在此次大会上选举产生了中国存储器产业联盟正、副理事长和秘书长,紫光集团联席总裁、长江存储董事刁石京当选理事长,北京大学蔡一茂等18人当选副理事长,长江存储副董事长杨道虹当选秘书长。
据中国台湾地区媒体报道,环球晶、台胜科和合晶等半导体硅晶圆厂透露,中国大陆的晶圆厂近期释出的硅晶圆需求是以往的三倍;除存储器厂产业稳健外,加上车载和物联网应用提升,明年半导体用硅晶圆仍供不应求,预期明年首季合约价仍将上涨。
存储器大厂华邦电29日召开法说会,总经理詹东义表示,未来将深耕编码型储存快闪存储器 (Code Storage Flash),推出高品质、高速的 SLC Serial NAND Flash,速度可与 NOR Flash 媲美,“我不觉得别人做得出来”,未来除抢攻车用领域外,包括智慧音箱等需求,均将成为推升华邦电在该领域市占率的机会。
近日,中国存储器产业联盟成立大会暨第一次会员大会在武汉举办。工业和信息化部副部长罗文出席大会并致辞,宣布中国存储器产业联盟正式成立。湖北省副省长曹广晶出席大会并致辞,与罗文共同为联盟揭牌。
我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,然后取下单片机,单片机就可以执行这条指令,那么这条指令一定保存在单片机的某个地方,并且这个地方在单片机掉电后依然可以保持这条指令不会丢失,这是个什么地方呢?
就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入EUV技术之后,存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1Y纳米制程的DRAM存储器芯片生产上,也在研究导入EUV技术。而除了三星之外,韩国另一家存储器大厂SK海力士(Hynix)也传出消息,正在研发EUV技术来生产DRAM存储器,未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。
球闸阵列封装基板 ( BGA )大厂神钢电气工业( Shinko Electric )26日于日股盘后发布新闻稿宣布,为了因应存储器小型、薄型化需求,将量产采用最先端MSAP(Modified Semi Additive Process)工艺的次世代塑胶球闸阵列(PBGA)基板,将投资16亿日元在新井工厂内兴建次世代PBGA基板产线,且预计于2019年度下半年(2019年4-9月期间)启用生产。
2018年,恰逢中国改革开放40年。 40年前,64Kb动态随机存储器(DRAM)诞生,宣告超大规模集成电路时代来临,中国科学院半导体研究所开始研制4Kb DRAM,在次年投入生产;40年后,今年第四季度,紫光集团旗下长江存储研发的64Gb 32层三维闪存芯片(3D NAND Flash)将实现量产,8月份刚刚推出的Xtacking技术更是给闪存芯片结构带来了历史性突破,为全球闪存产业的发展留下了中国企业浓墨重彩的一笔。