晶体管
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin
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台积电或成苹果新伙伴 明年底展开合作
北京时间12月21日消息，据华尔街日报报道称，近期有关台积电（TSMC）有望将苹果纳入客户群的猜测不断浮现，但是分析师称双方合作可能要等到明年底。全球最大芯片代工商台积电（TSMC）一直对客户的关系含糊其辞，但是
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阅读秘书／FinFET
3D鳍式晶体管（FinFET）是新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管技术。相较于传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一侧来控制，属于平面式的结构；3D FinFET的闸门，是类似鱼鳍般的三面立体式的设计，能大
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变频电路
晶体三极管变频器的实际电路主要有两类：本振电压由单独振荡器产生的他激式变频器和本振电压由变频管自身产生的自激式变频器，它们都可接成共基极或共发射极电路。他激式变频电路比较复杂，但uS和uL之间牵连作用小，
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调幅电路
任何一种非线性器件都可以用来产生调幅彼。晶体管是一种非线性器件，只要让其工作在非线性（甲乙类，乙类或丙类）状态下，即可用它构成调幅电路。一般总是把高频载波信号和调制信号分别加在谐振功率放大器的晶体管的
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin
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美开发出“4维”晶体管，或引领半导体新潮流
作为现代历史中最伟大的发明之一，晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。而低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC（system on a chip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fully depleted silico
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美研制出新型“4维”晶体管
据物理学家组织网报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为&ldquo
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自激振荡的建立和振幅的稳定
上面的分析中，是先假定有一个输入信号经放大后，再由反馈网络送回到输入端而形成稳定振荡的。事实上自激振荡的起振是不需要外加信号激励的。那么自激振荡是如何建立的呢？原来，电源接通或元件的起伏噪声引起的电扰
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有源滤波电路
为了提高滤波效果，解决π型RC滤波电路中交、直流分量对R的要求相互矛盾的问题，在RC电路中增加了有源器件-晶体管，形成了RC有源滤波电路。常见的RC有源滤波电路如图Z0716所示，它实质上是由C1、Rb、C2组成的π型
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管
21ic讯 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的
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LDO线性稳压器拓扑结构及分类
LDO线性稳压器通常被设计工程师作为辅助措施，并且经常被选用于产品开发的后期阶段。设计工程师比较关注的是如何使复杂的基频(BB) 或射频( RF )ASIC 发挥作用，而不是其所选
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台积电在硅基板上实现锗沟道FinFET，证实良好的晶体管特性
台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）在“IEDM 2012”上公布，使用与硅基FinFET相同的工艺技术在硅基板上制成了锗沟道FinFET，并获得了出色的晶体管特性（论文编号：23.5）。台积电表示，电导率/
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ARM悠着点 英特尔准备将3D晶体管技术引入移动处理器
没能赶上移动处理器市场蓬勃发展的快班车，大概是英特尔近年来最大的失误。现在ARM不但占据了利润丰厚的手机/平板处理器业务，还反过来对英特尔的传统业务（服务器等）虎视眈眈。作为业界老大，英特尔岂能咽下这口气
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电源噪声的危害性分析
芯片发展的一个大趋势就是集成度越来越高，内部晶体管数量越来越大。芯片的外部引脚数量有限，为每一个晶体管提供单独的供电引脚是不现实的。芯片的外部电源引脚提供给内部
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一款由分立晶体管的电流控制的方式电路图
一款由分立晶体管的电流控制的方式电路图
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功率放大电路概述
前面讨论的各种放大电路的主要任务是使负载上获得尽可能大的不大真电压信号，它们的主要指标是电压放大倍数。而功率放大电路的主要任务则是，在允许的失真限度内，尽可能高效率地向负载提供足够大的功率。因此，功率
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美研制出新型“4维”晶体管
据物理学家组织网12月6日（北京时间）报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”（栅极）的长度缩减到了突破性的20纳
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台积电公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICONJapan2012”（2012年12月5～7日，幕张MESSE国际会展中心）开幕当天，台积电研发副总经理侯永清(CliffHou)登台发表了主题演讲，公布了该公司关于16～10nmFinFET工艺及CoWoS（chiponwaferonsubstrate，晶圆
