据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,
在“SEMICON Japan 2012”(2012年12月5~7日,幕张MESSE国际会展中心)开幕当天,台积电研发副总经理侯永清(Cliff Hou)登台发表了主题演讲,公布了该公司关于16~10nm FinFET工艺及CoWoS(chip on wafer on substra
据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,最出
随着智能手机功能最近不断升级演化,消费者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主频CPU处理器、令人震撼的3D图形、全高清多媒体和高速宽带现已成为高端手机的标配。同时,消费者还期望手机纤薄轻盈,电池续航能力至少
据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,最出
据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,最出
据DigiTimes报道,三星将于2013年采用20纳米技术,同时开始建造生产14纳米晶体管的工厂。台积电也会在2013年下半年开始采用20纳米技术生产晶体管。当前主流的智能手机芯片主要由高通和三星制造,高通的代工厂中,最出
晶圆代工厂联电今天否认格罗方德(GlobalFoundries)参股的传言,表示双方并没有就参股进行讨论。 媒体报导,外资圈传出,格罗方德可能与联电策略联盟,初期由格罗方德参股联电,未来进一步交叉持股。 联电指出,14纳
用微变等效电路分析法分析放大电路的关键在于正确地画出放大电路的微变等效电路。具体方法是:首先画出放大电路的交流通路,然后用晶体管的简化h参数等效电路代替晶体管,并标明电压、电流的参考方向。应用微变等效电
得到了晶体管的h参数后,就可以画出晶体管的线性等效电路,图Z0214是晶体管的h参数等效电路。关于h参数等效电路,应注意以下几点:(1)电压的参考极性为上正下负,电流的参考正方向是流入为正;(2)电路中出现了受
在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。h 参数的定义如图Z0213。hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称
一、输出电压的最大幅度由图Z0208所示(见十五)的分析过程可以看出,放大电路输出信号电压的幅度受到饱和区和截止区的限制。在给定电路参数的条件下,输出电压不产生明显失真时的幅值称为最大输出幅度,常用峰值或峰
有信号输入时,放大电路的工作状态称为动态。动态时,电路中既有代表信号的交流分量,又有代表静态偏置的直流分量。是交、直流共存状态,尽管电路中既有交流分量,又有直流分量。由于电路中含有电抗性元件,因此,交
无信号输入(us=0)时,放大电路的工作状态称为静态。静态时,电路中各处的电压、电流均为直流量。由于电路中的电容、电感等电抗元件对直流没有影响,因此,对直流而言,放大电路中的电容可视为开路(电感可视为短路),
AMD当年就屡屡被落后的产能所拖累,而在晶圆厂独立成GlobalFoundries之后,仍然摆脱不了工艺和产能跟不上的局面,多次导致新产品取消、推迟或者规格不达标,不过,GF依然在不断努力宣传美好的未来,现在又保证明年上
AMD当年就屡屡被落后的产能所拖累,而在晶圆厂独立成GlobalFoundries之后,仍然摆脱不了工艺和产能跟不上的局面,多次导致新产品取消、推迟或者规格不达标,不过,GF依然在不断努力宣传美好的未来,现在又保证明年上
利用放大器件工作在放大区时所具有的电流(或电压)控制特性,可以实现放大作用,因此,放大器件是放大电路中必不可少的器;为了保证器件工作在放大区,必须通过直流电源给器件提供适当的偏置电压或电流,这就需要有
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件,受到了国家的重
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键