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  • AMD三代线程撕裂者CPU开盖鉴赏：ROG Strix TRX40-E主板 64核若隐若现

     众所周知，第三代锐龙线程撕裂者处理器3970X(首发价15299元)和3960X(首发价10699元)已经上市有段时间了，锐龙3970X设计为32核64线程，基频3.7GHz，加速4.5GHz，L2+L3缓存共144MB。3960X设计为24核48线程，基频3.8GHz，加速4.5GHz，L2+L3共140MB。 德国大神“der8auer”自然不会放过开盖的机会。这次他虽然遇到了一点小小问题，但最终进行散热改装后，还是成功启动了Windows系统，并运行Cinebench压力测试。 为了对比，尚未开盖前，3960X运行在华硕ROG Strix TRX40-E主板、EK水冷头环境下，1.392V电压下全核最高频率4.3GHz，运行Cinebench R20时，温度85~86摄氏度。     开盖看起来并不复杂，先用刀片将固定IHS的顶盖稍微翘起(让胶水脱胶)，接着用专门的开盖器固定并放入烤箱加热。随着钎焊材料融化，掀开顶盖的操作就变得异常容易。 可以清楚地看到处理器内四个CCD围绕着一个I/O Die，而且还能看到外围安放另外4个CCD的模具痕迹，也就是组成64核128线程3990X的可能性。

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  • 百度自研AI芯片明年量产，不出意外，代工厂选了这家！

    2019年12月17日，百度和三星宣布，百度首款云到边缘人工智能加速处理器百度昆仑已完成开发，将于明年初量产。芯片将采用三星的14纳米制造工艺以及I-Cube TM封装解决方案。 百度造芯片并不是什么新鲜事了，早在几年前就开始了布局，但是选择三星代工量产还是首次。 在今年的百度2019AI开发者大会上，百度发布了鸿鹄芯片，这是一款远场语音交互芯片，现场演示显示，在没有用唤醒词的情况下，基于鸿鹄的设备可以无障碍地轻松对话。据介绍，鸿鹄芯片使用了HiFi4自定义指令集，双核DSP核心，拥有超大内存，低功耗的特点且拥有车规级标准的工艺水平。鸿鹄芯片可以应用于车载语音交互、智能家具等场景。 而在鸿鹄之前，百度更早的时候就宣布了昆仑芯片。   百度昆仑芯片基于百度自主研发的，面向云、边缘和人工智能的神经处理器架构XPU。这款芯片提供512 GBps的内存带宽，在150瓦的功率下实现260 TOPS的处理能力。此外，这款新的芯片支持针对自然语言处理的预训练模型Ernie，推理速度比传统GPU/FPGA加速模型快3倍。 借助这款芯片的计算能力和能效，百度可以支持包括大规模人工智能计算在内的多种功能，例如搜索排序、语音识别、图像处理、自然语言处理、自动驾驶和PaddlePaddle等深度学习平台。 对于此次百度选择三星14nm代工昆仑芯片，双方也是极为重视。 百度架构师欧阳剑表示：“我们很高兴能与三星Foundry一起引领HPC行业。百度昆仑芯片是一个极具挑战性的项目，因为它不仅要求高水平的可靠性和性能，而且还汇集了半导体行业最先进的技术。多亏了三星最先进的工艺技术和铸造服务的支持，使得我们能够达到并超过我们提供卓越AI用户体验的目标。” 三星电子代工营销部副总裁Ryan Lee说：“我们很高兴能使用我们的14纳米工艺技术为百度提供新的代工服务。百度昆仑芯片是Samsung Foundry的一个重要里程碑，我们正在通过开发和批量生产AI芯片，将我们的业务领域从移动扩展到数据中心应用方面。三星将提供全面的代工解决方案，从设计支持到尖端制造技术，如5LPE、4LPE以及2.5D封装等。” 随着人工智能AI应用的爆发，高性能计算引发了新兴AI芯片的竞争，相比传统的CPU\GPU，这种AI芯片采用全新的架构，能实现更高的性能和能效表现，据英特尔预计，快速增长的AI硅市场在2024年将超过250亿美元。

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  • 吸引头部芯企涌入，IC PARK打造中国芯旗舰

    提到集成电路产业，你最先想到的是什么?中兴事件、华为海思、阿里含光800......但真正要了解集成电路产业的分量，还要从硅谷谈起。一个世纪以来，硅谷从一片果园发展为当今电子工业和计算业的集群地，创造了无数个科技神话。目前，全球经济格局正加速演进，当全世界的目光都聚焦在集成电路高科技产业集群时，中国集成电路设计行业的头部力量正在北京加速汇聚融合，推动国内芯片设计的自主创新向更深层次迈进。 全球集成电路产品出口图谱 注：图片来源于赛迪智库 企业、人才扎堆的北京，如何实现集成电路产业聚集，促进科技创新成果转化，让中国集成电路产业跻身世界一流，是需要政府、企业思考的关键问题，也是破解行业难题的重中之重。 抢占科技创新风口，谋划下一个十年 《麻省理工科技评论》中曾提到，“全世界的城市都在试图复制硅谷，但到目前为止，只有一座城市成为硅谷真正的竞争对手，它就是北京。” 新一轮科技革命和产业变革正在以前所未有的深度、广度和力度，重塑人类社会的发展图景，站在新风口之上，北京充分利用科技创新成果把握时代机遇，实现产业迭代升级的奔跑加速度。集成电路是当今信息技术产业高速发展的源动力，2019年全国IC设计总销售额3084.9亿元，其中北京销售额577亿元，占全国销售额的18.7%，智力资源、产业规模、技术水平在全国占有举足轻重的地位。 北京市委书记蔡奇察看集成电路产业发展情况 近日，北京市委书记蔡奇在海淀区中关村集成电路设计园(以下简称“IC PARK”)调研时指出，北京正在以“三城一区”为主平台建设全国科技创新中心。各类高新技术产业园区对于营造良好创新生态，带动高精尖产业发展至关重要。中关村科学城是“三城一区”之一，也是构建高精尖产业的前沿阵地，经过几十年的发展，其范围扩展到海淀北部乃至海淀全区。目前已经有联想、百度、腾讯、IBM等2000多家国内外科技创新型企业扎堆涌入，并形成了永丰产业基地、中关村芯园、IC PARK、中关村环保园等专业化园区，成为我国单位经济产出和智力密度最高的地方。 著名独立经济学家马光远曾表示“在下一个十年，海淀最有前景的地方就是海淀北部新区，北京科技创新的新增长点以及中关村未来的新发展就在海淀北部新区。”不仅如此，海淀汇聚了清华大学、北京大学、中国人民大学等一批高精尖科研院校，是中国人才最扎堆的区域。 政企合力共建，扛鼎国家战略性产业 集成电路产业是我国的战略性、基础性产业。先天的资源禀赋为北京发展集成电路产业提供了充分且必要条件，但众所周知，集成电路产业的发展绝不是一朝一夕、一人一企之事。自中兴、华为事件爆发之后，真正让国人认识到我国在芯片设计领域中的不足。2019年虽然涌入了众多新老玩家，但是华为、小米、中兴在芯片研发上均投入了大量的人力、物力以及时间成本，华为海思正式转正经历了14年，小米投入10亿元人民币自主研发彭拜芯片，雷军也因此发出了“九死一生”的呐喊。可以说，集成电路产业出现了巨头涌入、难而且坚的局面。 中国芯片设计领域面临的制造设备落后、自主IP缺失、EDA工具基本靠进口等“卡脖子”问题亟待破解。产业园区是高精尖产业发展的重要承载地，在集成电路产业发展上，北京已经形成了“北设计、南制造”的发展格局，IC PARK落笔海淀北部北清路前沿科创发展轴黄金C位，承担着推动芯片设计发展的重任，需要借助政府、企业多者之合力，为中国芯崛起添砖加瓦。 聚集高精尖企业，打造中国“芯”生态 产业的发展不仅需要政府的“顶层设计”，更需要园区将其落到实处。 IC PARK对标世界一流园区，运营一年以来，已经聚集了比特大陆、兆易创新、兆芯、文安智能在内的数十家IC设计龙头企业和50余家上下游企业，实现年产值240亿元，占全市集成电路设计领域的42%，强化“北设计”的科创优势，开创“中关村速度”。预计到2—3年，入园企业超150家、300亿元产值、50亿元税收，聚焦芯片设计，依托区位和产业的发展优势，全维赋能芯片企业发展，打造中国集成电路行业芯旗舰。 IC PARK园区实景图 开园之后，园区坚持产业组织先行、产业服务前置，IC PARK整合海淀区丰富的产业研资源，掘金海淀区科创企业集群、产发展高地、扶持政策、丰厚资本和人才储备等方面的优势，打通企业与企业、政策、人才、资本的沟通壁垒，构建了“一平台三节点”为核心的全方位立体化产业服务体系，让高精尖企业走进来，共商共建集成电路产业新高地。 IC PARK“一平台 三节点”产业服务体系 与此同时，IC PARK以平台为基础，打造基金、孵化、芯学院三大轻资产模块，破解困扰芯片设计企业的资金、项目、人才难题。IC PARK成立了认股权池，总规模15亿元的中关村集成电路产业基金，以及芯创空间(孵化器)和芯学院，让这里成为中国芯片设计企业成长的摇篮。

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  • 麒麟1020处理器：直接使用Cortex-A78架构性能再提升50%

     近日，麒麟1020在网上曝光，在性能方面进行了升级，性能较麒麟990系列提升了50%。据GSMArena报道，麒麟1020有可能越过Cortex-A77，直接使用Cortex-A78架构，并采用台积电5nm制程工艺。如果该消息属实，麒麟1020不仅在能效比，还会在性能上较麒麟990系列拥有更大的突破。 众所周知，在今年9月，华为正式推出了麒麟990系列处理器，集成了5G基带同时支持SA/NSA 5G双模组网，并由华为Mate30系列手机首发。     值得注意的是，目前台积电5nm制造工艺的生产良率已经达到了50%，预计最快明年第一季度实现量产。     麒麟990 5G 不过现在就开始把注意力集中在麒麟1020上未免太早，而且以麒麟990系列为核心的机型，比如华为Mate30系列，荣耀V30系列等，在性能和5G方面仍然属于目前的顶尖水平。 不出意外的话，麒麟1020还将会在5G方面有新的突破，比如更快的上传下载速率、更快的网络切换等。至于发布时间，按照以往的发布时间，麒麟1020预计最快将于明年9月发布，并由下一代Mate系列手机首发。

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  • 英特尔挖角格芯CTO：“三分天下”的晶圆之战开始发力

    12月13日 讯 - 前几日，英特尔的制造工艺路线被披露，虽然ASML擅自在路线图中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的标注，但总体2年一次更替的摩尔定律仍在进行之中。 而在目前最新的消息显示，英特尔（Intel）最近招揽了前格芯（GlobalFoundries）CTO、前IBM微电子业务主管Gary Patton博士。当然，为了做好新的CPU/GPU架构，Intel还批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批业界牛人。 目前来说，格芯已经改变了投资策略，取消了7nm、5nm的工艺研发，专注进行14/12nm方面工艺和专用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton这样的人才仍然可以再一线研发对他来说是一件好事。 目前来说，在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局，这三家分别是英特尔、台积电、三星。 英特尔方面，日前报道中爆料的2年一更新的制程之路来说，虽然这是一个乌龙事件，但这是第一个被ASML爆料出的1.4nm工艺。当然，英特尔还强调了在每个流程节点之间，将会有迭代的+和++版本，以便从每个流程节点提取性能。但在EUV方面，仍然需要至2021年才会上EUV设备。 台积电方面，众所周知在EUV工艺上属于“熟练掌握”的玩家，诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电7nm工艺与英特尔10nm工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看，目前台积电已在5nm方面进入量产倒计时，3nm与2nm已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验，或许性能方面仍然不会有差别。 三星方面，则稳扎稳打，从14nm、10nm、7nm、3nm四个主要节点进行规划，而在3nm节点以后，三星要放弃FinFET转向GAA晶体管，3GAE工艺和3GAP工艺的优化改良之路还远矣。 摩尔定律的2年一更新仍然在持续之中，而如若走在在1nm制程以下，摩尔定律该如何继续延续，这将成为一个严肃的问题。

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  • 大手笔！三星电子闪存芯片项目二期规模达150亿美元

    为促进NAND闪存芯片的生产，三星电子日前启动了芯片项目二期第二阶段的投资。 据悉，位于中国陕西西安高新综合保税区的二期项目总投资为150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约为70亿美元，将于2020年3月竣工投产；第二阶段投资约为80亿美元，将于2021年下半年竣工。预计二期项目建成后，三星电子闪存芯片项目每月产能将新增13万片、产值将新增300亿元。

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  • 英特尔首次公开1.4nm工艺？官方：ASML自作主张修改了PPT

    12月12日 讯 - 近日，据多家外媒报道，在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，一张英特尔即将推出的制造工艺的扩展路线图被透露，其中显示，英特尔未来将推出7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm工艺。而这张图是由ASML发言人在会议上展示的，ASML表示，此图为英特尔9月在一次光刻会议上展示的。然而英特尔方面则澄清，这张图被ASML修改过了。 ASML发言人展示的路线图 通过对比，的确英特尔并未标注出制程的具体信息，不过大致的路线是相同的。 英特尔澄清的路线图 作为其合作伙伴，ASML对于英特尔的工艺路线可谓是心知肚明，这样擅自更改PPT并公开究竟是何种原因造成的，目前尚未拥有确切消息。有媒体猜测，两张路线图都是在2021年才会使用上EUV设备，这是否是一种催单也并非不可能。 在IEDM会议上，关于5nm的讨论很多，因此其中一些改进，诸如制造、材料、一致性等，最终将最终以英特尔的5nm工艺结束，这取决于与之合作的设计公司(历史上是应用材料公司(ASML))。 不过可以确定的是，在摩尔定律方面，英特尔依然是处于“寻路”模式，超越5nm，即3nm / 2nm / 1.4nm，当然继续在摩尔定律上面“死磕”将会是一笔不小的花费。 值得一提的是，英特尔的这张路线图还提到了在旧工艺的升级版本中进行“反向移植”（ Backport）带来的机会。包括可以将7nm产品反向移植到10nm+++，可以将5nm产品反向移植到7nm++，可以将3nm产品反向移植到3nm++，而可以将2nm产品反向移植到3nm ++。不过，对于1.4nm节点没有提到反向移植。 另外，今年IEDM上的一些演讲使用的是所谓的“ 2D自组装”材料，其尺寸大约为0.3nm，这么小的尺寸并不新鲜，但对于硅而言很新鲜。 值得注意的是，5nm被列为2023年的节点，大约在ASML开始销售其“高NA” EUV机的时候，以帮助在制造过程中更好地定义路径。并不确定High NA是否会在5nm或3nm处拦截，假设英特尔的此路线图的日期正确且英特尔能够坚持下去，但这是需要考虑的问题。

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  • 首颗5G卫星出厂：“太空互联网”意味着什么？

    12月12日 讯 - 日前，据国内商业航天企业银河航天(北京)科技有限公司在北京宣布，该公司将于本月底发射5G卫星。 据悉，此次为国内首颗由商业航天公司研制且对标国际水平的5G低轨宽带卫星。 目前卫星已经完成研制，并已出厂开展了相关测试。 在通信能力方面，该卫星为可达到10Gbps的5G低轨带宽卫星，也是全球首颗Q/V频段的低轨卫星带宽卫星，也是我国首颗由商业航天公司研制的200公斤量级卫星。 据媒体介绍，这颗卫星单星可覆盖约30万平方公里，约等同于50个上海市面积。

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  • 仍然相信摩尔定律？ 英特尔未来10年制程节点路线图曝光！

    近日，在IEEE国际电子设备会议(IEDM)上，一个有趣的公开内容是即将到来的制程节点技术。到目前为止，几乎每个环节都涵盖了7nm、5nm和3nm工艺。我们没想到英特尔即将推出的制造工艺的扩展路线图会被透露。英特尔10nm制程节点的一再延期使其无论在先进半导体制程的领先性还是在CPU的竞争中都面临更大压力。英特尔显然已经感受到这些压力并正在释放积极信号。 根据IEDM公布的一张幻灯片，英特尔未来十年将会保持每年更新制程技术，每两年更新一代制程节点的速度发展，有意思的是，1.4nm节点首次在英特尔的幻灯片中出现。英特尔仍然相信摩尔定律，但付出的成本也将越来越高昂。   他们说下面这张幻灯片值1000字。 公开此数据的演讲者实际上是英特尔的一位紧密合作伙伴，演讲者指出，英特尔自己在9月的光刻会议上展示了此幻灯片。   2029年1.4nm 英特尔预计其制造工艺节点技术将以两年迭代一代的速度发展，从2019年的10nm到2021年的7nm EUV，然后到2023年的5nm，2025年的3nm，2027年的2nm，以及2029年的1.4nm。1.4nm工艺是首次在英特尔的幻灯片上出现，因此这可以确认英特尔发展的方向，如果1.4纳米表示实际的尺寸，那就相当于12个硅原子。 值得一提的是，今年IEDM上的一些演讲使用的是所谓的“ 2D自组装”材料，其尺寸大约为0.3nm，这么小的尺寸并不新鲜，但对于硅而言很新鲜。 显然，英特尔(及其合作伙伴)必须克服许多问题。 +，++和反向移植 正如英特尔之前所说，在每个过程节点之间，将有迭代的+和++版本，以便每个制程节点的性能得到提升。唯一的例外是10nm，它已经在10+上了，因此我们将在2020年和2021年分别看到10 ++和10 +++。英特尔认为，他们可以保持每年更新的速度，但也有相同的团队确保一个制程的流程节点可以与另一个制程节点平滑演进。 这张幻灯片中有趣的元素是提到了反向移植。这是设计芯片时需要考虑一个节点的能力，由于新的节点可能推迟，可以在同一时间范围内在较旧的“ ++”版本的处理节点。尽管英特尔表示他们正在将芯片设计从工艺节点技术中分离出来，但在某个时候，必须要承诺采用工艺节点才能开始在硅片中进行布局。那时，流程节点过程已被锁定，尤其是在进行掩膜创建时。 幻灯片中显示了英特尔将允许任何一代7nm设计可以反向移植到10 +++，任何一代5nm设计都可以反向移植到7 ++，然后从3nm移植到5+ +，2nm至3 ++等。有人可能会质疑说，此路线图可能对日期没有严格要求。我们已经看到英特尔的10nm制程花了很长的时间，因此希望英特尔以每年一次的更新进度和两年一代的节点演进的节奏进行发展。节点似乎是一种非常乐观和积极的策略。 请注意，这并不是第一次涉及英特尔的反向移植硬件设计的表述。由于目前英特尔10纳米制程技术的推迟，广泛流传着英特尔未来的某些CPU微体系结构设计最初是为10纳米(或10 +，10 ++)而设计，但最终可能会采用更加成熟的14nm工艺。 未来的演进 通常，随着流程节点的发展，每个制程节点将有不同的团队。该幻灯片指出，英特尔目前正在开发其10 +++优化以及7nm系列。这个想法是，“ +”更新从每一代的设计角度都能进行改进，而数字代表了整个节点的性能。有趣的是，我们看到英特尔的7nm基于10 ++，在将来，英特尔的5nm将基于7nm设计，3nm来自5nm。毫无疑问，每个+ / ++的某些更新某化将在需要时应用到将来的设计中。 在此幻灯片中，目前英特尔处于定义5nm的阶段。在本届IEDM会议上，关于5nm的讨论很多，因此其中一些改进(例如制造、材料、一致性等)最终将最终以英特尔的5nm工艺结束，这取决于与之合作的设计公司(历史上是应用材料公司(ASML))。 英特尔目前处于“寻路”模式，超越5nm，即3nm / 2nm / 1.4nm。与往常一样，英特尔一直在考虑新材料，新的晶体管设计等。在本届IEDM会议上，我们看到了很多关于全栅晶体管的讨论，无论是纳米片还是纳米线，随着FinFET发挥到极致，毫无疑问我们将看到其中的一些。 台积电在其5纳米工艺(相当于英特尔的7纳米)中仍使用FinFET，因此，如果我们看到纳米片之类的东西，然后纳米线(甚至混合设计)进入英特尔的制造堆栈，我也不会感到惊讶。 值得一提的是，根据这张幻灯片的标题，英特尔仍然相信摩尔定律。只是不要问它要花多少钱。值得注意的是，5nm被列为2023年的节点，大约在ASML开始销售其“高NA” EUV机的时候，以帮助在制造过程中更好地定义路径。我不确定High NA是否会在5nm或3nm处拦截，假设英特尔的此路线图的日期正确且英特尔能够坚持下去，但这是需要考虑的问题。

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  • 华为远超苹果“一统天下”？占据中国高端手机八成市场份额

    众所周知，苹果在中国的“遇冷”一方面是受到华为手机突起的冲击，另一方面也是受到价格的影响。为此，苹果公司也在价格方面做出调整，比如iPhone 11的售价相比iPhone XR发布之初就直接下降了近千元，而“双11”期间，苹果iPhone 11的销售预计达到了数万部，也意味着降价策略在中国市场是有用的。 尽管iPhone销量放缓，但苹果公司仍然主导着全球高端智能手机市场。 根据市场研究机构Counterpoint Research的最新报告，今年第三季度，苹果公司在400美元以上高端机市场占据了超过一半份额，占比达52%，比去年同期48%的占比有所上升。而排名第二和第三的三星和华为的市场占比分别为25%和12%。 不过在中国高端智能手机市场，华为远超苹果“一统天下”。市场数据显示，受益于华为Mate 30和P30等机型，华为占据了中国超过八成的高端智能手机市场份额，高于去年同期的73%。 Counterpoint的统计数据还表明，用户对于价格在600美元至800美元区间的智能手机的需求显著上升，由去年第三季度占高端机31%的份额激增到今年的43%，主要推动力量是苹果的iPhone XR;而价格区间在400美元至600美元的智能手机的需求则由去年同期的42%大幅下滑至24%。 此外，价格在800美元至1000美元区间的智能手机的需求也大幅增长了60%，占高端智能手机市场整体销量的21%，主要的推动因素是三星的Galaxy S10和Galaxy Note 10系列手机。 目前苹果公司尚未发布任何5G手机，但已经有分析数据预测苹果今年秋季发布的iPhone 11将带动公司在第四季度的全球销量取得突破，甚至反超华为。 根据数据统计公司TrendForce的预测数据，苹果有望在第四季度重返全球销量第二，市场份额将增长至18.7%。该公司统计的第三季度销售数据显示，在全球智能手机市场出货量排名中，三星、华为和苹果分别占据前三席，份额为20.8%、18%和12.4%。其中，iPhone 11第三季度产量环比增长42%，预计第四季度将达到6900万部。 不过第三季度苹果在中国市场的表现出现下滑，根据行业市场分析，iPhone中国市场用户在过去一年的流失率增长了一倍多，今年三季度，苹果中国智能手机的出货量仅820万部，同期下滑14%，市场份额进一步跌至7.9%。 报告还显示，第三季度智能手机的市场销售价格平均提高了5%，这与目前5G智能手机的推出密不可分。在5G智能手机市场上，三星、LG和vivo排名分列前三，占比分别为74%、11%和5%。小米创始人雷军也在早些时候表示，明年小米将推出至少十款5G智能手机。

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  • 台积电3nm工艺进展“令人欣慰” 2nm工艺提上日程！

    12月10号，最新消息称台积电的5nm工艺良率已经达到了50%，比当初7nm工艺试产之前还要好，最快明年第一季度就能投入大规模量产，初期月产能5万片，随后将逐步增加到7-8万片。 随着高通骁龙865使用台积电N7+工艺量产，台积电的7nm工艺又多了一个大客户，尽管三星也抢走了一部分7nm EUV订单，不过整体来看台积电在7nm节点上依然是抢占了最多的客户订单，远超三星。   接下来就是5nm工艺了，根据官方数据，相较于7nm(第一代DUV)，基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能够提供1.8倍的逻辑密度、速度增快15%，或者功耗降低30%，同样制程的SRAM也十分优异且面积缩减。 不过初期5nm产能会被苹果、华为包下，苹果吃下了大约70%的第一期5nm产能，AMD的Zen4处理器要等到明年底或者2021年初的中科Fab 18B工厂量产之后才能拿到5nm产能了。 对于3nm工艺，台积电官方表示其进展“令人欣慰”，言下之意对3nm工艺的发展情况很满意。 在3nm工艺之后，台积电也在积极进军2nm节点，这个工艺目前来说还是在技术规划阶段，还是在开发阶段，台积电只表示2nm工艺每天都有新点子问世，不过这也意味着2nm工艺离完成研发还早，现在还是纸上谈兵阶段。 不过台积电的目标是2024年量产2nm工艺，也就是最多还有4年左右的时间。 再往后，台积电就要进入深水区了，迎来晶体管结构大改的3nm工艺，三星会启用GAE环绕栅极晶体管取代目前的FinFET晶体管，台积电预计也会有类似的技术，不过官方并没有透露详细的技术细节。

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  • 2019网络安全规模将超600亿 年增长率超20% 高于国际增速

    众所周知，5G、大数据、云计算、工业互联网、人工智能、区块链等新兴技术在为我国经济社会发展注入强劲动力的同时，也带来了很多风险挑战和不确定因素。 12月9日，工信部网络安全管理局局长赵志国在2019年中国网络安全产业高峰论坛上称，“十三五”以来，我国网络安全产业保持高速增长，2019年产业规模预计超过600亿元，年增长率超过20%，明显高于国际8%的平均增速，保持健康的发展态势。 网络安全产业投融资也更加活跃。工信部披露的数据显示，截至2019年11月底，公开融资方面，国内上市的网络安全企业达到了23家，创新孵化方面，有100多家创投机构在网络安全领域进行投资布局，汇集超过了150家创新创业的企业。 与此同时，网络安全产业的短板也日渐突出。“产业整体规模偏小，2018年产业规模仅占全球6%。”赵志国说，我国安全实力相对较弱，缺乏龙头企业;网络安全的核心元器件、核心设备和基础通用软件等关键核心技术缺乏;我国产业创新的能力不足，产业发展的环境也有待于进一步完善;企业和产品国际市场的认可度还不高，国际竞争力和输出的能力相对较弱。 陈肇雄强调，必须突破关键技术，掌握安全发展主动权。加强网络安全基础性、通用性、前瞻性技术创新研究，努力攻克基础技术，解决网络本质安全问题。打造良好产业生态。培育壮大若干网络安全龙头企业，鼓励带动一批中小企业，推动大中小企业融通发展。推动各行业各领域持续加大网络安全投入，加强供需对接、产融结合，促进网络安全产业更好满足各行业各领域需求。 为加快构建新兴融合领域安全保障体系，工信部会同九部门联合印发《加强工业互联网安全工作的指导意见》，构建协同推进、各司其责的安全工作体系，超前谋划5G、车联网、人工智能等新兴技术领域安全风险应对。 各地政府也正在全面实施网络强国战略，努力构建与信息化发展水平相适应的网络安全产业体系和管理服务体系。比如，北京市将网络安全产业作为全市优先发展的高精尖产业方向，坚持创新驱动，坚持开放合作，积极营造网络安全产业发展良好的生态环境。 工信部副部长陈肇雄在上述论坛上表示，工信部着力培育壮大网络安全产业生态，统筹推进北京、湖南等地建设国家网络安全产业园区，集聚发展效应初步显现，开展网络安全技术应用试点示范、工业互联网创新发展工程，带动投资超160亿元。

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  • 特斯拉对松下电池不再情有独钟 ? 原来是LG

    一直以来，特斯拉与松下合作运营内华达州的锂电池工厂。而各种迹象表明，两家公司的合作出现了一些问题或者分歧。时至今日，内华达州锂电池工厂的产能并未达到计划的水平，而特斯拉CEO马斯克更是在社交网站上表示，因为松下的产能原因，导致Model 3汽车的生产受到影响。 特斯拉对松下电池不再情有独钟。 工业和信息化部不久前发布了最新的《新能源汽车推广应用推荐车型目录》(2019年第11批)，本次推荐目录共囊括了102款纯电动车型、44款插电式混合动力车型。而其中由特斯拉上海工厂生产的国产特斯拉Model 3成为名单中的亮点。该目录显示，国产特斯拉Model 3的型号名为TSL7000，同时应用松下和LG化学的电芯，两种电芯版本产品的NEDC续航里程分别为445km和455km，电池系统能量密度分别为145Wh/kg和153Wh/kg。 对于上述信息，第一财经记者先后向特斯拉与LG化学方面进行求证，双方均对于上述信息表示“没有信息可以对外透露”，但一位要求匿名的韩国动力电池业内人士则对第一财经记者表示，特斯拉上海工厂选用LG化学的电池已经成为“既定事实”，并表示该订单使LG内部下定决心，作出增加中国工厂产能的决定，第一财经记者也从LG化学内部人士处了解到，其在新港第一工厂已经投产的背景下，位于南京滨江开发区的第二工厂(LG化学滨江新能源科技公司)正着手在华招聘工程师、操作工人及技术管理员等核心生产岗位，招聘规模超过百人。 此外，松下电器中国东北亚公司总裁本间哲朗则回应称，特斯拉上海工厂第一批产品松下没有提供电池，不排除今后可能为特斯拉上海工厂供应电池，并表示松下在中国有三座电池厂，其中苏州、无锡工厂是锂电池，大连工厂是专门做电动车的电池，而未来也不排除在中国设电池厂为特斯拉供货。 此前，据外媒报道，特斯拉已与LG化学就供应NCM 811配比的电池达成一致，为此LG化学在其位于中国南京新港开发区的第一工厂将量产特斯拉Model 3的21700圆柱型锂离子动力电池，并向即将投产的特斯拉上海工厂供应，而这也就意味着，特斯拉告别了此前仅采购松下电芯的政策，开始扩大自身的电池采购来源。 事实上，特斯拉方面除了与LG化学“牵手”以外，此前曾被外媒报道与宁德时代洽谈电池的供给事宜，并频繁发起对包括加拿大动力电池企业Hibar Systems在内的动力电池及相关企业的收购，来提高在产业链层面的控制力。 汽车行业分析师张强表示，作为新能源汽车成本占比最大的部分之一，“三电系统”在一辆电动汽车所占的成本能够达到40%~50%，甚至更多，因此降低动力电池的成本，并推出续航里程更高的产品，成为实现国产化特斯拉汽车的必经之路，而NCM 811电池相比此前行业内主流的动力电池，其特点是镍金属的比例达到了80%或更多，而钴的含量则降低至10%左右，这将有效保证在能量密度和成本方面具有巨大优势。 中关村新型电池技术创新联盟秘书长于清教告诉第一财经记者，在目前的动力电池市场，“合与分”正同时呈现，一方面有更多车企与动力电池企业之间紧密捆绑;另一方面，也有许多原有看似牢不可破的“同盟”正发生变化。例如，美国通用汽车在一份文件中披露，将寻求与LG化学共同成立动力电池合资企业，大众、戴姆勒等外资车企也宣布将着手生产动力电池。 “这有利于整车厂能够控制成本，并在与电池企业的洽谈过程中，提高其议价能力，加强整车厂在产业链上的发言权。而另一方面，目前动力电池产能有限，这尚不能满足动力电池企业将有效降低电池的购买成本。”于清教表示。 与此同时，根据国家补贴政策，国产版Model 3将享受2.475万元的补贴，这也就意味着定价为35.58万元起的国产Model 3的价格将下降至33万元左右，而此前有媒体曾报道称，一位特斯拉车主拜访特斯拉中国工厂，拍下一组照片，照片中拖车正在将中国造Model 3汽车拖出工厂。这也就意味着，距离特斯拉国产版本的正式推出更进一步。

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  • “机遇”和“合作” ! 骁龙芯片三连发背后中国手机厂商的算盘

    自2007年首款高通骁龙处理器问世，在随后的12年里，高通在移动芯片领域已经占据了统治级地位。从最初的S系列产品，到2013年升级为800、600、400、200四大系列，高通不断迭代的骁龙处理器，是智能手机发展过程中最重要的推动者之一。 据高通预测，到2022年，全球5G智能手机累计出货量将超过14亿部。这是一个巨大的增量市场，也是所有手机厂商不容错过的机会。高通发布的新一代骁龙产品，为垂涎5G已久的中国厂商提供了“弹药”，紧接着的12月份，就有多家厂商的5G新品发布会在等待着召开。 “现在是一个非常特别的时间点，因为我们已经进入到5G重要的过渡期，即规模化的阶段。”美国时间12月3日，高通总裁安蒙(Cristiano Amon)在2019高通骁龙技术峰会上表示。 让安蒙深有感触的是，在同样的场合，一年前大家还在展望5G的未来，但今天，5G已经触手可及。这种惊人的发展速度，是此前的3G、4G时代从未达到的，面对超乎想象的“5G速度”，整个产业链也需要不断提速来应对，而高通，在其中扮演着至关重要的角色。 值得注意的是，这三款新品都是为5G而生，安蒙表示，“它们将助力5G在2020年的规模化进程。”在峰会现场也能感受到，高通讲述的所有内容也都紧紧围绕着5G展开。 然而，也因为5G，使外界对高通此次发布的芯片新品产生了一些争议，争议的焦点在于骁龙865采用的是外挂骁龙X55 5G基带的设计，没有进行集成。 通常来说，集成芯片相较外挂基带的模式在功耗、散热、空间面积等方面有一定优势，后者则在制造难度和成本上更具优势。 在制造工艺的问题上，循序渐进本无可厚非，而这次产生争议的根本原因，在于华为发布的麒麟990、联发科发布的天玑1000两款5G芯片均采用了集成设计。 高通的选择 针对骁龙865为什么不集成的问题，安蒙在12月4日接受21世纪经济报道记者等媒体采访时表示，高通绝不会为了做一颗SoC而牺牲掉应用处理器(AP)或者调制调解器的性能，“对比其他厂商的5G解决方案，它们与骁龙865+X55组合相比，性能水平都不在一个级别上。” 安蒙说，“我们深知，赋能全新的5G服务，需要最佳性能的调制解调器和AP，如果仅为了推出5G SoC却不得不降低两者或其中之一的性能，以至于无法充分实现5G的潜能，这是得不偿失的。” 高通高级副总裁兼移动业务总经理阿力克斯·卡图赞(Alex Katouzian)在谈及这个话题时，更是毫不避讳的点名评论了竞品。他向21世纪经济报道记者表示，“麒麟990在AP侧性能不及骁龙865，在调制解调器侧，麒麟990仅支持6GHz以下频段和100MHz带宽，所以虽然麒麟990是集成芯片，但是它在AP和调制解调器两方面的性能和功能都打了折扣。” “而联发科天玑1000虽然能够在6GHz以下频段支持200MHz带宽，但是同样不支持毫米波;在AP侧，它的性能也不及骁龙865，所以天玑1000也不是顶级的解决方案。”卡图赞说道。 透过高通两位高管的回答可以看出，骁龙865此次采用的外挂式基带方案并非高通的唯一选择，而是在综合对比了集成式与分离式的两种方案后，做出了他们认为最优的选择。 据介绍，骁龙865可支持高达7.5 Gbp的峰值速率，AI性能是前代平台的2倍，每秒可进行15万亿次运算，ISP处理速度达每秒20亿像素，可捕捉2亿像素的照片。 除此之外，在高通看来，骁龙865的分离式基带设计，除了可以避免在AP和基带性能之间做取舍外，它对OEM厂商缩短旗舰机的设计周期也大有裨益。 高通产品管理高级副总裁Keith Kressin告诉21世纪经济报道记者，OEM厂商此前已经在旗舰机上采用了骁龙X50，他们也更希望使用骁龙X55的分离式解决方案，这种分离式设计让他们可以直接加入骁龙865处理器即可。 “所以在产品设计上，我们也是听取了OEM厂商的意见。因此，无论是对终端用户还是OEM厂商，采用分离式基带都不会给他们带来任何劣势或不便。”Keith Kressin说。 OEM厂商躁动 或许是为了证明自己的集成能力，这届技术峰会也是高通首次同时发布骁龙8系和骁龙7系产品。而且与骁龙865的外挂基带设计不同，骁龙765/765G采用的是集成式设计，集成了骁龙X52 5G基带。 Keith Kressin向记者表示，“正是因为缩短了骁龙865的开发时间，才得以在这个过程中能够同时打造出采用集成方案的骁龙765/765G。这是两款完全不同的芯片产品，产品的价位不一样，代工厂也不一样。” 面对2020年的5G手机市场，高通给出的是一个组合产品策略，对于那些追求极致性能的旗舰产品，可能会选择骁龙865，而那些更希望强调性价比的产品，则会选择骁龙765/765G。 值得注意的是，骁龙865是一款纯AP产品，所以它也不存在和基带产品性能重复和浪费的情况。不仅如此，高通并没有计划为骁龙865搭配除骁龙X55以外的其他基带。 根据高通公布的产品信息，无论是骁龙865还是骁龙765/765G，都可支持全球所有关键地区和主要频段，包括5G毫米波和6 GHz以下频段、5G独立(SA)和非独立(NSA)组网模式，以及TDD、FDD和动态频谱共享(DSS)。 这也意味着，OEM厂商如果要使用骁龙865以及骁龙765/765G，推出的一定是5G产品。而据高通透露，小米、OPPO、黑鲨、酷派、iQOO、联想、魅族、努比亚红魔、一加、Realme、坚果手机、TCL、vivo、闻泰、中兴和8848等中国厂商均计划在其2020年及未来发布的5G手机中采用新发布的骁龙处理器。 如果说2019年推出的5G手机都是在试水市场，那2020年，5G手机的竞争大幕将正式拉开。 在骁龙技术峰会现场，小米、OPPO、摩托罗拉等OEM厂商代表也为高通进行了站台。小米集团联合创始人、副董事长林斌表示，小米将于明年第一季度推出5G年度旗舰小米10，成为首批发布搭载骁龙865的手机厂商之一。 过去两年，智能手机市场整体销量下滑的势头明显，所有厂商都寄希望于5G带来的换机潮能给不断下行的市场注入活力。根据小米日前发布的2019年三季度财报，其智能手机的销量和营收均出现了下滑。 对此，小米集团高级副总裁周受资当时向21世纪经济报道记者表示，出现“双降”的情况，是因为小米在报告期内选择了稳健的发展策略。其认为，目前，正处于4G、5G的切换期，很多消费者也在等待5G手机的到来，而明年，小米将推出10款以上的5G手机。 安蒙告诉记者，过去在全球众多市场中，人们换机的频率是平均每4年更换一部，所以在此前的预测中，高通也认为整个手机市场会按照这个节奏平稳过渡至5G。 “但事实上，5G推进速度相当之快，多家运营商都推出无限量数据套餐，终端产品在外形上也不断推陈出新，所以我们现在觉得市场的换机周期可能会加快，恢复到当年市场曾经有过的两年换一次新机的频率，这也意味着整个终端市场会呈现二倍速的增长。”安蒙表示。 据高通预测，到2022年，全球5G智能手机累计出货量将超过14亿部。这是一个巨大的增量市场，也是所有手机厂商不容错过的机会。 在骁龙新一代处理器发布没多久，小米集团副总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰也在微博宣布即将发布的Redmi K30系列将首发骁龙765G。在三季度财报电话会议上，小米高管对Redmi K30寄予众望，并表示该产品将是5G手机大众化的关键时刻。 对于即将到来的2020年，移动通信领域已经弥漫着一股躁动的气息。高通中国区董事长孟樸在接受21世纪经济报道的采访时表示，2020年的5G发展可以用三个关键词概括，即“扩展”、“机遇”和“合作”。 其中，扩展包括多个维度，如5G将普及到主流层级、运营商将从非独立组网(NSA)的部署扩展独立组网(SA)的部署，以及5G将超越手机本身，为更多终端类型、更多行业带来影响。 而“机遇”，则是5G将作为一个通用技术平台，会像水、电等一样无处不在，给全球带来很多机会。根据IHS《5G经济》报告最新数据显示，到2035年，5G将创造13.2万亿美元的经济产出，创造2230万个工作岗位。 “面向2020年，中国厂商在全球的机会会越来越多。比如在目前40多个运营商商用的5G网络里，基本上大部分的运营商终端首发序列里都有来自中国厂商的5G终端，这就是5G给中国产业带来的机会。” 孟樸说。 至于合作，孟樸表示，高通不做终端产品，只做技术和芯片等产品，所以没有合作伙伴的成功就不会有高通的成功。因此，高通在5G时代的发展也无法独自前行，而是需要上述这些厂商来共同推动。 过去三年，高通于每年年底召开的骁龙技术峰会已经成为智能手机行业的风向标，因为在该会议上，高通会发布新一代骁龙处理器，而这将直接决定大多数手机厂商未来一年新旗舰机的性能上限。 今年也不例外，高通在2019骁龙技术峰会上发布了8系列以及7系列最新的三款产品，分别是骁龙865、骁龙765以及骁龙765G。

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  • Soitec发布2020上半财年报告，同比增长30%，达成全财年预期

      作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于11月27日公布了2020上半财年业绩(截止至2019年9月30日)。 • 2020上半财年销售额为2.585亿欧元，按固定汇率和边界1计增长30% • 当期营业收入增长23%，达到5,130万欧元 • 电子产品业务税息折旧及摊销前2(EBITDA)利润率3增长约30.2%，与全财年预测一致 • 净利润增长28%至4,150万欧元 • 电子产品业务营业现金净流量达3,620万欧元 • 2020上半财年资本支出达5,120万欧元 • 2020上半财年业绩达成全财年财测预期：按固定汇率和边界1计销售额预期增长约30%，电子产品业务税息折旧及摊销前2(EBITDA)利润率3预期增长约30%。 Soitec首席执行官Paul Boudre评论道：“2020上半财年，在电子产品业务税息折旧及摊销前2(EBITDA)利润率3维持在30%的同时，我们的销售收入实现了达30%的有机增长，这尤其得益于Soitec的射频产品系列。凭借当前良好的业绩，我们非常有望实现全财年财测的目标，维持稳定的经营现金流以及良好的财务状况。” Paul Boudre继续补充道：“在过去的六个月中，我们不断加强与半导体产业内核心成员的合作，并发展稳健的工业与商业渠道，以加速Soitec创新技术的应用，从而进一步巩固行业地位。近期，我们与应用材料公司启动联合研发项目，致力于开发下一代碳化硅衬底，这正是我们蓬勃发展的有力证明。本次合作项目正如收购氮化镓外延硅片材料供应商EpiGaN，以及增加压电衬底(POI)的产能一样，表达了Soitec将优化衬底产品系列扩展到硅基材料之外的雄心，并带来开发高附加值产品的机会。” 强劲收入增长及高盈利能力，业绩符合全财年财测预期 2020上半财年合并销售额达2.585亿欧元，较2019财年同期增长38.3%，按固定汇率和边界1计增长30.1%。这主要得益于射频应用的强劲增长、汇率增值带来4.9%的积极影响，以及+3.3%的范围效应，此范围效应得益于2018年8月收购Dolphin Integration部分资产，并在较小程度上受益于2019年5月收购EpiGaN。 销售额与营业收入 200-mm晶圆销售额 200-mm晶圆销售额达1.214亿欧元(占晶圆总销售额的49%)。按固定汇率与边界1计，实现了15%的稳步增长。此项增长尤其得益于Soitec位于中国上海的合作伙伴新傲科技(Simgui)。 300-mm晶圆销售额 300-mm晶圆销售额达1.253亿欧元(占比晶圆总销量51%)，按固定汇率与边界1计增长50%。此项大幅增长得益于Soitec 300-mm晶圆产能的提高。 特许权使用费及其他营业收入 2020上半财年的特许权使用费及其他营业收入总额由2019财年同期430万欧元增长至1,170万欧元。此项增长包含Frec|n|sys、Dolphin Design及EpiGaN产生的880万欧元销售额。 毛利润从2019上半财年的6,610万欧元(占收入的35.4%)增长至2020上半财年的8,740万欧元(占收入的33.8%)。 2020年上半财年的当前营业收入增长23%至5,130万欧元，占销售额的19.9%;与之相比，该项比例在2019上半财年为22.2%。Dolphin Design及EpiGaN的整合对研发总费用以及销售总务管理支出(SG&A)均产生影响。净研发费用由2019上半财年的830万欧元增长至2020上半财年的1,600万欧元。 增长引擎持续发力 由于当前最先进的4G以及首代5G智能手机需要更多的射频应用及更先进的技术，市场对用于射频器件(天线开关、调谐器、LNA-低噪声放大器)的RF-SOI(200-mm及300-mm)有着不断增长的强劲需求。因而，集团的相关业务也将得到持续的推动和发展。同时，上半财年也见证了“第一波”FD-SOI产品在各类物联网、边缘人工智能、连接以及汽车领域的应用。对于其它SOI产品，如Photonics-SOI和Power-SOI，也将继续迎接市场持续稳定的需求。 2020财年展望 Soitec预计按固定汇率和边界1计，2020财年将实现30%的销售额增长。同时，以1.13欧元/美元汇率计，其电子产品业务EBITDA2利润率3可达到约30%(EBITDA对欧元/美元汇率10%波动的影响，价值约为2,300万欧元)。

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