存储器
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三星权五铉：DRAM价于第1季触底回升
三星电子(SamsungElectronics)半导体事业部社长权五铉，出席2011年IT产业新年见面会时曾表示，DRAM价格可能提早于第1季触底并回升，第1季内价格将有小幅下跌，价格随即出现反弹，但不确定会发生在2月或3月。DRAM价格
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美国存储器厂商芯成半导体计划2千万美元现金收购厦门锡恩微电子
美国芯成半导体（ISSI )日前宣布，已与锡恩微电子公司（Si En Integration Holdings Ltd）达成收购协议，锡恩微电子是设在一家厦门，从事模拟和混合电路涉及的私营公司。芯成半导体总部设在美国San Jose-based，专门
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MAX7456在可视倒车雷达中的应用
为解决传统可视倒车雷达视频字符叠加器结构复杂，可靠性差，成本高昂等问题，在可视倒车雷达设计中采用视频字符发生器芯片MAX7456。该芯片集成了所有用于产生用户定义OSD，并将其插入视频信号中所需的全部功能，仅需少量的外围阻容元件即可正常工作。给出了以MAX7456为核心的可视倒车雷达的软、硬件实现方案及设计实例。该方案具有电路结构简单、价格低廉、符合人体视觉习惯的特点。经实际装车测试，按该方案设计的可视倒车雷达视场清晰、提示字符醒目、工作可靠，可有效降低驾驶员倒车时的工作强度、减少倒车事故的发生。
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5款面向网络设备的存储器（瑞萨电子）
瑞萨电子株式会社（以下简称瑞萨电子）于2011年1月18日正式宣布推出5款面向网络设备的高速存储器产品576Mb（Mbit）低时延 DRAM，品名分别为μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD
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Micron总裁谈3D EUV与450mm晶圆
不久之前Micron公司表现为技术有些滞后，然而最近以来此家存储器制造商开始追赶上来，似乎在NAND方面己经超过它的竞争对手。Micron公司正在进行25nmNAND生产线的量产准备工作,计划近期将完成。在DRAM方面,它们正进行
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IBM计划2年内推出新型纳米线磁畴存储器
IBM超高密度 Racetrack 存储器开发又有新的进展，据称这一新型存储器同时具有硬盘超高容量与闪存微型、高速、耐用的特性。按照目前的开发进程，原型产品预估可望于2年内问世。据报导，Racetrack 存储技术首见于2004年
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Micron总裁谈3D EUV与450mm晶圆
不久之前Micron公司表现为技术有些滞后，然而最近以来此家存储器制造商开始追赶上来，似乎在NAND方面己经超过它的竞争对手。Micron公司正在进行25nm NAND生产线的量产准备工作,计划近期将完成。在DRAM方面,它们正进行
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兼具硬盘和闪存优点 IBM计划2年内推出新型纳米线磁畴存储器
据Tech Review报导，IBM超高密度 Racetrack 存储器开发又有新的进展，据称这一新型存储器同时具有硬盘超高容量与闪存微型、高速、耐用的特性。按照目前的开发进程，原型产品预估可望于2年内问世。据报导，Racetrack
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基于SOPC适用于不同规格LCOS的控制器设计
摘 要：通过在现场可编程门阵列器件中构建软核处理器（NIOSⅡ）来代替专用集成电路，并在NIOSⅡ中嵌入Ｃ程序，根据给定的规模，自动实现了在不同规模下的各种设计参数的计算。实现了只需要输入系统参数，就能适用
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基于FPGA的空间存储器纠错系统的设计研究
基于FPGA的空间存储器纠错系统的设计研究
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基于SOPC适用于不同规格LCOS的控制器设计
基于SOPC适用于不同规格LCOS的控制器设计
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英特尔亚太NAND Flash操盘手换将 存储器厂哗然
英特尔(Intel)跨足NANDFlash产业迈入第5年，但近期在策略上有诸多调整，引发存储器业界高度关注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡厂将于2011年投产，却不见英特尔投资身影，近期英特尔在亚太区NANDFlash操盘
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IBM赛道存储器研制进入冲刺阶段
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于，它不会取代原子，能让硬盘上壁垒式的磁畴(walled domains)在1与0之间切换，又没有最终会让快闪位元单元耗损的疲乏机制(fatigue mechanisms)。目前的固态非挥发性存储器如快闪存
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IBM赛道存储器研制进入冲刺阶段
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于，它不会取代原子，能让硬盘上壁垒式的磁畴(walled domains)在1与0之间切换，又没有最终会让快闪位元单元耗损的疲乏机制(fatigue mechanisms)。目前的固态非挥发性存储器如快闪存
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Penn预测2011年半导体市场增长6％
FutureHorizons的创始人及分析师MalcolmPenn认为全球半导体业受2009年的金融危机的影响，到2010年耀眼的超过30％的增长，所以进入2011年将回归到正常年景，增长6％。Penn在演讲会上说，明年产业将回顾到正常增长，据
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研发出
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台湾插足快闪存储器产业
全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器
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突破技术藩篱 台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研
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3D IC技术领风潮 逻辑IC、存储器模块应用成主流
随著可携式装置功能益趋复杂多元，同时体积要求轻薄、资料传输快速等要求，芯片线路设计也走向高阶的3DIC，全球相关厂商间的3DIC策略联盟亦纷纷成立。根据估计，3DIC在手机应用的产值将会在2015年增加到新台币1,100亿
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东芝日本厂跳电受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导，东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能，普遍使用于智能型手机(Smartphone)、平板计算机(TabletPC)及数码音乐播放器的NAND价格将因此跟涨。东芝表示，这次的
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