晶体管
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台积加码南科5千亿 增7千职缺
半导体景气起伏，台积电率先加码南科，晶圆十四厂第五、六期厂房昨上梁、动土，七期预计明年第一季动工，五年内投资超过五千亿元。台积电共同营运长蒋尚义强调，晶圆十四厂将是全球第一个量产廿纳米芯片基地，可提供
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台积加码南科5千亿 增7千职缺
半导体景气起伏，台积电率先加码南科，晶圆十四厂第五、六期厂房昨上梁、动土，七期预计明年第一季动工，五年内投资超过五千亿元。台积电共同营运长蒋尚义强调，晶圆十四厂将是全球第一个量产廿纳米芯片基地，可提供
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互补对称功率放大电路
互补对称功率放大电路单管甲类功率放大电路虽然简单，只需要一个功率管便可工作。由于它的效率低，而且为了实现阻抗匹配，需要用变压器，而变压器具有体积大、重量重、频率特性差、耗费金属材料、加工制造麻烦等缺点
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车载数码相机充电适配器设计
附图为数码相机充电适配器电路。电路采用一对晶体管差分放大器和一级电流放大器.分别输出恒定的电压和要求的电流。晶体管T1和T2构成一对差分放大器.T1基极电压由稳压二极管
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IBM新型碳纳米管芯片：单芯片上制造上万晶体管
11月4 日消息，美国 IBM 公司使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内，并且通过了测试。多年来，我们的芯片都根据摩尔定律发展：从以前的微米单位到现在的纳米单位，从以往
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采用互补晶体管和CMOS驱动级的推扭电路图
采用互补晶体管和CMOS驱动级的推扭电路图如下：
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台积取得ASML5%股权
全球微影设备大厂艾司摩尔(ASML)已于欧洲时间10月31日正式将今年7月宣布的「联合投资专案」股权发行给台积电(2330)，台积电将以每股39.91欧元(约新台币1,490元)，取得ASML约2,100万股、5%股权，共计8.38亿欧元(约新台
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台积电取得ASML5%股权
全球微影设备大厂艾司摩尔（ASML）已于欧洲时间10月31日正式将今年7月宣布的「联合投资专案」股权发行给台积电，台积电将以每股39.91欧元（约新台币1,490元），取得ASML约2,100万股、5%股权，共计8.38亿欧元（约新台
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IBM新型碳纳米管芯片：单芯片上制造上万晶体管
11月4 日消息，美国 IBM 公司使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内，并且通过了测试。多年来，我们的芯片都根据摩尔定律发展：从以前的微米单位到现在的纳米单位，从以往
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台积 取得ASML5%股权
全球微影设备大厂艾司摩尔(ASML)已于欧洲时间10月31日正式将今年7月宣布的「联合投资专案」股权发行给台积电(2330)，台积电将以每股39.91欧元(约新台币1,490元)，取得ASML约2,100万股、5%股权，共计8.38亿欧元(约新台
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台积 取得ASML5%股权
全球微影设备大厂艾司摩尔（ASML）已于欧洲时间10月31日正式将今年7月宣布的「联合投资专案」股权发行给台积电（2330），台积电将以每股39.91欧元（约新台币1,490元），取得ASML约2,100万股、5%股权，共计8.38亿欧元
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奈米碳管－半导体发展的新契机
在10月28日美国出版的「自然－奈米技术」期刊中指出，奈米碳管，将替代数十亿晶片中矽所占有的地位，包含使用量及大的微处理器与记忆晶片。IBM科学家在纽约的TJWatson研究中心，已经能阵列奈米碳管在矽晶片表面，并组
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IBM芯片技术研发获新突破 碳纳米管体积小
据国外媒体报道，IBM近日表示，该公司位于美国纽约州约克城高地(YorktownHeights)的IBMTJ沃森研究中心科学家们已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展。科学家们将碳纳米管安装到一块硅片上，以创造出一块有1万个晶体管
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IBM芯片技术研发获新突破:碳纳米管体积小
据国外媒体报道，IBM近日表示，该公司位于美国纽约州约克城高地(YorktownHeights)的IBMTJ沃森研究中心科学家们已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展。科学家们将碳纳米管安装到一块硅片上，以创造出一块有1万个晶体管
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IBM芯片技术研发获新突破:碳纳米管体积小
据国外媒体报道，IBM近日表示，该公司位于美国纽约州约克城高地(Yorktown Heights)的IBM TJ沃森研究中心科学家们已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展。科学家们将碳纳米管安装到一块硅片上，以创造出一块有1万个晶体
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IBM芯片技术新突破:有1万个晶体管工作的混合芯片
IBM近日表示，该公司位于美国纽约州约克城高地(Yorktown Heights)的IBM TJ沃森研究中心科学家们已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展。科学家们将碳纳米管安装到一块硅片上，以创造出一块有1万个晶体管工作的混合芯片
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IBM再创奇迹！碳纳米管迈出取代硅第一步
蓝色巨人IBM的科学家们再次展示了他们雄厚的科研实力：历史上第一次，使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确地放置在了一颗芯片内，并通过了可行性测试。多年来，人们一直期望找到一种新
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IBM芯片技术研发获新突破:碳纳米管体积小
IBM芯片技术研发获新突破:碳纳米管体积小
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晶体管测光表电路图
当太阳能电池受到光照时，产生的电压使VT6导通。VT6的导通程度和光照强度成正比。VT6的导通电流在R1上产生压降，VT1~VT5基极得到正向电压，但由于信号的大小不同和VD1~VD4的降压作用(0.6V)，会使VT1~VT5各基极所得正
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串联型晶体管振荡电路
串联型晶体管振荡电路
