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东芝宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1规范的嵌入式闪存，Q3大规模出货！
东芝在其官网宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1规范的嵌入式闪存，并计划在下月向大客户发送样品，以便在今年第三季度大规模出货。据悉，东芝JEDEC eMMC 5.1嵌入式闪存使用的是BiCS Fl
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贸泽开售SanDisk iNAND 8251 嵌入式闪存 为移动AR和物联网应用提供高效存储
贸泽电子 (Mouser Electronics)即日起备货SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式闪存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技术和UFS 2.1快速接口，具有出众的读写性能，可为大多数轻薄型计算设备和数据密集型移动设备提供存储解决方案。
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关于嵌入式闪存，你所不了解的那些事儿
多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的
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东芝推出基于ARM Cortex-M3微控制器
东芝公司旗下半导体与存储产品公司今日宣布推出TXZ™系列的第一组产品—基于ARM Cortex-M3内核的M3H族微控制器，这一新系列产品采用基于65纳米逻辑工艺的嵌入式闪存工艺制造。
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Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证
· SST SuperFlash®技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美结合，实现低功耗、低成本、高可靠性、优异数据保存性能和高耐用性兼具的卓越客户解决方案· 通过硅验证的优化闪存IP模块广泛适用于各种应用
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ST推出业内首款90nm技术嵌入式闪存的微控制器
日前，意法半导体(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破，推出全球业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。目前几乎没有几家公司研制
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嵌入式闪存成就MAX 10 FPGA的系统价值
30年的低成本创新中国有句俗话叫“30年河东，30年河西”，Altera在1984年发布了第一款非易失PLD EP300器件，30年间，可编程器件在性能上不断发展甚至挑战摩尔定律，工艺技术也有了长足的进步，电子设计领
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赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池
21ic讯 嵌入式非易失性存储器解决方案的领先供应商赛普拉斯半导体公司，与中国最先进的专业晶圆代工厂上海华力微电子公司(HLMC)日前共同宣布，双方基于赛普拉斯55纳米工艺节
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赛普拉斯向UMC授权55纳米嵌入式闪存技术
嵌入式非易失性存储解决方案领导者赛普拉斯半导体公司与全球领先的半导体代工厂联华电子公司(纽交所代号 UMC， 台湾证券交易所代号 TWSE： 2303)日前联合宣布，UMC获得了赛
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华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果
【导读】华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺发展取得进一步成果 世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0
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Altera公司与台积公司在55纳米嵌入式闪存工艺技术领域展开合作
【导读】日前，北京 — Altera公司 (NASDAQ: ALTR)与台积公司今日共同宣布在55纳米嵌入式闪存 (EmbFlash) 工艺技术上展开合作，Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车
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Altera将采用台积公司55纳米嵌入式闪存工艺生产器件
【导读】Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。 摘要： Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生
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英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布围绕40纳米嵌入式闪存工艺建立开发和生产展开合作
【导读】2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方
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飞索整合富士通资源 加速嵌入式闪存MCU研发
【导读】飞索(Spansion)预定于2013年7～9月，完成富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模拟及混合信号部门购并，未来将加速整合该部门技术资源，以及自家的嵌入式电荷撷取(eCT)闪存技术，全力加速嵌入
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宏力半导体系列嵌入式闪存工艺全线量产
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式闪存产品已突破100,000 片8英寸晶圆。目前，宏力
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安富利和闪迪联手提供创新商用闪存存储解决方案
全球闪存存储解决方案领导者闪迪公司和全球领先技术经销商安富利公司(Avnet) 日前宣布，安富利将通过安富利电子营销和安富利科技有限公司，为北美洲、欧洲、中东和非洲 (EMEA)、亚太和拉丁美洲1客户提供范围广泛的闪
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100万次擦写！三星首创45nm嵌入式闪存
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm e
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全球首创45nm嵌入式闪存 100万次擦写！
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性
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英飞凌与GF合作开发40nm嵌入式闪存工艺
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微
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英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布围绕40纳米嵌入式闪存工艺展开合作
英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机
