存储器
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东芝日本厂跳电受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的
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东芝日本厂跳电 受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次
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基于XPM存储器RFID高频接口设计
1.引言 RFID(射频识别)技术是从上世纪80 年代走向成熟的一项自动识别技术，近年来发展十分迅速。其技术的覆盖范围广泛，许多正在应用中的自动识别技术都可以归于RFID 技术之内，但它们的工作原理、工作频率、
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IC设计业做强内功是关键
“未来5年，IC设计业面临的问题依然是做大做强。而做强必然是大到一定程度上才能实现的。做大是外延的扩张，做强是内涵的增长。如今产业链的合作模式正向虚拟一体化模式演进，代工厂也在通过一些资本的力量，基
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IC设计业未来要强练内功
“未来5年，IC设计业面临的问题依然是做大做强。而做强必然是大到一定程度上才能实现的。做大是外延的扩张，做强是内涵的增长。如今产业链的合作模式正向虚拟一体化模式演进，代工厂也在通过一些资本的力量，基
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支持新型NV存储器工艺，爱发科开发出PVD/CVD/ALD成膜装置
日本爱发科（ULVAC）开发出了多室型成膜装置“ENTRONTM-EX2 W300”。该装置将在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出，并从2010年11月开始受理订单，从2011年4月开始销售。ENTRONTM-EX2 W300以该公司溅射装
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抗SEU存储器的设计的FPGA实现
O 引言 随着我国航空航天事业的迅猛发展，卫星的应用越来越广泛。然而，太空环境复杂多变，其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子，它们对运行于其中的电子器件会产生各种辐射效应。辐射效应对电子器件的影响
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抗SEU存储器的设计的FPGA实现
抗SEU存储器的设计的FPGA实现
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MaxArias无线存储器套件（Ramtron和奥地利微电子）
Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 和奥地利微电子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于评测第三代数据丰富自动识别应用的MaxArias无线存储器套件。Ramtron的MaxArias无线存储器评测套件在德国慕尼
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供过于求持续11月上旬DRAM合约价续跌逾7%
11月上旬DRAM合约价再跌超过7%，虽然跌幅较10月大幅缩减，但仍挡不住DRAM市场严重供不于求的事实，虽然DRAM厂这次再度发动减产策略，但仍抵挡不住这波DRAM价格崩盘潮，主要是转换制程所产出的新产能太多，加上目前终
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基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器
O 引言 随着航空航天航海等技术的发展，无论是星载还是舰载方面的技术要求，都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作，并且易于保存的大容量视频记录设备，以满足数据管理系统方面的要求
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基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器
基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器
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相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
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尔必达赴台发展 对本地厂家构成威胁
上周坂本幸雄来台与“经济部”工业局开会，尔必达来台发行TDR一案正式闯关获准，速度之快让业界相当诧异。事实上，尔必达与“经济部”针对来台发行TDR一事，已讨论相当长时间，由于尔必达股价和财务状况并不符合条件
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尔必达赴台融资 引发DRAM台商恐慌
尔必达(Elpida)申请来台发行存托凭证(TDR)获得“经济部”工业局核准，尔必达社长坂本幸雄亲自来台，并与“经济部”达成共识，引发台DRAM厂高度关注。尽管证交所与金管会招商成功，尔必达风光成为
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全球半导体排名预估代工存储器亮丽
按ICInsight的全球IC前20位排名预估，除了Sony一家之外所有的公司都实现两位数以上的增长。今年处于第4及第5的台积电与德仪两家可能仅只有5000万美元的差值。按ICInsight的看法未来预计第4的地位尚有变数。在前20排名
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视频压缩系统中大容量存储器的应用设计
针对视频压缩系统中要求存储器容量大、可靠性高、使用环境苛刻等特点，给出了基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器的应用设计方法。该方法可以很好地满足工业控制或军事领域等恶劣环境下的使用要求。
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新一代1.1Gb低功耗高速存储器件（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社推出用于网络设备的1.1Gb存储器件，面向新一代以太网标准（100GbE及以上）的交换机和路由器。新型网络存储器件在单个芯片内实现了低功耗、大容量和高速度等特性。与瑞萨电子现有的288Mb低延迟DRAM器
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DRAM上游厂惨淡模块厂难置身事外
随著DRAM和NANDFlash市场价格持续崩跌，不仅上游DRAM厂营收纷呈现大幅衰退情况，下游存储器模块厂亦受到牵累，10月营收亦持续下滑，其中，威刚10月营收较9月减少达17.1%。威刚表示，预期11月营收将因为产业景气进入淡
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视频压缩系统中大容量存储器的应用设计
针对视频压缩系统中要求存储器容量大、可靠性高、使用环境苛刻等特点，给出了基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器的应用设计方法。该方法可以很好地满足工业控制或军事领域等恶劣环境下的使用要求。
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