存储器
-
关于S3C2410的存储器
s3c2410的存储控制器的的主要特性如下:1.可通过软件设置大端/小端模式.2.分为8个bank,每个bank为128M,总共为1G.3.每个bank的数据宽度都可以设为8/16/32bit方式(bank0除外,因为bank0要用作系统引导)4.bank0-5支持ROM
-
流水线技术在编程器中的提速应用
烧录器的功能，主要对非易失性的存储器进行操作（MCU内部Flash也都是各类非易失性的存储器）。这些存储器通常都需要擦除、编程和校验。这些基本操作和一些控制设置操作，是烧录的主要内容。
-
2018年全球半导体预估市场规模将成长10.1%
资策会产业情报研究所(MIC)表示，观测全球资讯系统与半导体产业趋势，全球资讯系统市场长期停滞，然2018年受惠于商用换机需求，全球电脑市场持平;展望2019年，在商用换机需求趋缓与贸易保护政策等影响下，全球电脑系统市场微幅衰退;服务器市场则受惠于AI新兴应用带动的数据储存与运算需求而呈现增长，然因缺乏平台换机题材，年增率将略减低。
-
紫光面向全球发布紫光存储全线产品
近日，紫光存储携8个系列的存储产品向全球闪存界展示了一个全新的存储公司及产品。
-
重振旗鼓！雷克沙低调恢复全线闪存产品
去年6月底，美光抛弃了雷克沙(Lexar)，随后品牌宣告破产，而中国的公司收购了，不少玩家也都希望这个有22年历史的(最初成立于1996年)品牌能够重新站起来。
-
Hitachi Vantara如何选择自己未来之路呢?
全球企业级存储市场上排名前16强，其中有一半的厂商专业做存储，心无旁骛。专业自然会更专心，专心致志往往意味着自己向前的路将变得狭窄了起来。
-
台积电建新厂 应对市场强劲需求
晶圆代工龙头台积电14日召开季度例行董事会，会中决议核准约新台币1,364亿元(约合人民币305亿元)资本预算，用来兴建厂房及建置新产能，以因应市场强劲需求，并将对子公司TSMC Global Ltd.增资20亿美元来降低外汇避险成本。此外，台积公告聘任史丹佛大学电机工程系终身职教授黄汉森为技术研究组织主管，也为近期业界传出的“台积电9月将有新人事异动”增添想象。
-
IHS：2018年OEM电子设计驱动的半导体支出将达3168亿美元
据市场调研机构IHS Markit预计，全球半导体支出可服务市场(Served Available Market，SAM)今年将达到3168亿美元，这是一个新的纪录，将打破去年达成的新高点。
-
存储器模组厂半年报陆续出炉 他们是怎样营收情况呢？
存储器模组厂半年报陆续出炉，每股纯益以专注工控领域的宜鼎的6.61元(新台币，下同)暂居冠军。品牌厂中，十铨上半年每股纯益2.02元，表现亮眼;宇瞻也达1.95元，获利稳健。
-
看台系存储器模组厂的经营现状
存储器模组厂首季受到各类存储器芯片报价仍处于高档，导致成本垫高，应用端除了工控领域和笔电用固态硬盘(SSD)渗透率拉升，加上电竞市场持续成长等有利因素，因各家营运策略不同，营运表现也不同调。
-
2019年内存芯片产业总价值预计将达1016亿美元 占全年整个IC行业的多达24%
这两年DRAM内存、NAND闪存行业的疯狂激荡大家都看在眼里。内存尤其夸张，价格持续飙升。闪存方面倒是基本稳定了，但市场需求持续异常旺盛。两大行业空前火热，从业者自然也是赚得盆满钵满。根据市调机构IC Insight的最新报告，2018年全球前DRAM内存芯片产业总价值预计将达1016亿美元，年增幅高达39%，继续稳居第一，占全年整个IC行业的多达24%。
-
内存是块肥田！2018年全球DRAM销售额有望突破1000亿美元大关
报告称，今年全球半导体销售总额将达4280亿美元，其中DRAM所占比重将达24%，若加上NAND闪存的市场份额，两大存储器在半导体市场上占比将高达38%。
-
三星紧跟市场 正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD
近期以来，在快闪存储器(Nand Flash)市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔(Intel)、美光(Micron)、西数(WD)、东芝(Toshiba)等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。
-
联电和美商合作范畴扩展至28纳米以下的制程技术
联电6日与下一代ST-MRAM(自旋转移力矩磁阻RAM)领导者美商Avalanche共同宣布，两家公司成为合作伙伴，共同开发和生产取代嵌入式存储器的磁阻式随机存取存储器(MRAM)。同时联电也将透过Avalanche的授权提供技术给其他公司。
-
国家存储器飞速发展
据悉，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。
-
MCS-51单片机存储器的组成
1、 程序存储器片内程序存储器片外程序存储器2、 数据存储器片内RAM 128B片外RAM max64KB3、 特殊功能寄存器（SFR）4、 位存储器
-
武汉光谷创新之路：自主32层3D NAND即将量产
武汉是长江的水运中枢，如何共抓大保护，不搞大开发，改变旧有发展模式，将生态理念完整内嵌到高质量发展的经济逻辑中?武汉光谷正在尝试一条以绿色、创新发展为引领的路子。
-
我国自主研发的32层三维NAND闪存芯片将于今年四季度实现量产
在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地)，紫光集团联席总裁刁石京透露，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产。
-
东芝存储器株式会社首个半导体制造工厂开工 主要生产3D快闪存储器
存储器解决方案的全球领导者东芝存储器株式会社(Toshiba Memory Corporation)昨日在日本东北部的岩手县北上市举行首个半导体制造工厂(晶圆厂)K1的奠基典礼。该工厂将于2019年秋季竣工，届时将成为全球最先进的制造工厂之一，专门从事3D快闪存储器的生产。
-
降功效，提速度，三维垂直型存储器设计领域取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组针对三维垂直型存储器，从理论上总结了芯片速度受限的原因和偏置方法的相关影响，提出了新型的偏置方法和核心电路，相关成果以研究长文的形式发表在2018年7月的国际超大规模集成电路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, pp. 1268-1276]上。审稿人认为，该论文首次将动态仿真应用于三维垂直型存储器。
hokwah111
p_y_h
BearRed
dudu0905@163
xjycug
liw323
hyseyic
982235648
深蓝1988
yuxiyub
doudou666
kwkam
lvlv99
xsw220
davyean
onlydxk
ttttxxxx
e_town
13526569668
13526569668
