存储器

力成布局先进封装 技术涵盖2025年市场需求

存储器封测厂力成24日召开法说会，董事长蔡笃恭表示，力成近年积极布局发展先进封装，现有技术已足以涵盖至2025年市场需求，目前已取得竹科5000坪土地，预计本季破土兴建新厂，以迎接预期2020年浮现的营运新成长动能。

一种抗SEU存储器电路的FPGA设计

51单片机学习笔记:连续读写STC89C52RC内部EEPROM存储器

STC单片机的内部EEPROM是用DATAFLASH模拟出来的,不是真正的EEPROM存储器,不能用普通的方法来操作下面是一些注意点:1.字节写之前要先将这个字节所在扇区的其它有效数据读取到RAM暂存(这步不是必须的)2.暂存完之后再对

速度猛升50% 三星宣布量产首批 8GB LPDDR5 存储器

量产的 8Gb LPDDR5 颗粒速率达到了 6,400Mbps(6.4Gbps)，相比目前最快的 LPDDR4X-4266 存储器快了 50%，频宽可达 512GB/s。三星目前预计供应两种速率的 LPDDR5 存储器，一种是速率 6,400Mbps 的，电压 1.1V。另一种是电压 1.05V 的，速率 5 500Mbps，更加节能。

STM32驱动W25X64存储器

W25X64 是华邦公司推出的大容量SPI FLASH 产品，W25X64 的容量为 64Mbit(8M)，该系列还有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分别有8192,16384,32768个可编程页,每页256字节,用扇区擦除指令每次可以擦除16页,用块

三星正式量产第5代V-NAND快闪存储器

据悉，第5代V-NAND快闪存储器除了采用全新Toggle DDR 4.0传输界面提升速率之外，也进一步强化性能和功耗，其工作电压从1.8V降至1.2V，写入速度也高达500us，比上一代V-NAND快闪存储器提升了30%，而读取速率的回应时间也缩短到50us。

三星宣布量产第5代V-NAND 全力抢占90层TLC市场　

三星(Samsung)近日宣布正式量产第5代V-NAND快闪存储器，第5代V-NAND 堆栈层数超过90层，且为首度支援Toggle DDR 4.0传输界面的NAND快闪存储器，其单颗封装的传输速度即可达1.4Gbps，相较于前一代64层的产品，传输速度提高了40%，并可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

第五节：PIC系列单片机数据存储器

PIC16C5X把数据存储器RAM都当作寄存器来使用以使寻址简单明洁，它们功能上可分为操作寄存器、I/O寄存器、通用寄存器和特殊功用寄存器。它们的组织结构如图1.4所示：这些寄存器用代号F0～F79来表示。F0～

工信部部长：95%的高端专用芯片 70%以上存储芯片依赖进口

中国工业和信息化部副部长、国家制造强国建设领导小组办公室主任辛国斌13日在“2018国家制造强国建设专家论坛”上表示，一段时期以来，国内外评价中国制造业发展成就，往往扬长避短，片面夸大成绩。中国制造业创新力不强，核心技术短缺的局面尚未根本改变。

单片机存储器类型分析

data-----指单片机内部自带RAM空间xdata----指单片机外扩RAM空间pdata----指单片机外扩RAM空间中的页面空间0x00~0xff（256字节/页），页地址由P2口决定。bit--------指RAM中位寻址空间0x20~0x7f地址单元。code-----指

铁电存储器在应用中所起的作用

8051单片机存储器的组织结构是怎样的？

8051存储器包括程序存储器和数据存储器，从逻辑结构上看，可以分为三个不同的空间：（1）64KB的程序存储器地址空间：0000H~FFFFH，其中0000H~0FFFH为片内4KB的ROM地址空间，1000H~FFFFH为外部ROM地址空间；（2）256B

利用永久性存储器实现智能汽车功能的全面调用

捍卫存储器高毛利 SK海力士转战HBM

存储器业经历大多头的牛市之后，是否即将回档，各方争辩不休。韩厂SK海力士加快脚步增产高频宽存储器(HBM)，期盼能以技术拉开和对手的差距，维持高毛利。BusinessKorea 6日报导，中国大力发展半导体，各界忧虑存储器未来将陷入供给过盛。SK海力士未雨绸缪，转向发展HBM，此种芯片可用于人工智能(AI)加速器和服务器，进入门槛较高、价格也高于一般通用型芯片。

台积电慌了！三星携手ARM优化7纳米及5纳米制程芯片

虽然2018年包括台积电、三星、格罗方德都要导入7纳米制程技术。其中，三星为了追赶台积电，还在首代的7纳米(LPP)制程中导入EUV技术。不过，台积电也非省油的灯，除了积极布局7纳米制程技术之外，2018年初也已经宣布在南科启动5纳米建厂计划，正式投入5纳米制程的研发。因此，三星为了能缩减与台积电的差距，5日正式宣布携手知识产权大厂安谋(ARM)，双方协议将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片。

斥资80亿！华天科技拟在南京开发区投建集成电路先进封测产业基地

华天科技7月6日晚间发布公告，公司拟在南京浦口经济开发区投资建设南京集成电路先进封测产业基地项目。公司与南京浦口经济开发区管理委员会于2018年7月6日签订南京集成电路先进封测产业基地项目《投资协议》。项目总投资80亿元，分三期建设，主要进行存储器、MEMS、人工智能等集成电路产品的封装测试。

MCS-51单片数据存储器RAM的扩展应用实例

RAM是用来存放各种数据的，MCS-51系列8位单片机内部有128 B RAM存储器，CPU对内部RAM具有丰富的操作指令。但是，当单片机用于实时数据采集或处理大批量数据时，仅靠片内提供的RAM是远远不够的。此时，

基于AT89S51的程序存储器的操作时序

　　1．访问程序存储器的控制信号　　　　AT89S51单片机访问片外扩展的程序存储器时，所用的控制信号有以下3种。　　　　(1) ALE——用于低8位地址锁存控制。　　　　(2) PSEN（的反）——片外程序存储

MCU--51单片机CPU和存储器

单片机8051的CPU由运算器和控制器组成。 一、运算器 运算器以完成二进制的算术/逻辑运算部件ALU为核心，再加上暂存器TMP、累加器ACC、寄存器B、程序状态标志寄存器PSW及布尔处理器。累加器ACC是一个

存储器功能的数字温度计－DS1624技术应用与原理分析

1．DS1624基本原理　　 DS1624是美国DALLAS公司生产的集成了测量系统和存储器于一体的芯片。数字接口电路简单，与I2C总线兼容，且可以使用一片控制器控制多达8片的DS1624。其数字温度输出达13位，精度为