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宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。 宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身
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宏力半导体发布先进的0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的
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宏力半导体发布0.13微米嵌入式闪存制程
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权闪存技术具有单元尺寸
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台积电完成0.18微米快闪新制程认证 Q3量产相关产品
台积电日前宣布完成0.18微米嵌入式闪存(0.18-micron embFlash)制程认证，此制程因有低漏电的特性，因此适用于手持式装置与汽车电子等芯片应用上，有助于台积电争取更多新客户，预计今年第3季就可以量产。 台积电目前
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华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺取得进一步成果
纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0.13微米嵌入式闪存工艺（“EF130”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试
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IBM获英飞凌130纳米嵌入式闪存工艺使用许可
IBM获英飞凌130纳米嵌入式闪存工艺使用许可
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台积电将铜工艺引入0.13微米嵌入式闪存芯片
台积电将铜工艺引入0.13微米嵌入式闪存芯片
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技术、产能齐发力，宏力半导体2007年可望继续快跑
海宏力半导体制造有限公司近日宣布，在过去的2006年，其晶圆出货量和营业额较2005年的增长率均超过100%。2007年伊始，在半导体行业普遍低迷的情况下，宏力依然延续06年第四季度的增长势头，产能利用持续满载，且
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英特尔扩展NOR闪存产品线 看好数十亿美元嵌入式闪存市场
英特尔有限公司今天宣布, 将扩展其NOR闪存产品线，以满足不断增长的数十亿美元嵌入式市场的需要。英特尔公司计划引入3伏（3V）版本的英特尔StrataFlash®嵌入式存储架构。英特尔还透露,将以首款串行外围接口（Ser
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Infineon 130纳米嵌入式闪存微控制器实现量产
Infineon 130纳米嵌入式闪存微控制器实现量产
