晶体管
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并联型晶体管振荡电路的等效电路
并联型晶体管振荡电路的等效电路
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并联型晶体管振荡电路
并联型晶体管振荡电路
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摩尔定律何时会失效？
北京时间10月16日消息，据国外媒体报道，1965年，英特尔联合创始人戈登·摩尔(GordonMoore)预测，计算机芯片的处理能力每两年就会翻一番。尽管已经过去40多年，摩尔定律仍然有效。多年来，英特尔科技和制造集团副总裁
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彩电开关电源的分析
目前在电器中使用最多的电源就是开关稳压电源，彩电、平板电视、显示器、D V D 等等，开关电源的故障率也是很高的，工作在大电流、高电压、大功率状态。一、开关电源使用率
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宜普公司开发板采用德州仪器公司专为驱动增强型氮化镓晶体管而设的栅极驱动器
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9003及EPC9006开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转用氮化镓技术
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格罗方德 跟台积电有拚
晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）来台呛声，全球营销暨业务执行副总裁Michael Noonen表示，已正式推出结合14纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程的14nm-XM技术，协助客户加快行动装置芯片上市时间。格罗方德指出
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格罗方德：「3D鳍式晶体管」技术领先台积电
晶圆代工大厂格罗方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鳍式晶体管（FinFET）导入的14纳米元件，预计2013年试产，2014年量产，「已可直接与英特尔竞争」，技术层次更领先台积电半个世代。 格罗方德由微处
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阅报秘书／3D鳍式晶体管
3D鳍式晶体管（FinFET）是1种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管， 能让芯片技术发展到10纳米以下，晶圆代工业者若能拥有此技术，更能凸显其优势与竞争力。 传统晶体管若要控制电流通过闸门，只能选择在闸门的一
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移动设备的FinFET晶体管架构
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移动设备的优化的 FinFET 晶体管架构。公司的 14 纳米路线图加速客户使用 FinFET 技术。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路
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GF推出用于下一代移动设备晶体管架构
中国上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势，不仅风
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英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后
英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员MarkBohr表示技术路标展示了因特尔在
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英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后
英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员MarkBohr表示技术路标展示了因特尔在
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英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后
英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后
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英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后
英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员MarkBohr表示技术路标展示了因特尔在
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英特尔14纳米处理器2013年投产 10纳米紧随其后
英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。在旧金山举行的英特尔信息技术峰会，公司高级研究员Mark Bohr表示技术路标展示了因特尔在
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硅温度传感器的工作原理
温度传感器目前分为传统温度传感器和基于硅的温度传感器。传统温度传感器包括热敏电阻、电阻温度检测器和热电偶。这些器件是模拟器件，而温度传感器没有必要一定是模拟器件。基于硅的温度传感器能够精确输出其测量温
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英特尔称14纳米工艺将于2013年底之前投产
据台湾媒体报道，英特尔已经宣布CPU和SoC的生产工艺将在2013年底升级到14纳米制程，并从2015年开始10纳米及更低制程的工艺研发。英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的英特尔开发者论坛大会（IDF）上展示了一张关
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20nm和3D IC将是积极的产业
过去一年中，Mentor公司实现了10亿美元的营业额。并在20nm设计、3DIC、DFM(可制造设计)、DFT(可测试设计)、SoC验证方面都有很大进展。在北京的MentorForum期间，笔者就目前设计业的一些困惑，询问了Mentor的掌舵人。
