晶体管
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光电二极管
三个硅光电二极管(前两个)以及一个锗光电二极管(最后一个)光电二极管的符号光电二极管(英语：photodiode )是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。
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怎样用万用表判断场效应管好坏？
1、测量极性及管型判断 红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道如果先没G、D再没S、D会长响，表笔放在G和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三
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什么是单极型晶体管和双极型晶体管？
一、单极型晶体管单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故称为单极
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大面积单层石墨烯产业项目落户重庆
中科院重庆研究院与上海南江（集团）有限公司“大面积单层石墨烯产业化项目”上月26日正式签约，前期将投入2.67亿元在重庆市建设集研发、生产、销售一体的石墨烯基地。最轻最薄、可以弯曲折叠，对电脑、手机屏幕产生
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碳纤维纳米管芯片问世
斯坦福大学发布了首款由碳纳米晶体管组成的电脑芯片。硅晶体管早晚会走到道路的尽头。晶体管越做越小，以至于它不能够容纳下足够的硅原子来展示硅的特性。碳纳米管(CNT)，锗化硅(SiGe)，砷化物(GaAs)都是可能的替代品
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可调稳压电源电路
图所示为电压1.5-9V、电流0.2A可调稳压电源。它由二极管VD1-VD4整流，晶体管VT2、VT3复合调整，晶体管VT4比较放大，稳压管VD7基准电压源，稳压管VD5恒流源和电阻R1、R2、R3
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双极型晶体管和场效应管基础知识
1.场效应管主要有结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。绝缘栅型场效应管的衬底(B)与源析(S)连在一起，它的三个极分别为栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极(b)、集电极(
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晶体管单管放大电路的三种基本接法
2.4 晶体管单管放大电路的三种基本接法通过对单管共射放大电路的分析和计算,使得放大电路的组成原则更明确和具体了.放大的关键是发挥晶体管的控制作用.在共射电路中,晶体管的b-e为输入端,c-e为输出端,利用iB对iC的控
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分析称英特尔2013年有望改变移动芯片落后状态
随着新奔腾系列处理器的面世，全球最大的半导体芯片制造商英特尔也完成了旗下所有桌面级处理器22nm制程的升级，在这样一个具有历史意义的时刻，也是时候来研究一下为什么intel如此看重制程升级的原因了。Intel 酷睿i
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22nm终成正果 intel全线处理器升级最新
【IT168 观点】随着新奔腾系列处理器的面世，全球最大的半导体芯片制造商英特尔也完成了旗下所有桌面级处理器22nm制程的升级，在这样一个具有历史意义的时刻，也是时候来研究一下为什么intel如此看重制程升级的原因了
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硅芯片极限终结：怎样的替代品？
根据摩尔定律，集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔18个月便会增加一倍，硅芯片迟早有一天会因为尺寸无法继续缩小而走向终结。哪种材料能替代硅芯片呢？斯坦福的研究团队的最新研究成果表明，碳纳米管或许会成为替代
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硅芯片大限不远：碳纳米管将成下一代材料?
迟早有一天使用硅为材料制造日益变小的电路的极限将会到来，从而终结摩尔定律。碳纳米管技术可将半导体缩小至5纳米的极限。北京时间2月21日消息，在未来十年左右的时间里，蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小
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应材先进化学气相沉积薄膜推动高解析显示器发展
应用材料公司(Applied Materials)宣布推出全新的电浆增强化学气相沉积薄膜技术，这项技术可应用在新一代的平板计算机和电视上，制造出效能更佳、高分辨率的显示器。这些先进绝缘薄膜是以应用材料公司的 AKT 电浆强化
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硅芯片走向终结 碳纳米管或将取代
根据摩尔定律，集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔18个月便会增加一倍，硅芯片迟早有一天会因为尺寸无法继续缩小而走向终结。哪种材料能替代硅芯片呢?斯坦福的研究团队的最新研究成果表明，碳纳米管或许会成为替代材
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东芝推出增强型隔离高集电极电压晶体管耦合器
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，其已为工厂自动化设备和空调推出一款可确保高工作温度(最大Ta = 110°C)和高达350V集电极电压(VCEO)的光电晶体管耦合器。新产品“TLP188”可确保最小漏
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英特尔以色列子公司去年出口额翻番
北京时间2月18日消息，据国外媒体报道，英特尔以色列子公司去年出口额增加一倍以上至46亿美元，并寻求将英特尔下一代芯片生产引入以色列。 英特尔以色列子公司2012年出口额为46亿美元，相比2011年的22亿美元增长
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TSMC披露工艺计划和资本支出
2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28纳米业务, 40 纳米的业务也约占22%。 TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。 资本支出方面
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雷声大雨点小？GlobalFoundries称2015年实现真正的10nm
GlobalFoundries虽然也承认自己遇到了一些问题，但并不妨碍对美好前景的展望，比如10nm工艺，就号称会在2015年实现，而且是真正的10nm。GlobalFoundries执行副总裁Mike Noonen在通用平台论坛会议上很内疚地说，该公司
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那些开创未来的十年：晶体管计算机（1951-1960）
今天的连载把我们带回到1951-1960年代，这个时候计算机从真空管转向了晶体管，出现了第一张实现数字扫描的照片，呼啦圈为塑料开辟了一个全新的市场。 1953年：晶体管计算机(计算机) 40年代的时候，计算机成为
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TSMC披露工艺计划和资本支出
2012年第四季度，TSMC的营收已经有22% 来自28纳米业务, 40 纳米的业务也约占22%。TSMC计划在2013年1月实现20nm SoC工艺的小批量试产。预计2013年11月，16nm的FinFET 3D晶体管的工艺将开始试产。资本支出方面，2012年
