存储器
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IBM赛道存储器研制进入冲刺阶段
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于，它不会取代原子，能让硬盘上壁垒式的磁畴(walled domains)在1与0之间切换，又没有最终会让快闪位元单元耗损的疲乏机制(fatigue mechanisms)。目前的固态非挥发性存储器如快闪存
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Penn预测2011年半导体市场增长6％
FutureHorizons的创始人及分析师MalcolmPenn认为全球半导体业受2009年的金融危机的影响，到2010年耀眼的超过30％的增长，所以进入2011年将回归到正常年景，增长6％。Penn在演讲会上说，明年产业将回顾到正常增长，据
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研发出
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台湾插足快闪存储器产业
全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研
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3D IC技术领风潮 逻辑IC、存储器模块应用成主流
随著可携式装置功能益趋复杂多元，同时体积要求轻薄、资料传输快速等要求，芯片线路设计也走向高阶的3DIC，全球相关厂商间的3DIC策略联盟亦纷纷成立。根据估计，3DIC在手机应用的产值将会在2015年增加到新台币1,100亿
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东芝日本厂跳电受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的
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东芝日本厂跳电 受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次
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基于XPM存储器RFID高频接口设计
1.引言 RFID(射频识别)技术是从上世纪80 年代走向成熟的一项自动识别技术，近年来发展十分迅速。其技术的覆盖范围广泛，许多正在应用中的自动识别技术都可以归于RFID 技术之内，但它们的工作原理、工作频率、
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IC设计业做强内功是关键
“未来5年，IC设计业面临的问题依然是做大做强。而做强必然是大到一定程度上才能实现的。做大是外延的扩张，做强是内涵的增长。如今产业链的合作模式正向虚拟一体化模式演进，代工厂也在通过一些资本的力量，基
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IC设计业未来要强练内功
“未来5年，IC设计业面临的问题依然是做大做强。而做强必然是大到一定程度上才能实现的。做大是外延的扩张，做强是内涵的增长。如今产业链的合作模式正向虚拟一体化模式演进，代工厂也在通过一些资本的力量，基
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支持新型NV存储器工艺，爱发科开发出PVD/CVD/ALD成膜装置
日本爱发科（ULVAC）开发出了多室型成膜装置“ENTRONTM-EX2 W300”。该装置将在2010年12月举行的“SEMICON Japan 2010”上展出，并从2010年11月开始受理订单，从2011年4月开始销售。ENTRONTM-EX2 W300以该公司溅射装
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抗SEU存储器的设计的FPGA实现
O 引言 随着我国航空航天事业的迅猛发展，卫星的应用越来越广泛。然而，太空环境复杂多变，其中存在着各种宇宙射线与高能带电粒子，它们对运行于其中的电子器件会产生各种辐射效应。辐射效应对电子器件的影响
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抗SEU存储器的设计的FPGA实现
抗SEU存储器的设计的FPGA实现
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MaxArias无线存储器套件（Ramtron和奥地利微电子）
Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 和奥地利微电子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于评测第三代数据丰富自动识别应用的MaxArias无线存储器套件。Ramtron的MaxArias无线存储器评测套件在德国慕尼
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供过于求持续11月上旬DRAM合约价续跌逾7%
11月上旬DRAM合约价再跌超过7%，虽然跌幅较10月大幅缩减，但仍挡不住DRAM市场严重供不于求的事实，虽然DRAM厂这次再度发动减产策略，但仍抵挡不住这波DRAM价格崩盘潮，主要是转换制程所产出的新产能太多，加上目前终
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基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器
O 引言 随着航空航天航海等技术的发展，无论是星载还是舰载方面的技术要求，都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作，并且易于保存的大容量视频记录设备，以满足数据管理系统方面的要求
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基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器
基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器
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相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
相变存储器(PCM)与存储器技术的比较
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尔必达赴台发展 对本地厂家构成威胁
上周坂本幸雄来台与“经济部”工业局开会，尔必达来台发行TDR一案正式闯关获准，速度之快让业界相当诧异。事实上，尔必达与“经济部”针对来台发行TDR一事，已讨论相当长时间，由于尔必达股价和财务状况并不符合条件
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