华管理合伙人、投委会主席陈大同在今年9月的一次论坛上表示，现在的时间点是中国半导体行业的黄金十年、二十年。“我们一直在呼吁，必须要给中国高科技、硬科技有一个绿色通道，一直没有，但是这回不一样了。”他认为，科创板是一个重大突破，真正体现了资本市场对于硬科技的认可。 浦东新区金融工作局副局长张辉此前表示，科创板的推出是资本市场服务科创企业、提供有效供给、完善资本市场的重大举措，必将增强资本市场对科技创新企业的包容性和适应性，也必将为集成电路企业提供相对宽松的上市环境和便捷的融资渠道，极大促进我国的集成电路产业发展。 “技术不是万能的，但是没有自己的核心技术是万万不能的。”清华大学微电子研究所所长、中国半导体行业协会副理事长魏少军在今年5月的世界半导体大会上这样说。

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  • 通过优化焊膏模板开孔来扩大连接器的选择范围

    通过优化焊膏模板开孔来扩大连接器的选择范围 在高密度电子系统中，通过对开孔形状进行精心设计，设计师现在可以将共面度为0.15 mm的连接器与厚度为0.10 mm焊膏模板匹配使用 作者：David Decker，Samtec Inc.互联工艺部总监 随着电子系统中元器件密度的提高，设计师通常为了和印制电路板（PCB）上厚度为0.10 mm的焊膏模板配套，而选择共面度不超过0.10 mm的、同等精密的连接器。然而，市场上有很多共面度值为0.15 mm的连接器，同时共面度值为0.10mm的连接器也由于引脚数量的增加以及特型引脚、直角连接器的引入等原因而难度越来越大。这因此限制了设计师的连接器选择范围；或者在本可以优先使用单个连接器时，却不得不使用多个连接器，或者被迫使用阶梯焊膏模板。这两种选项都增加了系统设计和生产的成本与复杂度。 然而，Samtec Inc.和Phoenix Contact的一项研究表明，通过优化焊膏模板的开孔形状，设计师就可以选择已广泛提供的、价格更低的、共面度为0.15 mm的连接器来与更精细的0.10 mm焊膏模板配合使用，同时在良品率为100%的情况下也能满足IPC-J-STD-001 Class 2标准的要求。 本文将讨论焊膏模板与连接器共面度之间的关系，以及设计师面临的取舍和制约因素等话题。然后本文将介绍此项研究的情况和相应的结果，以及这些结果在优化设计的时候对成本、空间、性能和可靠性产生的影响。 焊膏模板与连接器共面度之间的关系 利用精密加工的焊膏模板来精准地施放一小块焊膏并不太困难。但随着连接器引脚数量的不断增加，同时连接器上的一些引脚需要被做成特定形状和被做成诸如直角连接等特定的连接类型，连接器与采用精密焊膏模板来施放成形的焊料之间出现了越来越大的匹配困难。主要问题是由于连接器引脚的共面度引起。 简而言之，“共面度”这一术语是指当连接器被置于平面上时，其高度最高的和高度最低的引线（或引脚）之间的最大距离。该距离的数值通常可用光学测量设备测得（图1，左图）。 图1: 共面度是指在一个平面上测量到的不同引线高度之间的最大差值；对表面贴装（SMT）器件的引线而言，将该项差值降至最低至关重要，借此可以避免焊点出现问题。（右下角）。（图片来源：Samtec Inc.） 好的共面度对于好的焊点至关重要：如果一条引脚或引线的位置太高，它可能就无法与焊膏形成充分的接触，从而导致焊点在机械上出现虚焊或出现完全电气连接开路的漏焊。大多数规范都要求共面度在0.10mm和0.15mm之间。 通过利用正确的工艺和工具，就能够为多数应用持续地构建共面度为0.15 mm的连接器。然而，由于引脚数量的增加，特别是一些连接器的引脚发展成为了特定的形状，或者它们需要以特定角度（如双排、直角）来进行连接时，要达到0.10 mm的共面度就更为困难。维持这种较低的共面度会增加连接器成本。 如今的大型电路板都包括超过3000个元件和体积更小的、更高集成度的电子器件，使得本已紧张的板上空间变得更加密集，其结果是元器件引脚之间的间距也越来越小，设计师现在也在更多地考虑采用厚度为0.10 mm的焊膏模板。如果使用更厚的焊膏模版，那么引线或焊盘之间就会存在较高的焊桥风险。然而，设计师很难找到既满足0.10mm共面度规格要求，同时又具有足够引脚数及合适外形尺寸的连接器。 当然，设计师的确也可以选择其他解决方案。如他们可以采用阶梯化焊膏模板，用薄一点的焊膏模板来应对小节距元件，而用更大一些的模板来支持连接器。这就解决了问题，但焊膏模板成本就会变得更高，同时还有可能无法适用于焊锡阶梯两侧元器件之间空间不足的应用。根据通常的经验来看，两个阶梯开孔之间的距离应该为阶梯厚度的36倍。 另一种选择是使用多个连接器。连接器的引脚数量越少，就越容易使其满足更为紧密的共面度规格。但是多个连接器又增加了成本，同时增加了布局复杂性并带来可靠性问题。此外，尽管连接器可能满足0.10 mm共面度要求，但厚度为0.10 mm的焊膏模板意味着更低的焊料高度，从而导致焊点机械强度可能不够高。 如何优化焊膏模板的开孔 为了最低限度地采用这些折衷方案，Samtec和Phoenix Contact针对三个系列的连接器研究了通过修改焊膏模板开孔所产生的效果。这些研究使用了一个厚度为0.15 mm和1:1开孔的模板，从而使沉积焊料的尺寸和形状与铜焊盘一致。随后在这些实验中增加了两种厚度为0.10mm的、但开孔更大的模板，并在接下来的研究中制作并选用了共面度在0.10 mm和0.15 mm范围内的连接器。 这项研究涉及将焊膏模板开孔的大小调整到超出焊盘尺寸来进行套印，以增加焊料量并形成更好的连接，但不多到导致焊桥或在电路板表面留下焊球。为实现这一目标，这项研究依赖于回流焊过程中的焊膏在达到其液化温度后，在加热的焊盘上形成凝结的趋势。当然，必须为每种连接器类型确定正确的开孔大小（图2）。 图2：橙色轮廓显示了FTSH连接器的最佳开孔尺寸。（图片来源：Samtec Inc.） 例如，为了确保在共面度为0.152 mm的 FTSH连接器样品与厚度为0.10 mm焊膏模板之间形成良好的焊点，最佳开孔为2.84 mm x 0.97 mm。这样就可以面向100%良品率去实现满足IPC-J-STD-001 Class 2标准要求的高质量焊点（图3）。 图3 ：共面度为0.152 mm的FTSH连接器样品在使用了厚度为0.10 mm的、具有优化开孔的焊膏模板后形成的焊接结果，可以看到其内排（左图）引脚和外排引脚（右图）都是高质量的焊点。（图片来源：Samtec Inc） 基于这些结果，可以清楚地看到设计人员在使用厚度为0.10 mm的焊膏模板时，应当再次考虑采用最大共面度值为0.15mm的连接器。如果已经确定了用最佳模板开孔来支持组合模式，就可以采用众多现成可用的连接器而扩大了选择范围，并可避免在受到限制的范围内选用昂贵的替代品。如果最佳开孔无法在网上获得或尚未确定，那么很重要的是在设计流程之初就要去联系连接器制造商来确定最佳开孔，或为任何已确定的应用找出更合适的解决方案。 早期介入极为关键，随着设计流程逐渐深入，其选择面就越来越窄。 结论 由于充分了解各种取舍权衡，并听到客户对更加精密的焊膏模板和更加紧致的共面度的渴望，Samtec Inc.与Phoenix Contact两家公司的研发团队携手开发了优化焊膏模板开孔的途径，它可使共面度为0.15mm的连接器能与厚度为0.10mm的焊膏模板配合使用。该项研究带来了全球最佳成果：厚度为0.10mm的精密焊膏模板、更大的连接器选择范围、低成本、低复杂度、满足IPC-J-STD-001 Class 2标准中机械强度要求的高质量焊点。 关于作者： David Decker，Samtec Inc.互联工艺部总监 David Decker于1993年获得了路易斯维尔大学Speed科学学院（University of Louisville’s Speed Scientific School）的机械工程工学硕士学位，并于1998年获得了专业工程执照。其职业生涯始于在Lexmark, Inc. 担任的注塑模具工程师，其后任职于通用电气家电产品部（General Electric Appliances）。随后，David加入了Samtec并在该公司工作了22年，曾在新产品设计、定制化产品设计等部门担任重要职务，并在过去15年中一直担任互连工艺部总监。David还在Clark县警长办公室预备役部担任中尉，并在该处服务了9年。

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  • 英特尔发逆天新U：功耗仅30W，专用于边缘计算和AI

    11月14日 讯 - 昨日，英特尔在美国旧金山举办了2019年人工智能峰会。在此期间英特尔正式发布了全新一代视觉处理单元Movidius，代号为Keem Bay。 据报道显示，Keem Bay是专为边缘计算和人工智能打造的全新产品，主要用于计算机视觉、深度学习和媒体处理等方面。 Keem Bay采用了全新的高效能架构，和上一代相比，性能提升10倍以上，是英伟达TX2的4倍，功耗为30W。 此前，英特尔曾于2017年推出过一款Movidius Myriad X视觉处理器，采用16nm制程工艺制造，是一款低功耗的SoC，主要用于人工智能算法加速和深度学习等。 本次大会上，英特尔表示将对人工智能领域加大投入。此外，新一代Movidius视觉处理单元将于明年上半年上市。

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  • 联发科抢先高通骁龙865，平民5G时代到来？

    最近联发科官宣将于11月26日在深圳举行MediaTek 5G方案发布暨全球合作伙伴大会。不出意外，本次发布会将推出联发科集成5G基带SOC，名为MT6855。在早前的网上消息我们知道了高通(Qualcomm)即将在美国夏威夷举行的Snapdragon技术峰会上发表全新旗舰骁龙865处理器。在面对高通即将发表新一代骁龙865处理器所带来的声势，联发科也不甘示弱。   值得一提的是，这款联发科MT6885预计使用Cortex-A77的CPU核心和Mali-G77的GPU核心，并整合旗下Helio M70 5G基带，提供Sub-6GHz频段支援，而且将会会配备第三代AI处理引擎，支持最高8，000万像素拍照。而根据联发科之前的表示，目前MT6885已经开始量产，并将于2020年第1季开始向制造商供货。 距网上的报道透露，此次联发科所带来的MT6885芯片是基于台积电7nm FinFET工艺制程打造，采用ARM Cortex A77架构，集成Mali-G77 GPU，这是全球首款7nm ARM Cortex A77 CPU，具备强悍的性能体验。

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  • 全球芯片 “两强之争”打响 三星誓言成为“世界第一”

    11月13日报道 ，韩国三星电子在半导体代工领域向台积电发起正面挑战，虽然三星近日发布的财报显示，2019年7月至9月的合并营业利润同比大幅减少56%，销售额减少5%。主力半导体业务的营业利润同比大幅减少78%，不过环比减少10%，减幅收窄。但是三星将每年花费巨额投资，确定采用新一代生产技术“EUV(极紫外光刻)”的量产体制，用10年左右挑战台积电世界首位的宝座。三星与台积电这两强展开竞争，将促进行业的技术革新。 三星誓言成为“世界第一”   报道称，SK海力士、原东芝存储器等全球半导体存储器企业的业绩恢复迟迟没有进展，而三星呈现出复苏的迹象，这得益于三星年销售额可观的代工生产业务。7月至9月，该业务的销售额比上季度增长14%，持续保持两位数增长。在存储器价格下跌背景下，代工生产业务支撑了三星的业绩。 三星高层强调，“继存储器之后，在包括代工生产在内的系统半导体业务领域也必将成为世界第一”。这名高层称，每年会在该领域的生产设备和研发上投入巨额资金。作为比肩半导体存储器业务的收益支柱，三星计划把代工生产业务打造为世界第一。 报道称，代工生产的尖端竞争正迎来新的局面。能够使半导体性能飞跃性提升的全新生产技术EUV进入普及期，三星可以应用通过存储器业务培育的技术。另外，预计今后为应对5G，高性能半导体的需求将急剧扩大，三星认为这是良机。 在位于首尔郊外三星华城工厂的新厂房内，EUV曝光设备的投产准备工作正在推进之中。三星计划向半导体设备投入大量资金，最早将于2020年初正式投产。据业内相关人士透露，预计将量产美国高通的最尖端智能手机用CPU(中央处理器)。 报道称，三星已在自身智能手机的CPU上使用EUV技术，还将把该技术应用于代工生产。据称，和现有生产方法相比，使用EUV技术后，CPU处理速度和省电性能将提高两至三成左右。 台积电倾尽全力守王者地位 不过，报道同时指出，在代工生产领域，台积电握有世界一半市场份额，将量产活用EUV技术、电路线宽为7纳米的半导体。近日，台积电还宣布把2019年内的投资额增加50亿美元(1美元约合7元人民币)，这正是对自身技术有信心的表现。此外，台积电还确定获得美国苹果新一代iPhone用尖端半导体订单。 台积电总裁兼副董事长魏哲家表示，公司的下一代半导体在行业内最先进，能够更加吸引顾客。透露出扩大市场份额的自信。 另据台湾中时电子报11月12日报道，抓住三星生产半导体材料受到日韩贸易战影响，以及先进制程采用(EUV)技术发展不如预期，台积电靠着7纳米(EUV)技术的强效版制程(N7+)，协助客户产品大量进入市场。 报道称，台积电倾全力支持联发科发展，就是要超越三星在5G芯片制程的时程，只要能抢到大陆中端5G手机市场，就有机会扩大市占率。 《日本经济新闻》网站认为，台积电的强项不仅只有量产技术。该公司还拥有几千名技术人员，这些人为客户设计线路提供支援，起到了确保量产的桥梁作用。另一方面，三星以存储器为主力业务，缺少的是应对多品种的设计技术。 另一个令三星不安的因素是日本政府加强对韩国的出口管制。成为限制对象的3种产品中，EUV用光刻胶不可缺少且难以找到替代采购地。虽然目前仍能够稳定采购，但是未来采购可能变得困难。 报道认为，三星和台积电均主张“自身用EUV技术实现7纳米半导体的量产”，显示出对自身技术实力的强烈信心。 报道称，三星把成为世界第一代工企业目标的实现时间设定在2030年。计划用10多年培育设计技术，目前正以美国硅谷的基地为中心招募技术人员。半导体两强火花四溅的竞争将持续下去。

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  • 重磅！MLCC大厂国巨18亿美元收购美电容大厂Kemet

    据路透社报道，国巨(Yageo)表示，将以18亿美元的价格收购竞争对手无源电子元件制造商Kemet Corp，以扩大其全球覆盖范围。 前两年疯狂涨价的MLCC大家应该不陌生，国巨就是MLCC的主要供应商。国巨公司成立于1977年，主营被动电子元器件，供应完整的电阻、电容及无线组件等被动组件，以满足客户各种不同领域应用的需求。据国巨官网介绍，国巨现今为全球第一大芯片电阻制造商，全球第三大积层陶瓷电容供货商，在磁性材料领域则名列全球第四。   Kemet Corp是一家美国电容器制造商，例如钽、铝、多层陶瓷、薄膜、纸张、聚合物电解和超级电容器。Kemet还生产其他各种无源电子元件，如交流线路滤波器、EMI磁芯和滤波器、挠性抑制器、机电设备(继电器)、金属复合电感器、铁氧体产品以及变压器/磁性器件。 KEMET在钽电容的生产工艺和基础材料上都具备技术优势，其钽电容销量曾经位居全球第一，公司总部座落于美国南卡罗莱纳州格林维尔市。   此次收购预计2020年下半年可完成交易。KEMET将成为国巨旗下子公司，受此消息影响，KEMET周一股价跌2.1%，报收23.02美元。

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  • 中国研制出垂直结构“硅-石墨烯-锗晶体管”，超高速晶体管再获突破

    11月10日，记者今天从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部科研人员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”，成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上，并将其截止频率由兆赫兹提升至吉赫兹领域。相关成果已于近日在线发表于国际学术期刊《自然•通讯》。 据该成果论文的通讯作者、中科院金属所研究员孙东明介绍，这一研究工作提升了石墨烯基区晶体管的性能，未来将有望在太赫兹领域的高速器件中应用，为最终实现超高速晶体管奠定了基础。   (硅-石墨烯-锗晶体管相关器件示意图) 1947年，第一个双极结型晶体管诞生于美国贝尔实验室，引领人类社会进入信息技术的新篇章。在过去的几十年里，提高双极结型晶体管的工作频率，成为科学界的不懈追求，异质结双极型晶体管和热电子晶体管等高速器件相继被研究报道。然而，当需要进一步提高频率时，这些器件遭遇了瓶颈。异质结双极型晶体管的截止频率，最终被基区渡越时间所限制，而热电子晶体管的发展，则受限于无孔、低阻的超薄金属基区的制备难题。 石墨烯，这个性能优异的二维材料，近年来倍受关注。科学界提出将石墨烯作为基区材料制备晶体管，其原子级厚度将消除基区渡越时间的限制，同时其超高的载流子迁移率也有助于实现高质量的低阻基区。 “目前已报道的石墨烯基区晶体管，普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度，严重限制了该晶体管作为高速电子器件的发展前景。”此次成果论文的第一作者、中科院金属所副研究员刘驰表示，科研人员提出了半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出如今这一成果。 据刘驰介绍，与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，使器件总延迟时间缩短了1000倍以上，可将器件的截止频率由约1.0兆赫兹提升至1.2吉赫兹。刘驰说，通过基于实验数据的建模，科研人员进一步发现，该器件具备工作于太赫兹领域的潜力，而这对于未来的晶体管研制具有十分重要的意义。

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