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宏力半导体高低端MCU工艺制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 （宏力半导体），宣布其专为微控制器（MCU）开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式闪存）以及EEPROM制程平台。低本高效的
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宏力半导体高低端MCU工艺制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 （宏力半导体），宣布其专为微控制器（MCU）开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash （嵌入式闪存）以及EEPROM制程平台。低本高效的
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宏力半导体高/低端MCU工艺制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式闪存)以及EEPROM制程平台。低本高效的OTP技
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宏力半导体成功开发MCU代工技术
专注于差异化技术的半导体制造一直是宏力半导体的公司战略方向。近日宏力宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式闪存)以及EEPR
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做特色代工 宏力半导体成功开发MCU代工技术
专注于差异化技术的半导体制造一直是宏力半导体的公司战略方向。近日宏力宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式闪存)以及EEPR
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宏力半导体MCU工艺制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌
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Cypress签署寅通科技推展SONOS嵌入式闪存记忆体解决方案
关键字： SONOS 嵌入式闪存 NVM 赛普拉斯半导体公司于日前宣布，该公司已授权寅通科技股份有限公司(Innopower
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赛普拉斯授权寅通科技嵌入式闪存IP技术
21ic讯 赛普拉斯半导体公司日前宣布,该公司已授权寅通科技股份有限公司(Innopower) 推展130纳米和65纳米的SONOS嵌入式NVM(Non-Volatile Memory)存储器技术的IP。根据授权协议，寅通科技（Innopower）将结合赛普拉斯的
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赛普拉斯授权嵌入式闪存解决方案给Innopower
该协议使Innopower能帮助集成电路设计者把基于SONOS的嵌入式闪存集成到下一代SOC和ASIC中 赛普拉斯半导体公司日前宣布将130纳米和65纳米SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性技术的知识产权授权给Innopowe
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赛普拉斯与Innopower签署协议
赛普拉斯半导体公司日前宣布将130纳米和65纳米SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性技术的知识产权授权给Innopower技术公司。根据这一授权协议，Innopower将把赛普拉斯的技术与其技术支持服务和其他知识产权项目
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Microsemi发布65nm嵌入式闪存工艺平台
美高森美(Microsemi) 的SoC产品部(原Actel公司)11月17日于北京发布了65nm嵌入式闪存工艺平台。“这是与台联电(UMC)合作开发的，今后将成为我们低功耗、具有四输入查找表(LUT)架构FPGA的统一平台。适于工业、医疗、军
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宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产
上海宏力半导体制造有限公司近日宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技
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宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SSTSuperFlas
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宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFl
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宏力半导体0.13微米嵌入式闪存成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。 宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST S
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宏力半导体0.13微米嵌入式闪存实现量产
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SuperFlash(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的
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宏力CEO：极端环境下代工厂的发展之道
过去，上海宏力半导体公司一直是一家相当低调的公司。这家代工服务提供商的大部分赢利来自西方国家，特别是欧洲和美国。EE Times欧洲的记者终于有机会采访宏力半导体公司首席执行官兼总裁Ulrich Schumacher先生。Sch
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极端环境下代工厂的发展之道
过去，上海宏力半导体公司一直是一家相当低调的公司。这家代工服务提供商的大部分赢利来自西方国家，特别是欧洲和美国。EETimes欧洲的记者终于有机会采访宏力半导体公司首席执行官兼总裁UlrichSchumacher先生。Schum
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宏力CEO：极端环境下代工厂的发展之道
过去，上海宏力半导体公司一直是一家相当低调的公司。这家代工服务提供商的大部分赢利来自西方国家，特别是欧洲和美国。EE Times欧洲的记者终于有机会采访宏力半导体公司首席执行官兼总裁Ulrich Schumacher先生。
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TSMC发布0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权
TSMC 日前宣布推出0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权，是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权，适用于广泛的车用电子产品。TSMC 0.18微米车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25微米嵌入式闪存硅知识产权相较
