晶体管
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那些开创未来的十年：晶体管计算机（1951-1960）
今天的连载把我们带回到1951-1960年代，这个时候计算机从真空管转向了晶体管，出现了第一张实现数字扫描的照片，呼啦圈为塑料开辟了一个全新的市场。1953年：晶体管计算机(计算机)40年代的时候，计算机成为现实，但它
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音乐VT66系列晶体管形音乐集成电路
音乐VT66系列晶体管形音乐集成电路
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Samsung ：也来看看我们的14nm晶圆吧
通用平台技术论坛上，IBM展示了14nm FinFET晶圆和可弯曲的28nm晶圆，GlobalFoundries吹嘘了自己14nm工艺的高能效和28nm工艺对Cortex-A15的贡献， Samsung 也摆出了自己的14nm晶圆。 和Intel、IBM(还有台积电16nm)一
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三星：也来看看我们的14nm晶圆吧
通用平台技术论坛上，IBM展示了14nm FinFET晶圆和可弯曲的28nm晶圆，GlobalFoundries吹嘘了自己14nm工艺的高能效和28nm工艺对Cortex-A15的贡献，三星也摆出了自己的14nm晶圆。和Intel、IBM(还有台积电16nm)一样，三星
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利用阻性负载增强LNA稳定性(下)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。 后续小节中的结果可从Friis噪声方程
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利用阻性负载增强LNA稳定性(中)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。 对于微波放大器噪声性能经常是一个
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利用阻性负载增强LNA稳定性(上)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。 设计一个有效的低噪声放大
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制作50W晶体管功放电路
此功法电路可谓一装即成，特别适合初学者制作。这款功放一声道只需17个零件，却收到了意想不到的效果，还音效果真实，频响平直，解析力高，且功率可以达到50W。具体电路如图(只画出一声道)，全机用1/2W电阻，C2和C4用
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圆亮剑
GlobalFoundries的工艺进展缓慢一直备受诟病，也坑坏了AMD，不过人家也在一直努力争取，并屡屡向外界展示自己的进展。近日，GlobalFoundries又首次公开了20nm、14nm工艺的晶圆实物。 不过，GlobalFoundries并未
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圆亮剑
GlobalFoundries的工艺进展缓慢一直备受诟病，也坑坏了AMD，不过人家也在一直努力争取，并屡屡向外界展示自己的进展。近日，GlobalFoundries又首次公开了20nm、14nm工艺的晶圆实物。不过，GlobalFoundries并未提供多
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三星与Synopsys实现首次14纳米FinFET成功流片
新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片。虽然FinFET工艺较传统的平面工艺在功耗与性能上明
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三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
亮点：该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片(SoC)该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础测试芯片验证了FinFET工艺和Synopsys® DesignWare®嵌入式存储器的
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三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片
加利福尼亚州山景城，2013年1月— 亮点： ? 该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片（SoC） ? 该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础 ? 测试芯片验证了FinFET工艺和
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美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管
硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了，据物理学家组织网近日报道，美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管，长度仅为22纳米。研究
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医疗科技发展史
从最广义的角度上看，医药和健康科技的历史是很久远的。最近相关方面证实，世界上最古老的「假肢」是古埃及人的以木头、皮制的脚趾假体，而它出现的日子是公元前950年!虽然最近几十年来医疗科技的发展之快是古代无法
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsu
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FDSOI技术推进SoC微细化至10nm工艺 无需3D晶体管
近日意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技术，使得作为智能手机及平板电脑等移动产品心脏的SoC(systemonachip)，在推动其低成本化和高性能化的微细化
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulat
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SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管
SoC（systemonachip）是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体（ST）已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI（fullydepletedsilicononin
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台积电或成苹果新伙伴 明年底展开合作
北京时间12月21日消息，据华尔街日报报道称，近期有关台积电（TSMC）有望将苹果纳入客户群的猜测不断浮现，但是分析师称双方合作可能要等到明年底。全球最大芯片代工商台积电（TSMC）一直对客户的关系含糊其辞，但是
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